Storia e tecnologia del Silicio Lera dellelettronica Corso di formazione di Scienza dei Materiali.

Storia e tecnologia del Storia e tecnologia del SilicioSilicio

L’era dell’elettronicaL’era dell’elettronica

Corso di formazione di Scienza dei MaterialiCorso di formazione di Scienza dei Materiali

Breve storia del Silicio

• Il nome Il nome siliciosilicio deriva dal latino deriva dal latino silexsilex, selce, selce

• Il silicio è il secondo elemento più diffuso, dopo l’ossigeno, sulla Il silicio è il secondo elemento più diffuso, dopo l’ossigeno, sulla crosta terrestre (25%)crosta terrestre (25%)

• Il silicio fu isolato per la prima volta nel 1824 dal chimico Il silicio fu isolato per la prima volta nel 1824 dal chimico svedese svedese BerzeliusBerzelius, che aveva proseguito il lavoro del grande , che aveva proseguito il lavoro del grande chimico francese chimico francese LavoisierLavoisier il quale, avendo studiato il quarzo, il quale, avendo studiato il quarzo, affermò che questo era composto da un elemento affermò che questo era composto da un elemento molto molto comunecomune..

• Il silicio non ha trovato alcun utilizzo Il silicio non ha trovato alcun utilizzo fino alla fine del secolo fino alla fine del secolo scorsoscorso quando venne scoperto che, se unito al ferro, sviluppava quando venne scoperto che, se unito al ferro, sviluppava proprietà magnetiche. Utilizzo prevalente per elettromagneti e proprietà magnetiche. Utilizzo prevalente per elettromagneti e trasformatoritrasformatori

• Inizio della produzione industriale agli inizi del secolo in una Inizio della produzione industriale agli inizi del secolo in una forma ragionevolmente pura (circa 98%)forma ragionevolmente pura (circa 98%)

• Semiconduttori classiciSemiconduttori classici

• Semiconduttori compositi III-VSemiconduttori compositi III-V

• Droganti di tipo p per il SilicioDroganti di tipo p per il Silicio

• Droganti di tipo n per il SilicioDroganti di tipo n per il Silicio

B C

Al SiSi

Ga

In

Ge

N

Sn

As

Sb

P

5 6 7

13 14 15

31 32 33

49 50 51

IIIA IVA VAProprietà chimiche

• Struttura cubica a facce centrate Struttura cubica a facce centrate FCCFCC ( (diamantediamante))

• Numero atomico Numero atomico 1414

• Massa atomica Massa atomica 28.085528.0855

• Densità Densità 2.33 g/cm2.33 g/cm33

• Temperatura di fusione Temperatura di fusione 1414 °C1414 °C

• Gap tra Banda di conduzione e di valenza:Gap tra Banda di conduzione e di valenza: 1.12 eV 1.12 eV (T(Tambamb))

Proprietà chimiche

Proprietà Proprietà semiconduttivsemiconduttiv

ee

Due reticoli Due reticoli cubici a facce cubici a facce

centrate centrate compenetrati compenetrati

e traslatie traslati

Conduzione elettrica nei materiali

Banda di valenza, Banda di valenza, EEVV

Banda di conduzione, EBanda di conduzione, ECC

Banda proibita, EBanda proibita, EGG

SemiconduttoreSemiconduttore



MetalloMetallo

• IsolantiIsolanti• Banda di conduzione e di valenza separate da una Banda di conduzione e di valenza separate da una banda proibita troppo banda proibita troppo

elevataelevata improbabile la conduzione elettricaimprobabile la conduzione elettrica



Banda proibita, EBanda proibita, EGG

IsolanteIsolanteEnergiaEnergia

• SemiconduttoriSemiconduttori• Banda di conduzione e di valenza Banda di conduzione e di valenza separateseparate da un’ da un’energiaenergia di gapdi gap (stati (stati

energeticamente non permessi)energeticamente non permessi)

• La banda proibita è La banda proibita è piccolapiccola e può essere e può essere superata tramite l’assistenza della superata tramite l’assistenza della temperaturatemperatura

• Conducibilità elettrica Conducibilità elettrica crescentecrescente con la con la temperaturatemperatura

• Banda di conduzione e di valenza Banda di conduzione e di valenza sovrappostesovrapposte nube di nube di elettroni liberielettroni liberi

