Elettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei...
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Elettronica dello Stato Solido
Lezione 11: Statistica dei portatori
Daniele Ielmini
DEI – Politecnico di Milano
Outline
2D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11
• Densità di portatori in
– Metalli
– Semiconduttori/isolanti
• Densità di stati in approssimazione parabolica (1D, 2D, 3D)
• Statistica di particelle
– Fermi-Dirac
– Bose-Einstein
– Maxwell-Boltzmann
• Conclusioni
Introduzione
• Per calcolare la densità di corrente di
elettroni j = -qnv nei semiconduttori/metalli
abbiamo bisogno di:
– Velocità v = mF
– Densità di portatori n che partecipano al
trasporto banda di conduzione
• La densità di portatori si ottiene come
prodotto di densità di stati per probabilità
di occupazione, da integrare sull’energia
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 3
( ) ( )
CE
n g E f E dE
Metalli
• Il livello di Fermi (potenziale chimico degli elettroni nel solido, funge da confine tra stati occupati e vuoti) è allineato con una banda la banda è parzialmente piena alta conducibilità elettrica e termica
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 4
k
E
EC
E
g(E)EV
E
f(E)
EF
Semiconduttori/isolanti
• Il livello di Fermi (potenziale chimico degli elettroni nel solido, funge da confine tra stati occupati e vuoti) è allineato con un gap la banda è completamente piena (valenza) o vuota (conduzione) a T = 0 K, bassa conducibilità elettrica e termica
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 5
k
E
EC
E
g(E)EV
E
f(E)
EF
Outline
6D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11
• Densità di portatori in
– Metalli
– Semiconduttori/isolanti
• Densità di stati in approssimazione parabolica (1D, 2D, 3D)
• Statistica di particelle
– Fermi-Dirac
– Bose-Einstein
– Maxwell-Boltzmann
• Conclusioni
Struttura a bande reale
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 7
Approssimazione parabolica
• Dato che i fenomeni di trasporto e ottici avvengono normalmente in corrispondenza del fondo/apice della banda di conduzione/valenza, è legittimo adottare l’approssimazione parabolica
per ricavare una formula analitica per la densità di stati g(E)
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 8
22
2 C
e
E E km
Densità di stati 1D
• Condizioni periodiche al
contorno:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 9
k
E
+p/a-p/a
0
20 1
( ) ( )
( ) ( )
ikNa ikNa
Na
u Na e u e k nNa
p
0 1 22
, , ,..., N
n
• Due stati sull’asse k distano pertanto
e la densità è
2 k
Na
p
1 2 1 22
2( )
/
s
dk dkg k dk g dk
k Na Na
p p
Lunghezza tra k e k+dk
SpinVolume cristallo
Densità di stati 1D
• Densità in energia:
• Relazione E-k:
• Quindi
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 10
k
E
+p/a-p/a
2 22
2 C
e e
dEE E k k
m dk m
1 2
22 1( ) ( )
e eD
C
m mdkg E g k
dE k E Ep p
( ) ( )g E dE g k dk
EC
EV
g(E)
E
Densità di stati 2D
• Condizioni periodiche al contorno:
• Volume associato allo stato k:
• Quanti stati tra k e k+dk?
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 11
1 1 2 2
1 1 2 2
2 2, k n k n
N a N a
p p
2 2
2
1 1 2 2
2 2
k
N a N a
p p
2
2 12
2( )
/
kdk kg k dk dk
p
pp
Area tra k e k+dk
SpinVolume (area) del cristallo
k1
k2
E
k1
k2
dkk=(k1
2+k22)1/2
Densità di stati 2D
• Relazione E-k:
• Quindi:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 12
2 2 2( ) ( ) ( )
e eD
m mkg E dE g k dk g E
kp p
k1
k2
E
2 2 2
2 2 2
1 22 2
C C
e e e
dEE E k k E k k
m m dk m
k1
E
+p/a1-p/a1
EC
EV
g(E)
E
Densità di stati 3D
• Condizioni periodiche al contorno:
• Volume associato allo stato k:
• Quanti stati tra k e k+dk?
