Optoelettronica Assenza di interferenza em con fenomeni elettrici Indipendenza dei segnali luminosi...

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Optoelettronic a Assenza di interferenza em con fenomeni elettrici Indipendenza dei segnali luminosi Parallelismo nella trasmissione (trasmissione di matrici 2D) Alta banda passante (frequenza) fino a 10 14 Hz Possibilità di operare con trasformazioni direttamente sul segnale (FT con lenti, proprietà spettrali) Basso scattering Possibilità di interazioni nonlineari

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Optoelettronica

Assenza di interferenza em con fenomeni elettrici

Indipendenza dei segnali luminosi

Parallelismo nella trasmissione (trasmissione di matrici 2D)

Alta banda passante (frequenza) fino a 1014Hz

Possibilità di operare con trasformazioni direttamente sul segnale (FT con

lenti, proprietà spettrali)

Basso scattering

Possibilità di interazioni nonlineari

Facilità di accoppiamento elettronica-ottica

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Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De MatteisLM Fisica A.A.2013/14

Assorbimento ottico nei semiconduttori

32

2/32

02

2 2

2n

π

Eωm

ω

p

mc

πe=ωα

grcv

or

1

2/3

0

6100.53.5

cm

ω

m

mxωα

gr

Le transizioni dirette sono circa 100 volte più efficienti di quelle indirette (transizione al I ordine perturbativo)Le transizioni indirette hanno una forma più complessa e sono fenomeni al II ordine perturbativo e quindi meno probabili

eVE=

E

hc=μmλ

ggc

1.24

assorbitaIntensitàFrazione=Lexp )( 1

2

1

0 LL L0 Lunghezza di penetrazione

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Rate di generazione di coppie

2

0cm

WeP=xP αx

optopt dxαxP=xdP optopt

Variazione di Intensità in uno spessore dx = Energia assorbita per unità di tempo per unità d'area

xJα=ω

xPα=G ph

optL

Rate di generazione di portatori per unità di volume. J

ph è il flusso di fotoni

In assenza di campi elettrici o di gradienti di concentrazione la coppia rimane localizzata e finisce per ricombinare. Devo separare la coppia. Variazione della conducibilità o generazione di un potenziale

Si definisce la responsività del dispositivo come:

Ragionando in termine di portatori generati per fotoni assorbiti si ha l'efficienza quantica

WAVe

ωR=

ωP

eJ=η ph

opt

LQ /

/

/

WAP

J=

P

AI=R

opt

L

opt

Lph /

/

Aumentando energia del fotone incidente sopra l'energia di soglia si produce sempre solo una coppia che però sarà termodinamicamente “calda” e tende a cedere l'eccesso di energia in calore. Questo fa sì che la responsività cali (lentamente) all'aumentare dell'energia dei fotoni.Ci sono poi discorsi di densità congiunta di stati elettronici …..

3

Intensità fascio fotoni

adimensionale

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Rivelatori e dispositivi fotovoltaici

3

Potrebbe bastare applicare un campo agli estremi del semiconduttore per separare le cariche . Si ottiene il cosiddetto rivelatore fotoconduttivo. L’eccitazione luminosa aumenta la conducibilità del materiale.Oppure si può sfruttare il campo naturalmente presente su una giunzione p-n polarizzata inversamente. Modo fotovoltaico

Si genera una corrente nella zona di svuotamento originata dai fotoni assorbiti pari a

WAeG=dxGAe=I L

x

LL1 0

Ma bisogna tenere conto anche delle coppie generate nelle regioni di neutralità ad una distanza minore della lunghezza di ricombinazione che possono cadere nella regione di svuotamento ed essere separate

pnLL L+L+WAeG=I

GL

è funzione della penetrazione e quindi bisognerà prendere un valore medio. La fotocorrente così generata scorre nella direzione inversa del diodo.

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Rivelatori fotoconduttivi

L’eccitazione luminosa aumenta la conducibilità del materiale (n e p).

Cut-off a bassa energia pne pn

Definiamo il guadagno di fotocorrente come rapporto della corrente generata su la fotocorrente primaria

t

L

en

dt

dnG

0

Fotocorrente primaria Numero di elettroni generati al secondo

5

eVE=

E

hc=μmλ

ggc

1.24

All’equilibrio generazione e ricombinazione si compensano

WLD

hPnG opt

L

FenFWD

IJ n

phph

h

P

LFeGFeWDI opt

nLnph

h

PeWDLeG opt

L

rtL

FGain

Nel modo fotoconduttivo il diodo è usato per rivelare e misurare la luce. Applico una tensione inversa e misuro la variazione della corrente che scorre nella resistenza di carico RL

Ho interesse a max guadagno:↓ tempo di transito (ma perdo in assorbimento)↑ tempo di vita portatori minoritari (ma perdo in velocità)

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Fotodiodo

hP

eI=

opt

p

/

/

Nel modo fotovoltaico è usato come fotocella ed il potenziale generato (le coppie separate dalla

regione di svuotamento) è misurato su un carico.