• Conducibilità elettrica Conducibilità elettrica decrescentedecrescente con la con la temperaturatemperatura (scattering fra (scattering fra elettroni)elettroni)

• MetalliMetalli

Impurità drogantiSilicio intrinseco (puro)Silicio intrinseco (puro)

Silicio estrinseco nSilicio estrinseco n

Silicio estrinseco pSilicio estrinseco p

• Il silicio (4 elettroni di valenza) presenta una Il silicio (4 elettroni di valenza) presenta una struttura tetraedrica in cui ogni atomo è legato struttura tetraedrica in cui ogni atomo è legato

ad altri 4 atomiad altri 4 atomi

Gli elettroni presenti sono solo quelli di legame, non Gli elettroni presenti sono solo quelli di legame, non liberi di poter condurre corrente elettricaliberi di poter condurre corrente elettrica

• L’introduzione di un atomo con L’introduzione di un atomo con valenza superiore valenza superiore a quella del silicioa quella del silicio (5 elettroni) causa un (5 elettroni) causa un aumento aumento

degli elettroni liberidegli elettroni liberi per la conduzione per la conduzione

Silicio estrinseco di tipo Silicio estrinseco di tipo nn (conduzione di carica (conduzione di carica negativa)negativa)

• L’introduzione di un atomo con L’introduzione di un atomo con valenza inferiorevalenza inferiore (3 elettroni) (3 elettroni) a quella del silicioa quella del silicio causa un causa un aumento aumento

delle mancanze di elettroni di legamedelle mancanze di elettroni di legame ( (lacunelacune))

Silicio estrinseco di tipo Silicio estrinseco di tipo pp (conduzione di carica (conduzione di carica positiva)positiva)

Impurità drogantiSilicio estrinseco nSilicio estrinseco n Silicio estrinseco pSilicio estrinseco p

• Limite superioreLimite superiore di di concentrazione di drogante: concentrazione di drogante: limite di solubilitàlimite di solubilità del drogante del drogante nel silicionel silicio

• Limite inferioreLimite inferiore: : impossibilità impossibilità tecnologicatecnologica di disporre di un di disporre di un materiale del tutto privo di materiale del tutto privo di impurità (<1 parte per miliardo)impurità (<1 parte per miliardo)

Le basi dell’elettronica si fondano sulla possibilità di Le basi dell’elettronica si fondano sulla possibilità di introdurre in introdurre in modo controllato questi due tipi di impuritàmodo controllato questi due tipi di impurità in modo da in modo da modificare modificare

la conducibilitàla conducibilità elettricaelettrica ed il ed il tipo di conduzionetipo di conduzione del materiale del materiale semiconduttoresemiconduttore

Sono impurità droganti Sono impurità droganti elettricamente attive elettricamente attive

solo quelle impurità solo quelle impurità sostituzionali ad atomi di sostituzionali ad atomi di silicio e non in posizione silicio e non in posizione

interstizialeinterstiziale

L’introduzione di questo tipo di impurità (drogaggio) L’introduzione di questo tipo di impurità (drogaggio) provoca un aumento della conducibilità del provoca un aumento della conducibilità del

semiconduttoresemiconduttore

PerturbazionePerturbazione PerturbazionePerturbazione

Sviluppo dell’elettronica moderna

nn

nnpp

EmettitoreEmettitoreBaseBase

CollettoreCollettore

• Rivoluzione del XX secolo: Rivoluzione del XX secolo: scoperta del scoperta del transistor nel 1948transistor nel 1948 ad opera di ad opera di SchockleySchockley, , BardeenBardeen e e BrattainBrattain

• Da Da TRANSTRANSfer refer reSISTORSISTOR, dispositivo a , dispositivo a trasferimento di resistenzatrasferimento di resistenza

• Dispositivo a Dispositivo a 3 terminali (base, 3 terminali (base, emettitore, collettore)emettitore, collettore) formato dalla formato dalla combinazione combinazione n-p-nn-p-n o o p-n-pp-n-p di di materiale semiconduttoremateriale semiconduttore

• L’L’effettoeffetto transistortransistor consiste consiste nell’nell’iniezioneiniezione modulatamodulata di portatori di portatori dall’emettitore al collettore (dall’emettitore al collettore (elettronielettroni nel nel transistor npntransistor npn e e lacunelacune nel nel pnppnp))