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 13
1 1 2 2 3 3
1 1 2 2 3 3
2 2 2, , k n k n k n
N a N a N a
p p p
3 3
3
1 1 2 2 3 3
2 2
k
N a N a N a
p p
2 2
3 2
4 12
2( )
/
k dk kg k dk dk
p
pp
Volume tra k e k+dk
SpinDensità per area unitaria
k1
k2
k3
k1
k2
k3
Densità di stati 3D
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 14
k1
k2
k3
k1
E
+p/a1-p/a1
EC
EV
g(E)
E
• Relazione E-k:
• Quindi:
3 22
3 2 2 2 3
2
2
/
( ) ( ) ( )
ee
D C
mmkg E dE g k dk g E E E
kp p
2 2 2
2 2 2 2
1 2 32 2
C C
e e e
dEE E k k k E k k
m m dk m
Massa efficace DOS
• Banda di conduzione:
• Banda di valenza:
• Le masse m*n e m*p sono chiamate masse
efficaci DOS (density of states)
• Per minimi/massimi unici (G) e isotropi le masse
DOS coincidono con la massa del portatore, e.g.
m*n = m*e per la banda di conduzione del GaAsD. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 15
3 2
2 3
2
2
/
( )
n
C C
mg E E E
p
EC
EV
g(E)
E
3 2
2 3
2
2
/
( )
p
V V
mg E E E
p
Casi degeneri/anisotropi
• Per casi degeneri (e.g. valli multiple in banda di conduzione) e/o anisotropi (e.g. masse trasversali e longitudinali), dobbiamo ricavare una massa DOS tale che la sfera di Fermi equivalente (m*n isotropa) contenga lo stesso numero di stati degli ellissoidi (m*t, m*l) di Fermi reali stesso volume (k equidistribuiti)
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 16
kx
ky
kz
kx
ky
kz
Casi degeneri/anisotropi
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 17
kx
ky
kz
kx
ky
kz
2 2 22 2
1 2 3
2
3
23
2
12
2
4 42
3 3
C
n eff
n C
eff
Ceff n
k k kkE E
m k
m E Ek
E Evol k mp p
2 2 2 2 22 2 22 3 2 31 1
2 2
31
22 2 2
2
12 2
2 2
4 42
3 3
,
C
l t
l C t C
Cl t
k k k kk kE E
m m
m E E m E E
E Evol g g m m
p p
Massa DOS di Si e Ge
• Ponendo uguali i volumi (pari numero, e
quindi densità, di stati per ogni energia) si
ottiene:
• In banda di valenza, si deve tenere conto
della degenerazione hh/lh: basta sommare
le densità di stati (gV=ghh+glh), ottenendo:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 18
2 1 23 1
2 3 3 32 2 n l t n l tm g m m m g m m
23 3 32 2
p hh lhm m m
Masse DOS in Ge, Si, GaAs
• Masse DOS in banda di conduzione:
– Ge: m*n/m0= 42/31.591/30.08152/3 = 0.553
– Si: m*n/m0 = 62/30.9161/30.192/3 = 1.06
– GaAs: m*n/m0 = m*e/m0 = 0.067
• Masse DOS in banda di valenza
– Ge: m*p/m0 = (0.3473/2+0.04293/2)2/3 = 0.357
– Si: m*p/m0 = (0.5373/2+0.1533/2)2/3 = 0.59
– GaAs: m*p/m0 = (0.513/2+0.0823/2)2/3 = 0.532
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 19
Massa di conduzione
• Si impiega ai fini del calcolo della mobilità
• Le diverse masse danno contributi in
parallelo alla conduzione: dato che la
conducibilità è inversamente proporzionale
alla massa, la media deve effettuarsi
sull’inverso delle masse
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 20
2 2 2
1 3
1 26
l t tc
c
l t
m m mm
m
m m
kx
ky
kz
m*c/m0=0.26 (Si)
m*c/m0=0.12 (Ge)
Outline
21D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11
• Densità di portatori in
– Metalli
– Semiconduttori/isolanti
• Densità di stati in approssimazione parabolica (1D, 2D, 3D)
• Statistica di particelle
– Fermi-Dirac
– Bose-Einstein
– Maxwell-Boltzmann
• Conclusioni
Statistica di particelle
• Problema: sistema con N particelle identiche e debolmente interagenti, volume costante
• Livelli in energia discreti che raggruppiamo in gruppi di gj
stati a energia Ej
• Occupazione (0/1) degli Ej
equiprobabile
• gj = degenerazione
• Nj = numero di particelle sul livello Ej (distribuite sui gj
stati)D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 22
E1
E2
E3
E4
g3
g4
g2
g1
N
N4 = 3
N3 = 4
N2 = 3
N1 = 4
Numero di configurazioni
• Quante sono le possibili configurazioni di
un particolare stato del sistema?
