Estensione della teoria delle antenne al dominio...

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Estensione della teoria delle antenne al dominio ottico A.-D. Capobianco 1 , G.F. Nalesso 1 A. Locatelli 2 , C. De Angelis 2 , D. Modotto 2 M. Midrio 3 , S. Boscolo 3 1 DEI, Università di Padova, ITALY 2 DII, Università di Brescia, ITALY 3 DIEGM, Università di Udine, ITALY

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Estensione della teoria delle antenne

al dominio ottico

A.-D. Capobianco1, G.F. Nalesso1

A. Locatelli2, C. De Angelis2, D. Modotto2

M. Midrio3, S. Boscolo3

1DEI, Università di Padova, ITALY

2DII, Università di Brescia, ITALY 3DIEGM, Università di Udine, ITALY

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Sommario C

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• Introduzione

• Antenne ottiche: caratteristiche peculiari

• Modello dell’equazione integrale

• Paradigma dei nanocircuiti: impedenza di ingresso

• Incremento della concentrazione di campo

• Antenna ottica accordabile

• Conclusioni

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Introduzione (1)

• Il continuo sviluppo tecnologico di componenti elettronici ed ottici su scala nanometrica ha portato ad una intensa attività di ricerca nel campo della "plasmonica"

• Problema chiave: come si può accoppiare la luce che si propaga in spazio libero con oggetti nanometrici ?

• Soluzione: antenne ottiche !

• Applicazioni: la comunicazione “on-chip”, la memorizzazione dei dati ad alta densità, sorgenti di luce innovative, celle solari, la spettroscopia / microscopia, e così via

U-NII low U-NII high

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Introduzione (2) C

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Potenziali applicazioni: celle solari a film sottile di futura generazione

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Introduzione (3) C

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Stato dell’arte:

Antenna a monopolo su una sonda a fibra ottica

Taminiau et al., Nature Phot. 2, 2008

Antenna Bow-tie Yu et al., Opt. Express 15, 2007

Schiera di nanoantenne Vecchi et al., PRL 102, 2009

Dipolo in oro con gap di 4nm Ghenuche et al., PRL 101, 2008

Gap

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Caratteristiche peculiari

Le equazioni di Maxwell sono scala-invarianti, tuttavia le regole di progettazione di antenne “convenzionali”, pur riscalate, non possono funzionare nel dominio ottico

Questo è dovuto alle proprietà dei metalli a frequenze ottiche:

sono conduttori buoni ma non perfetti

si comportanto come mezzi fortemente dispersivi, con perdite e costanti dielettriche negative

Vanno quindi trattati secondo il ben noto modello di Drude

Stato dell’arte dei processi di nanotecnologie

La fabbricazione di barre sottili su scala naometrica e difficoltosa

Le strutture risultanti sono di fatto conduttori spessi

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Modello dell’equazione integrale(1) C

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Optical dipole

Si assume che la corrente indotta nel nano-

dipolo da un campo elettrico incidente

(comportamento in ricezione) o dal campo

elettrico che scaturisce dall’imposizione di una

tensione “ai morsetti” (comportamento in

trasmissione) sia sostanzialmente superficiale.

szz ZzIazEazEin

)(),(),(

Nel dominio ottico è fondamentale sostituire al concetto di

impedenza di parete di un buon conduttore quello di

l’impedenza di superficie del modo plasmonico di una “barra

cilindrica” di metallo non perfetto

La condizione al contorno che deve

essere soddisfatta dal campo elettrico

totale sulla superficie del nano-dipolo è:

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Modello dell’equazione integrale(2) C

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Seguendo poi gli stessi passaggi ben noti a RF si perviene

alla equazione di Pocklington nel dominio ottico

Per la sua risoluzione:

Si fa uso di una eccitazione del tipo “delta-gap”: Ezin è

fissato nel gap per avere una sorgente da 1 Volt

Tramite il Metodo dei Momenti (MoM) si ricava la

distribuzione di corrente I(z)

Si valuta quindi l’impedenza di ingresso Zin come V/I(z=0);

Si valuta quindi la caduta di tensione nel gap Vgap attraverso

la ben nota formula della lunghezza efficace Leff :

2/

2/

')'()0(

1L

L

eff dzzII

LeffZgap LEV

in

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Confronto con simulazioni “full-wave” C

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Optical dipole

Uso di COMSOL Multiphysics (FEM based)

E’ possibile simulare l’eccitazione ai morsetti in

assenza del gap (si impone la tensione V)

La corrente I(z) si ricava dalla circuitazione di Hφ

Dai valori di V e I(0) si ricava l’impedenza

intrinseca del nano-dipolo Zdip

Struttura di riferimento (Engheta et al., Phys. Rev. Lett. 101, 2008):

• dipolo di argento (fp = 2.175 PHz, γ = 4.35 THz, ε∞ = 5);

• L = 110 nm, a = 5 nm, g = 3 nm;

• Banda di interesse: da 200 a 700 THz (1500 - 430 nm)

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Paradigma dei nanocircuiti C

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Effetti del gap (non trascurabili !)