Emettitore

Collettore

Base

Substrato di

germanio

Importanza dell’elettronica dello stato solido

• Tempo di vita, dimensioni, Tempo di vita, dimensioni, integrazione, frequenza di integrazione, frequenza di

lavorolavoro i vantaggi nei i vantaggi nei confronti delle valvoleconfronti delle valvole

Transistor

Transistor11

00

00

11

AmplificazioneAmplificazione

Inverter logicoInverter logico

• Funzioni fondamentali del transistor:Funzioni fondamentali del transistor:

• Amplificazione di correnteAmplificazione di corrente

• Inverter logico Inverter logico Elettronica Elettronica digitaledigitale

Stato dell’arte dei Circuiti Integrati: microprocessori

Intel 4004 (1971)Intel 4004 (1971)• 108 kHz108 kHz• Transistors: 2300Transistors: 2300• Tecnologia: 10 Tecnologia: 10 mm

Intel 8086 (1979)Intel 8086 (1979)• 10 MHz10 MHz• Transistors: Transistors:

2900029000• Tecnologia: 3 Tecnologia: 3 mm


134000134000• Tecnologia: 1.5 Tecnologia: 1.5

mm


275000275000• Tecnologia: 1.0 Tecnologia: 1.0

mm

• Nel 1959 nasce il circuito integrato dall’idea di realizzare Nel 1959 nasce il circuito integrato dall’idea di realizzare tutti i componenti di un tutti i componenti di un circuitocircuito elettronicoelettronico su uno stesso substrato composto da su uno stesso substrato composto da un unico materiale un unico materiale

semiconduttoresemiconduttore

Intel 80486 (1989)Intel 80486 (1989)• 50 MHz50 MHz• Transistors: 1.2 milioni Transistors: 1.2 milioni • Tecnologia: 1.0 Tecnologia: 1.0 mm

Intel Pentium (1993)Intel Pentium (1993)• 200 MHz200 MHz• Transistors: 3.1 milioni Transistors: 3.1 milioni • Tecnologia: 0.35 Tecnologia: 0.35 mm

Intel Pentium Pro (1995)Intel Pentium Pro (1995)• 266 MHz266 MHz• Transistors: 5.5 milioniTransistors: 5.5 milioni• Tecnologia: 0.35 Tecnologia: 0.35 mm

Microprocessori

OggiOggi

Intel Pentium IV (2002)Intel Pentium IV (2002)•3060 MHz3060 MHz•55 milioni transistors55 milioni transistors•Tecnologia: 0.13 Tecnologia: 0.13 mm

AMD Athlon XP (2002)AMD Athlon XP (2002)•2167 MHz2167 MHz•54.3 milioni 54.3 milioni transistorstransistors•Tecnologia: 0.13 Tecnologia: 0.13 mm

Integrazione elettronica: leggi di Moore (1965)

0,1

1

10

1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010

Dim

ensi

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nsi

stor

(m

)

1000

104

105

106

107

108

109

0,01

0,1

1

10

100

1000

104

1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010

Tra

nsi

stors

per

chip

Frequenza

di la

voro

(MH

z)

4004

8086

80286

8038680486

Pentium

Pentium IV

• Il miglioramento tecnologico Il miglioramento tecnologico elettronico è dovuto ad un elettronico è dovuto ad un

aumento esponenziale aumento esponenziale dell’integrazionedell’integrazione

• Il Il numero di transistornumero di transistor in un in un chip e la sua chip e la sua frequenza frequenza

massima di funzionamentomassima di funzionamento raddoppianoraddoppiano ogni circa 2 anniogni circa 2 anni (attualmente 55 milioni e 3.06 (attualmente 55 milioni e 3.06

GHz)GHz)

• La La dimensione della regione dimensione della regione attiva di un transistorattiva di un transistor in un in un

circuito integrato circuito integrato diminuisce diminuisce del 30% ogni 3 annidel 30% ogni 3 anni

LSI VLSI ULSI

• LSILSI: Large Scale Integration: Large Scale Integration

• VLSIVLSI: Very Large Scale Integration: Very Large Scale Integration

• ULSIULSI: Ultra Large Scale : Ultra Large Scale IntegrationIntegration

Vantaggi della tecnologia del silicio

La La tecnologia del siliciotecnologia del silicio è divenuta la tecnologia dominante per l’ è divenuta la tecnologia dominante per l’elettronicaelettronica a a causa di:causa di:

• Disponibilità praticamente Disponibilità praticamente illimitata del materialeillimitata del materiale