• Numero di configurazioni = W
• Lo stato del sistema con il massimo
numero di configurazioni rappresenta il più
probabile stato di equilibrio
• Il massimo numero di configurazioni
coincide con il massimo dell’entropia:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 23
logS k W
Statistica di Fermi-Dirac – 1
• Particelle indistinguibili: dalla meccanica quantistica, lo scambio di due particelle tra i rispettivi stati non è rilevabile da nessuna misura fisica
• In ogni stato è possibile collocare una sola particella (principio di esclusione di Pauli)
• Nota: gli stati sono sempre a coppie, spin
• Stato del sistema = Nj particelle sul livello Ej
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 24
Statistica di Fermi-Dirac – 2
• In quanti modi posso collocare
Nj palline in gj stati?
• La prima in gj modi, la
seconda in gj-1, la terza in gj-
2.. l’ultima in gj-Nj+1
• Particelle indistinguibili il
numero è da ridurre per le
permutazioni di Nj particelle
• Estendendo alla sequenza di
livelli energetici
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 25
Ej
gj
Nj
!
! !
j
j j j
g
N g N
!
!
j
j j
g
g N
!
! !
j
FD
j j j j
gW
N g N
Formula di Stirling
• Calcoliamo il logaritmo logWFD:
• Formula di Stirling logx!=xlogx-x
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 26
log log ! log ! log ! FD j j j j
j j j
W g N g N
0
20
40
60
80
100
120
0 10 20 30 40
logM!
Stirling
Condizione di massimo vincolato
• Quindi:
• Massimizziamo logWFD:
• Con i vincoli:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 27
log log log FD j j j j j j
j j
W g g g N N N
( )log( ) ( ) j j j j j j
j
g N g N g N
log log ( )log( ) j j j j j j j j
j
g g N N g N g N
0log
log
FDFD j
j j
WW N
N
0
0
j
j
j j
j
N N
U E N
Moltiplicatori di Lagrange
• Se devo trovare il massimo di una funzione a 2 variabili f(x,y) sottoposto al vincolo g(x,y)=c, cerco le soluzioni tra i punti di stazionarietà della funzione
• Nel nostro caso quindi impongo:
• Ma data l’indipendenza dei Nj, la soluzione è che ogni termine nella sommatoria si annulli:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 28
( , ) ( , ) f x y g x y c
0log
log
FD
FD j j
j j
WW a N b U a bE N
N
0log
FDj
j
Wa bE
N
Metodo MDL
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 29
• Funzione f(x,y) valutata sulla curva g(x,y)=c
• Nel punto di massimo vincolato, il contour di f e la curva g(x,y)=c sono tangenti
• Equivalentemente, in quel punto il gradiente di f(x,y) e quello di g(x,y)-c sono paralleli, i.e. proporzionali, con coefficiente di proporzionalità
Risultato
• Sostituendo
• Trovo:
• E quindi
• Ricavo una probabilità di occupazione:
• Significato di a, b? serve supporto dalla teoria termodinamica
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 30
1 1log
log log( )
FDj j j j
j
WN g N a bE
N
log log log ( )log( ) FD j j j j j j j j
j
W g g N N g N g N
ja bEj j
j
g Ne
N 1
j
j
j a bE
gN
e
1
1,
j
j
j FD a bE
j
Nf
g e
Prima legge della termodinamica• L’energia in un processo termodinamico si conserva
(non può essere creata o distrutta, ma solo trasformata)
• Dove U = energia interna (energia immagazzinata nel sistema), Q = calore (trasferimento di energia da sorgente calda) e L = lavoro fatto dal sistema
• Tradotto in differenziali esatti:
• Dove si è incluso anche lo scambio di energia sotto forma di materia, con m = potenziale chimico delle particelle N
• La variazione di entropia a volume costante è quindi:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 31
dU Q L
dU TdS PdV dNm
dU
dS dNT T
m
Interpretazione termodinamica
• Confrontiamola con l’espressione:
• dove ,quindi
• e la distribuzione Fermi Dirac diventa:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 32
0log FDW a N b U
logS k W
dS bkdU akdN
dU
dS dNT T
m
1
bkT
akT
m
11
j j
j j
j a bE E
kT
g gN
ee
m FEm Energia di Fermi =
potenziale chimico
degli elettroni
Argomento semplificato
• Dal risultato della massimizzazione con i
moltiplicatori di Lagrange, posso adottare i
seguenti argomenti:
– La distribuzione f deve essere pari a ½ in EF =
m = potenziale chimico degli elettroni
– La distribuzione deve tendere alla Maxwell-
Boltzmann per E grande b=1/kT
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 33
1 10
21( )
FFD F F Fa bE
f E a bE a bEe
1
1
( )
F
FD E E
kT
f E
e
Fermioni e bosoni• Entrambe le particelle sono indistinguibili tra
loro, cioè:
– non è possibile etichettare le particelle, oppure
– lo stato con particella 1 in a e la particella 2 in b
non è distinguibile dallo stato con particella 1 in b
e la particella 2 in a)
• Funzione d’onda: NO!