Regione di svuotamento sottile alta velocità di risposta (limite in frequenza)

Regione di svuotamento spessa alta efficienza quantica

6

Velocità di risposta determinata da :1. Diffusione dei portatori (giunzione vicino

alla superficie)2. Velocità di spostamento nella regione di

svuotamento3. Capacità della regione di svuotamento

21/modmod sr vLftfFmod=3GHzVs=107cm/s

L=25 m

L’efficienza quantica è determinata dal coefficiente di assorbimentoPer grandi lunghezze d’onda il limite è dato dalla bandgap (1,8m Ge e 1,1m Si ) Per basse lunghezze d’onda l’assorbimento diventa molto alto e la generazione si esaurisce in uno strato superficiale dove la ricombinazione è molto veloce

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Fotorivelatori p-i-nPolarizzazione inversa.

La zona intrinseca è “intrinsecamente” svuotata = non ci

sono cariche libere.

Una coppia generata in zona p+ sente un forte campo

elettrico che la separa. L'elettrone scende giù, la buca

riceve un elettrone dal generatore di polarizzazione

inversa.

Viceversa per una coppia generata in zona n+

Una coppia generata nella zona di svuotamento viene

separata sempre dal campo elettrico in direzioni opposte

αWph

x

LL

eeAJ=

=dxGAe=I

10

0

αxphL eJα=xG 0

Bisogna tenere conto della riflessione sulla superficie di ingresso del fotone (indice di rifrazione alto → alta riflessione R

αWphL eReAJ=I 110

αW

ph

Ldet

eR=

AJ

I=η

11

0

7

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Fotodiodi metallo semiconduttorePer avere alta velocità si usa questa configurazione.

Il metallo ha un’alto assorbimento (ma si usano spessori

molto sottili ~10 nm) ma soprattutto la zona di

svuotamento è data solo dal semiconduttore intrinseco.

Bisogna usare coperture anti riflesso

10 nm Au50 nm ZnS

8

95% fotoni arriva al semiconduttore. Nel visibile e ultravioletto assorbimento molto alto. Si può usare uno strato sottile di Si per minimizzare il tempo di transito

Fotodiodi a valangaUn fotodiodo a valanga è operato in opportuna polarizzazione inversa. La moltiplicazione dei portatori risulta in un alto guadagno di corrente e può arrivare ad alte frequenze di modulazione. Bisogna minimizzare il rumore. Dipende dal rapporto dei coefficienti di ionizzazione per i diversi portatori

0n

p

(per un diodo illuminato dal lato p)

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Celle fotovoltaicheUna cella solare è un dispositivo usato per convertire energia ottica in energia elettrica.Funziona senza una sorgente di tensione esterna e dipende solo dalla potenza ottica per generare corrente e tensione. Circuito equivalente: sorgente di corrente costante IL in parallelo con la giunzione

LB

s ITk

eV

eI=I

1

La curva passa attraverso il IV quadrante quindi si può estrarre potenza dal dispositivo. Spesso si rappresenta rovesciato

9

IL=100mAIs=1nAA=4cm2

T=300K

TkE

p

p

Dn

n

Ais

BgeD

N

D

NneA=I

112

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Applicazioni ad una cella solare

1) Consideriamo in primo luogo il caso di una cella non chiusa su un carico (Circuito aperto)

Ci determiniamo la tensione di circuito aperto V

oc

Ad alta intensità di illuminazione può arrivare al valore di gap (Si 0,7eV)

2) Consideriamo il caso in cui i terminali siano corto circuitati (R=0 e V=0)

1Tk

eV

eII=I B

oc

oL0

0

1lnI

I+

e

Tk=V LB

oc

Lsc I=I=I

Alcuni parametri utili da definire sono:l'efficienza di conversione

conv=P

m/P

in %

Fill Factor

ocsc

mmf VI

VI=F

10

0)(

=dV

VId mm

LB

s ITk

eV

eI=I

1

La massima potenza è ottenuta per valori Im Vm tali che

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Ricerca di nuove soluzioni

Eccitazioni sopra la gap non aumentano l’efficienza; l’eccesso di energia va in calore dissipato. Si capisce, quindi, perché si stanno ricercando soluzioni che spostino il centro di efficienza verso il picco dell'irradianza.

Celle di Graetzel e celle organicheCelle a semiconduttori ad alta gapUp-converter

Oltre che cercare soluzioni per migliorare ulteriormente l'efficienza delle celle fotovoltaiche inorganiche11

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LED: diodo ad emissione di luceIl LED è un diodo p-n polarizzato direttamente. Le cariche minoritarie iniettate ricombinano nella regione di svuotamento o nella regione neutra. Se il diodo è di un materiale a gap diretta la ricombinazione è prevalentemente radiativa.