• Relativa Relativa facilità di realizzazione di cristallifacilità di realizzazione di cristalli con bassa densità di difetti con bassa densità di difetti

• Buone Buone proprietà ottiche ed elettricheproprietà ottiche ed elettriche che lo rendono adatto alla che lo rendono adatto alla realizzazione di un realizzazione di un amplissimo set di dispositiviamplissimo set di dispositivi

• Un ossido Un ossido SiOSiO22 (banda proibita pari a 8 eV) dalle eccellenti proprietà: (banda proibita pari a 8 eV) dalle eccellenti proprietà:

• Ottimo isolante elettricoOttimo isolante elettrico

• OttimoOttimo passivantepassivante nei confronti del silicio nei confronti del silicio

• BarrieraBarriera contro le impurità contro le impurità

• ProcessiProcessi di realizzazione di realizzazione ad elevata ad elevata controllabilitàcontrollabilità

Tecnologia di purificazione

Processo di Processo di purificazionepurificazione

(Siemens 1951)(Siemens 1951)

Si grado Si grado elettronico elettronico

policristallinopolicristallino

Si grado Si grado elettronico elettronico

monocristallinomonocristallino

SiOSiO22 (quarzite) (quarzite)

PolicristallinoPolicristallino

MonocristallinoMonocristallino

Fetta di Si Fetta di Si monocristallinomonocristallino

MacinaturaMacinatura

TornituraTorniturae taglioe taglio

Lappatura eLappatura elucidaturalucidatura

CzochralskiCzochralski

Fetta di silicioFetta di silicio

(wafer)(wafer)

Processo Czochralski

• Introdotto dalla Introdotto dalla Texas InstrumentsTexas Instruments nel nel 19521952, , permette la realizzazione di un monocristallo di silicio permette la realizzazione di un monocristallo di silicio

((1 impurità su 1 miliardo di atomi1 impurità su 1 miliardo di atomi) da silicio ) da silicio policristallino di grado elettronicopolicristallino di grado elettronico

Fusione del policristallo nel crogiolo realizzato Fusione del policristallo nel crogiolo realizzato in grafite rivestita in quarzo SiOin grafite rivestita in quarzo SiO22

Aggiunta di drogante: Boro (p-Si); Fosforo o Aggiunta di drogante: Boro (p-Si); Fosforo o Arsenico (n-Si)Arsenico (n-Si)

Accrescimento controllato del seme Accrescimento controllato del seme preorientatopreorientato

Barra di monocristallo di 6-12 pollici (15-30 Barra di monocristallo di 6-12 pollici (15-30 cm) di diametro e circa 100cm di lunghezzacm) di diametro e circa 100cm di lunghezza

Processo Czochralski

• Temperatura di Temperatura di fusione Si 1414 °Cfusione Si 1414 °C

• Controllo del gradiente Controllo del gradiente di temperatura lungo il di temperatura lungo il

fusofuso

• Processo in atmosfera Processo in atmosfera di gas inerte di gas inerte

• Crogiolo realizzato con Crogiolo realizzato con elementi elementi

elettricamente inattivi elettricamente inattivi nel silicionel silicio

• Elevato controllo della Elevato controllo della rotazione e della rotazione e della

trazione del lingottotrazione del lingotto

Processo CzochralskiSeme cristallino

Monocristallo

Crogiolo in quarzo

Camera

Schermo termico

Riscaldatore

Crogiolo in grafite

Supporto

Basamento

Elettrodo

Reattore in dettaglio

Parametri fondamentali di processoParametri fondamentali di processo

• Velocità di rotazioneVelocità di rotazione

• Velocità di trazioneVelocità di trazione

• Controllo della temperaturaControllo della temperatura

Processi meccanici

Decappaggio delle estremitàDecappaggio delle estremità Rettificazione del lingottoRettificazione del lingotto

Taglio del lingotto tramite Taglio del lingotto tramite seghe circolari o a filo in dischi seghe circolari o a filo in dischi (wafers) dello spessore di 200-(wafers) dello spessore di 200-

450 450 mm

Lappatura Lappatura meccanica di una meccanica di una

facciafaccia

Lucidatura per Lucidatura per via chimica (via chimica (soda soda causticacaustica) di una ) di una

facciafaccia

Controllo dell’orientazione Controllo dell’orientazione cristallografica tramite cristallografica tramite diffrazione da raggi Xdiffrazione da raggi X