Modellazione come elemento nanocircuitale:

• La regione compresa nel gap si comporta come un condensatore piano convenzionale

• Molti concetti presi dalla teoria dei circuiti possono essere usati a frequenze ottiche (Engheta et al., Phys. Rev. Lett. 95, 2005).

• I nano-dipoli ottici sono modellati usando modelli circuitali standard !

Circuit model in Tx mode

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Impedenza di ingresso (1) C

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Resistenza di ingresso:

Simulazioni FEM (linea blu, Rdip)

Parallelo tra Zdip e Zc (linea rossa, Rin)

Risultati dalla soluzione dell’equazione di Pocklington alle frequenze ottiche (linea nera)

Rdip

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Impedenza di ingresso (2)

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Xdip

Reattanza di ingresso:

Simulazioni FEM (linea blu, Xdip)

Parallelo tra Zdip e Zc (linea rossa, Xin)

Risultati dalla soluzione dell’equazione di Pocklington alle frequenze ottiche (linea nera)

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Incremento della concentrazione di campo(1)

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Incremento di campo elettrico:

|Leff|/g dalle simulazioni FEM in trasmissione (linea blu)

|Vgap|/(g Ezin) dalla formula del partitore di tensione (linea verde)

|E(0,0,0)|/Ezin dalle simulazioni FEM in ricezione (linea rossa);

|Leff|/g valutato dalla soluzione dell’equazione di Pocklington alle frequenze ottiche (linea nera)

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Incremento della concentrazione di campo(2)

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L’accordo tra diverse tecniche di modellazione è eccellente

In particolare, l'accordo è di tipo qualitativo e quantitativo

La soluzione dell'equazione di Pocklington è efficiente, ed i

risultati sono esatti (Capobianco et al., Opt. Express, v.17, n.19, 2009)

Il paradigma dei nano-circuiti permette di semplificare l'analisi,

sfruttando utili strumenti presi dalla teoria dei circuiti

Limitazioni:

il modello di equazione integrale è preciso solo per antenne

filari (rapporto di formato fino a circa 5)

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Applicazione avanzata Nano-dipolo ottico inserito in un mezzo anisotropo uniassico

• nano-dipolo di argento lungo 82nm (2nm di gap) e con diametro di 10nm

• CL nematico E7 tra 2 piatti di vetro paralleli

• a riposo le molecole del CL sono parallele all’asse x

• applicando un voltaggio V tra i piatti le molecole del CL si orientano lungo l’asse z

• il CL nematico si comporta come un mezzo anisotropo uniassico con indici no=1.49 e ne=1.75 C

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Risultati(1) • Le curve blu continua/ tratteggiata corrispondono all’assenza/presenza di tensio-ne esterna applicata

•Le curve rosse corrispondono a 2 casi isotropi con n = no e

n = ne

•Nota: nel caso anisotropo l’autoimpedenza varia poco se i direttori del CL sono paralleli o meno alla nano-antenna, differentemente dai 2 casi isotropi di riferimento

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Risultati(2) • Anche l’altezza efficace nel caso anisotropo cambia poco se si applica o meno la tensione esterna ai piatti della cella

•Il carico ZL puramente capacitivo (che rappresenta l’effetto dell’accoppiamento tra i 2 bracci dell’antenna) al contrario varia in maniera sensibile a seconda dell’appli-cazione o meno della tensione esterna

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Risultati(3)

• Questa caratteristica offerta dall’anisotropia del CL nematico consente quindi di regolare la frequenza di risonanza della nano-antenna agendo sulla tensione esterna di controllo !

• L’effetto congiunto della variazione

(debole) dell’auto-impedenza e

(marcata) del carico con la presenza

o meno della tensione esterna,

produce un sensibile spostamento in

frequenza del picco dell’incremento

di campo elettrico

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Conclusioni

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La definizione di impedenza di ingresso per le

antenne ottiche è stata valutata sfruttando simulazioni FEM

Un modello di equazione integrale è stato usato

per predire quantitativamente sia impedenza di ingresso che

incremento di campo nel gap di antenne filari ottiche

Il paradigma recentemente proposto dei nano-circuiti è

stato applicato al fine di modellare correttamente

l'effetto del gap

L’applicazione di queste tecniche permette la

progettazione, ad esempio, di nano-dipoli sintonizzabili

mediante controllo esterno