Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
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Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor Base (GeN) Emettito re (GeP) Colletto re (GeP) supporto in plexigla ss Ib Ie Ic E C B
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Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale. Emettitore (GeP). Collettore (GeP). supporto in plexiglass. Base (GeN). Ie. Ic. 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor. C. Ib. E. B. strato epitassiale N =. substrato N+. - PowerPoint PPT Presentation
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Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor
Base (GeN)
Emettitore (GeP)
Collettore (GeP)
supporto in plexiglass
Ib
Ie Ic
E C
B
1 - substrato N+2 - crescita epitassiale N=
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+2 - crescita epitassiale N=
strato epitassiale N =
3 - ossidazione superficiale
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido
1 - substrato N+2 - crescita epitassiale N=
strato epitassiale N =
3 - ossidazione superficiale
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
5 - diffusione P di Boro per la Base
diffusione di Base P
4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
8 - diffusione N+ di Emettitore
diffusione di Base P
6 - ossidazione superficiale7 - attacco acido selettivo
diffusione N+ di Em.
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
diffusione di Base P
9 - ossidazione superficiale
diffusione N+ di Em.
10 - attacco acido selettivo
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
diffusione di Base P
9 - ossidazione superficiale
diffusione N+ di Em.
10 - attacco acido selettivo
11 - metallizzazione superficiale12 - attacco acido selettivo
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
diffusione di Base P
9 - ossidazione superficiale
diffusione N+ di Em.
10 - attacco acido selettivo
11 - metallizzazione superficiale12 - attacco acido selettivo E B
COLLETTORE
E B
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale13 - separazione dei chip14 - saldatura nel package15 - saldatura dei contatti
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
struttura interdigitata