100100 111111

Tecnologia planare

• FotolitografiaFotolitografia

• Esposizione + rimozione selettivaEsposizione + rimozione selettiva

• Ossidazione termica

• Crescita epitassiale

• Impiantazione ionica

• Diffusione termica

• Metallizzazione

Progetto CADProgetto CAD

Maschere diMaschere diproduzioneproduzione

waferwafer

Testing su waferTesting su wafer

PackagingPackagingTesting su chipTesting su chip

La tecnologia elettronica odierna si fonda su una La tecnologia elettronica odierna si fonda su una metodologia di tipo planare Realizzazione metodologia di tipo planare Realizzazione

dei dispositivi su un’unica faccia del waferdei dispositivi su un’unica faccia del wafer

Fotolitografia• Tecnica per la Tecnica per la realizzazione di microstrutturerealizzazione di microstrutture sul substrato sul substrato

semiconduttore attraverso semiconduttore attraverso mascheremaschere

• Con l’applicazione in sequenza con maschere tra loro allineate si realizza Con l’applicazione in sequenza con maschere tra loro allineate si realizza il il Circuito IntegratoCircuito Integrato

• La risoluzione dell’ottica nel processo di fotolitografia è il processo La risoluzione dell’ottica nel processo di fotolitografia è il processo limitantelimitante della dimensione minima dei dispositivi (attualmente la della dimensione minima dei dispositivi (attualmente la tecnologia si attesta su 0.13 tecnologia si attesta su 0.13 m)m)

1.1. Deposizione resistDeposizione resist chimicamente fotosensibilechimicamente fotosensibile (PMMA)(PMMA)

2.2. Esposizione del fotoresist attraverso la Esposizione del fotoresist attraverso la maschera a luce UVmaschera a luce UV (153 nm) (153 nm)

3.3. Sviluppo del resist espostoSviluppo del resist esposto

4.4. Attacco chimico selettivoAttacco chimico selettivo

Fotolitografia: esposizione UV

• Tre tecniche di esposizione:Tre tecniche di esposizione:

• Esposizione per Esposizione per contattocontatto (danneggiamento maschere) (danneggiamento maschere)

• Esposizione per Esposizione per prossimitàprossimità (ingrandimento 1:1 del circuito) (ingrandimento 1:1 del circuito)

• Esposizione Esposizione attraverso stepperattraverso stepper (ottica di esposizione) (ottica di esposizione)

Fotoresist

QuarzoCromo

Ossido di silicio

Wafer di silicio

Radiazione UV

Esposizione per prossimitàEsposizione per prossimità Esposizione attraverso stepperEsposizione attraverso stepper

Radiazione UV

Maschera N:1

Ottica

Wafer con resist

Immagine

Crescita epitassiale

NN22

HH22 HClHCl SiClSiCl44+H+H22

Drogante+HDrogante+H22

Bobine a radiofrequenzaBobine a radiofrequenza

Wafer di silicioWafer di silicio

• Dal greco Dal greco epiepi (sopra) + (sopra) + taxistaxis (struttura ordinata) (struttura ordinata)

• Crescita di un semiconduttore monocristallino (intrinseco o Crescita di un semiconduttore monocristallino (intrinseco o drogato) su di un substrato semiconduttoredrogato) su di un substrato semiconduttore

OmoOmoepitassiaepitassia EteroEteroepitassiaepitassia

(stesso semiconduttore) (semiconduttore (stesso semiconduttore) (semiconduttore differente)differente)

• Epitassia da fase vapore (VPE)

• Epitassia da fase liquida (LPE)

• Epitassia da fasci molecolari (MBE)

Tecniche di drogaggio: impiantazione ionica

• Fascio di atomi droganti impiantati ad alta energia nel wafer di Fascio di atomi droganti impiantati ad alta energia nel wafer di siliciosilicio

• Controllo accurato della dose impiantataControllo accurato della dose impiantata

• Parametri fondamentali:Parametri fondamentali:• Energia di accelerazioneEnergia di accelerazione (dipendenza (dipendenza crescentecrescente della della profondità)profondità)

• Massa dello ione incidenteMassa dello ione incidente (dipendenza (dipendenza decrescentedecrescente della della profondità)profondità)

• Massa dell’atomo bersaglioMassa dell’atomo bersaglio

Acceleratore (5-200 keV)Acceleratore (5-200 keV)