L'energia emessa è quella di gap. Si vuole andare verso il visibile. Schermi tricolor. La soluzione è nelle leghe: AlGaAs (rosso), GaAsP (giallo/verde), InGaN (blu), SiC

E' importante trovare un buon substrato per non creare dislocazioni e difetti che limitano l'efficienza del dispositivo.

Leghe diverse possono crescere su altre leghe se i parametri reticolari si accordano.

BAlega ax+xa=a 1

nr

r

nrr

rQr

ττ

+=

τ+

τ

τ=η

1

111

1

L'efficienza di un semiconduttore a gap diretta può essere molto prossima a 1. Per semiconduttori a gap indiretta è 2-3 ordini di grandezza inferiore

12

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LED: diodo ad emissione di luceLega ternaria GaAs1-yPy In funzione della frazione molare y la lega ha un transizioni dirette o indirette e valori di gap variabili. Per y>0,45 diventa gap indiretta.Si può ovviare creando dei centri di efficace ricombinazione radiativa con drogaggio N (sostitutivo di P) Si creano livelli trappola poco sotto la banda di conduzione che allungano il tempo di vita del portatore (nr)

La lega è cresciuta epitassiale per minimizzare difetti all’interfaccia su substrato della coppia dominante con uno passaggio graduale

13

Per la composizione a gap indiretta si sfrutta la trasparenza della lega a y 1 per recuperare i fotoni diretti verso il fondo

(Localizzazione implica incertezza su k quindi per questi stati non vale la regola k=0)

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Sorgenti per le comunicazioni ottiche

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Ma è importante anche la zona dell'infrarosso vicino e medio fondamentalmente per le comunicazioni in fibra ottica.L'attenuazione ottica di una fibra ha tre minimi principali: prima finestra: 850 nm (nel campo del visibile), usata soprattutto con economici laser a diodo con luce multimodale seconda finestra: 1310 nm, usata con laser multimodali o monomodali. Permette di realizzare collegamenti di 5 – 10 km su fibre monomodali. terza finestra: 1550 nm, usata con laser monomodali. Questa finestra permette di realizzare le distanze maggiori, compresi collegamenti di 100 km con apparati relativamente economici. Sfruttando questa lunghezza d'onda, una buona fibra monomodale raggiunge una attenuazione dell'ordine degli 0,2-0,25 dB/km

Anche se la terza finestra è quella con la minima attenuazione ottica, grande importanza riveste anche la seconda finestra che, a dispetto di un maggior valore di attenuazione di propagazione, presenta una importantissima proprietà: l'annullamento della dispersione di velocità di gruppo.Quando si produce un impulso ottico inevitabilmente si genera una sovrapposizione di onde monocromatiche. La velocità di gruppo è la velocità di segnale della forma d'onda. Diverse frequenze hanno però velocità di fase diverse. L'impulso tende a deformarsi per questo e la velocità di gruppo è per questo limitata. Nella seconda finestra gli impulsi non si deformano 14

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Iniezione di portatori ed emissione spontaneaIl LED è un diodo p-n polarizzato direttamente. I portatori minoritari iniettati ricombinano radiativamente in opportune condizioni.Generalmente i fotoni generati dagli elettroni emergono dalla superficie mentre quelli delle buche vengono riassorbiti nel dispositivo. pn+

La corrente diretta è dominata dalla corrente di diffusione delle cariche minoritarie. Ci sono tre componenti:Correnti di diffusione di elettroniCorrenti di diffusione di bucheCorrenti di ricombinazione assistita da trappole

122

1

1

Tk

eVexp

τ

Wen=J

Tk

eVexp

L

peD=J

Tk

eVexp

L

neD=J

B

iGR

Bp

npp

Bn

pnn

GRpn

ninj J+J+J

J=γ

Efficienza di iniezione

Se il diodo è pn+ e il materiale è di alta qualità in modo da minimizzare la corrente di ricombinazione, l'efficienza si avvicina all'unità

pnnp JJpn

rheg m

k=

m+

m

k=Eω

2

11

2

2222

15

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Iniezione di portatori ed emissione spontanea

Transizione verticale.La condizione ottimale è se si ha sia l'elettrone che la buca corrispondente disponibili

rheg m

k=

m+

m

k=Eω

2

11

2

2222

19101.51 seVωxWem

Rate di ricombinazione radiativa

eVω=nsτ

0.67

0

Minimo tempo di ricombinazione radiativa

Quando i portatori sono iniettati nel semiconduttorele probabilità di occupazione sono espresse dagli appropriati livelli di quasi-Fermi.In un LED il fotone lascia il dispositivo e la densità di fotoni rimane bassa all'interno.