Spettrometro di massaSpettrometro di massa

Fascio di ioniFascio di ioni

Deflessione orizzontaleDeflessione orizzontalee verticalee verticale

Wafer di SiWafer di Si

Misura della correnteMisura della corrente(ioni impiantati/sec)(ioni impiantati/sec)

Sorgente di ioniSorgente di ioni

Penetrazione media

Varianza di profondità

Varianza

laterale

SilicioVuoto

ione

Energia (eV)

Metallizzazione• Processo necessario per la Processo necessario per la connessione connessione elettricaelettrica di tutti i dispositivi presenti nel circuito di tutti i dispositivi presenti nel circuito integratointegrato

• Metallizzazione si realizza tramite le tecniche di Metallizzazione si realizza tramite le tecniche di deposizione:deposizione:• Evaporazione termicaEvaporazione termica processo termico basato processo termico basato

sull’evaporazione del metallo se portato alla temperatura di fusionesull’evaporazione del metallo se portato alla temperatura di fusione

• SputteringSputtering tecnica a bassa temperatura basata sul tecnica a bassa temperatura basata sul bombardamento di un bersaglio metallico al fine di estrarre da questo bombardamento di un bersaglio metallico al fine di estrarre da questo gruppi di atomi (clusters) che, successivamente, si depositano sul gruppi di atomi (clusters) che, successivamente, si depositano sul substratosubstrato• Deposizione di materiali Deposizione di materiali amorfiamorfi

(non interessa la struttura (non interessa la struttura cristallina, ma la continuità cristallina, ma la continuità

elettrica)elettrica)

• Per anni utilizzato l’Per anni utilizzato l’alluminioalluminio, , recentemente il recentemente il ramerame

elevata conducibilità termicaelevata conducibilità termica

Realizzazione di un transistor

Substrato pSubstrato p


Silicio nSilicio n

Crescita epitassiale nCrescita epitassiale n


Silicio nSilicio n

SiOSiO

22

ResistResist

pppp


nnpppp pp


nnpppp pp

nn++


nnpppp pp

EE BB CCMetalloMetallo

Drogaggio: diffusione p per Drogaggio: diffusione p per pozzetti di isolamentopozzetti di isolamento

Drogaggio: Drogaggio: impiantazione p per base impiantazione p per base

del transistordel transistor

Drogaggio: impiantazione nDrogaggio: impiantazione n++ per emettitore e collettoreper emettitore e collettore

MetallizzazioneMetallizzazione

Testing e PackagingSubstrato a fine processoSubstrato a fine processo Collaudo automaticoCollaudo automatico

Identificazione Identificazione chip difettosichip difettosi

Metallizzazioni esterne Metallizzazioni esterne (bonding) e packaging(bonding) e packaging

Taglio del substrato Taglio del substrato nei singoli chip nei singoli chip

(laser)(laser)

Chiusura del packageChiusura del package

Banda di valenzaBanda di valenza

Banda di conduzioneBanda di conduzione

BandaBandaproibitaproibita

Applicazioni: celle fotovoltaicheApplicazioni: celle fotovoltaiche

• MonocristallinoMonocristallino: rendimento 18-23%, : rendimento 18-23%, costo 100 €/kgcosto 100 €/kg

• PolicristallinoPolicristallino: rendimento 12-14%, : rendimento 12-14%, vita media 25-30 annivita media 25-30 anni, costo 10 €/kg, costo 10 €/kg

• AmorfoAmorfo: rendimento 7%, : rendimento 7%, vita media vita media 10 anni10 anni, costo minimo, costo minimo

Silicio policristallinoDifferenza di potenzialeDifferenza di potenziale

Silicio policristallinoSilicio policristallino

Strato antiriflessoStrato antiriflesso

Giappone, USA, Germania non solo incentivano

l’installazione degli impianti, ma comprano l’energia

ad un prezzo superiore a quello di mercato

• Conversione da energia Conversione da energia elettromagnetica ad energia elettromagnetica ad energia elettricaelettrica

• Contribuisce alla conduzione Contribuisce alla conduzione solo la radiazione con energia solo la radiazione con energia superiore alla banda proibitasuperiore alla banda proibita

LacunaLacuna

ElettroneElettrone

Storia e tecnologia del Silicio Lera dellelettronica Corso di formazione di Scienza dei Materiali.

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