Più in generale il rate di emissione è dato dall'integrazione del rate di emissione Wem su tutte le coppie elettrone-buca introducendo le appropriate funzioni di quasi-Fermi f e(k) e f h(k)

16

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Emissione spontanea eVω

=nsτ

0.670

Minimo tempo di ricombinazione radiativa

Più in generale vediamo alcuni casi particolari:i. Caso in cui la densità di elettroni e buche è piccola (caso non-degenere) Le funzioni di Fermi possono essere usate nella forma di Boltzmann. Il rate di ricombinazione per emissione spontanea é:

npmTmk

τ=R

heB

rspont

2/32

0

2

2

1

Il tempo di ricombinazione radiativa è lungo in questo caso (centinaia di nanosecondi)Al crescere di p si accorcia

ii. Caso in cui gli elettroni sono iniettati in una zona fortemente drogata di buche. La funzione f h può essere assunta unitaria. Il livello di quasi-Fermi si avvicina alla banda (di valenza) fino a sovrapporsi.

nm

m

τR

h

rspont

2/3

0

1

Ci avviciniamo al caso ideale del minimo tempo di ricombinazione radiativa per il portatore minoritario

La ricombinazione radiativa dipende dal tempo di ricombinazione radiativo così come da quello nonradiativo. → ridurre la densità di difetti migliorando la qualità delle superfici e delle interfacce

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Principi del laser a semiconduttoreIl diodo laser a semiconduttore è costituito da una giunzione polarizzata direttamente come nel LED.La differenza sta nel ruolo giocato dalla emissione stimolata

W emst ( )= W em ( ) n fot ( ) Cavità ottica per mantenere la radiazione all’interno

del semiconduttore. L'emissione si concentra su pochi modi (frequenza e spaziali) di radiazione che vengono selezionati dalla geometria e dalla fisica del dispositivo

Facce piatte, parallele e otticamente lisce funzionano da specchi della cavità laser.La regione attiva è costruita in modo da costituire una guida d'onda planare o canale.Elettroni sono pompati in banda di conduzione e buche in banda di valenza → INVERSIONE DI POPOLAZIONE

Il coefficiente di guadagno è definito come emissione – assorbimento. L'emissione contiene f e(Ee) e f h(Eh) mentre l'assorbimento il prodotto (1-f e(Ee)) e (1-f h(Eh))

gh

rv

h

ge

rc

e

Eωm

mE=E

Eωm

m+E=E

18

phsp

emst

em nWW

rnN

L0

2

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Principi del laser a semiconduttore

W emst ( )= W em ( ) n fot ( )

Il coefficiente di guadagno è definito come emissione – assorbimento. L'emissione contiene f e(Ee) e f h(Eh) mentre l'assorbimento il prodotto (1-f e(Ee)) e (1-f h(Eh))

1

11

hhee

hheehhee

Ef+Ef=

EfEfEfEfωg

xωgfotfot eI=xI 0

Se g è positivo si ha guadagno e l'intensità luminosa cresce avanzando nello strato.Dobbiamo avere INVERSIONE

1>Ef+Ef hhee

I livelli di quasi-Fermi devono penetrare le rispettive bande perché la condizione sia soddisfatta

1

2/1

4 1105.7

cmEf+Efω

Eωxωg hheeg

Bisogna però considerare anche le sorgenti di perdita in cavità

19

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Bilancio di guadagno otticoCi sono diverse sorgenti di perdita di fotoni in cavità. Portatori liberi possono assorbire luce in entrambe le bande contribuendo con un termine di perdita

loss assieme a vari altri contributi dovuti a difetti.

Ma anche i fotoni che comunque emergono dal dispositivo sono visti come una perdita R

Se R è il coefficiente di riflessione dello specchio in cavità, la frazione di fotoni persi dopo aver viaggiato una distanza L è (1-R).Il coefficiente è allora definito da:

2

2

1

1

+n

n=R

R ~ 33% per GaAs (n=3.66)

La condizione di soglia si ha quando il guadagno uguaglia le perdite

L

Rα=ωg loss

ln

20

Anche il confinamento laterale è importante.Confronto tra omo- ed etero-giunzioni

RL

R=L

e

R

R

ln1

11

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Dinamica del diodo laser

e

JA=Rate di arrivo di elettroni nella

regione attiva

nAd=

r

lasRate di ricombinazione radiativa nella regione attiva

Assumendo un'efficienza radiativa pari ad uno ed uguagliando

Che a soglia diventa

las

r

ed

JJτ=n

las

thrthth ed

JτJ=n

04τJτr ~ 2 ns per un laser a GaAs

21

Anche se la corrente iniettata cresce sopra la soglia, la densità di portatori satura al valore di soglia perché contemporaneamente aumenta la emissione stimolata e quindi il tempo di vita radiativa si accorcia