• Simmetrizzazione:
– Bosoni
– Fermioni
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 34
1 2 1 2( , ) ( ) ( ) a bx x x x
1 2 1 2 2 1
1
2( , ) ( ) ( ) ( ) ( ) a b a bx x x x x x
1 2 1 2 2 1
1
2( , ) ( ) ( ) ( ) ( ) a b a bx x x x x x
Fermioni e bosoni
• Conseguenza 1: funzione pari (bosone) o
dispari (fermione) rispetto all’operazione di
scambio di particelle
• Conseguenza 2: la funzione d’onda di due
fermioni nello stesso stato è identicamente
nulla
• impossibile per due fermioni condividere lo
stesso stato principio di esclusione di Pauli
• Nessuna restrizione per bosoni
condensazione di Bose (tutte le particelle
nello stesso stato a 0 K)D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 35
1 2 1 2 2 1
10
2( , ) ( ) ( ) ( ) ( ) a a a ax x x x x x
Statistica di Bose-Einstein• Particelle indistinguibili (come FD)
• In ogni stato è possibile collocare un numero illimitato di particelle
• In quanti modi posso collocare Nj
palline in gj stati?
• Il problema equivale a permutare Nj
palline e gj-1 barriere tra stati
• Da ridurre per le permutazioni di Nj
particelle e gj-1 barriere
• Estendendo a tutti gli Ej
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 36
gj =12 Nj =16
1 ! j jN g
1
1
!
! !
j j
j j
N g
N g
1
1
!
! !
j j
BE
j j j
N gW
N g
Massimizzazione di WBE – 1
• Calcoliamo il logaritmo logWBE:
• Condizione di massimo vincolato:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 37
1 1log log ! log ! log ! BE j j j j
j j j
W N g N g
1 1 1 1log log log j j j j j j j j
j
N g N g N N g g
0
0
0
loglog
BEBE j
j j
j
j
j j
j
WW N
N
N N
U E N
Massimizzazione di WBE – 2
• Moltiplicatori di Lagrange:
• Che per l’indipendenza dei Nj diventa:
• Quindi:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 38
1log log j j j jN g N a bE
0log
log
BE
BE j j
j j
WW a N b U a bE N
N
0log
BEj
j
Wa bE
N
1
1 11
j j j
j j j
j a bE a bE E
kT
g g gN
e ee
m
Passaggio al continuo• Fermi-Dirac
• Bose-Einstein
• Maxwell-Boltzmann
• La distribuzione FD si applica a fermioni (particelle a spin semi-intero, e.g. elettroni), quella di BE ai bosoni (particelle a spin intero)
• La distribuzione di MB/semiclassica si usa come limite di FD e BE per E>>m
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 39
1
j
j
j E
kT
gN
e
m
1
j
j
j E
kT
gN
e
m
1
( )( )
E
kT
g E dEn E dE
em
1
( )( )
E
kT
g E dEn E dE
em
( ) ( )
E
kTn E dE g E dEem
jE
kTj jN g e
m
Applicazione: gas di fotoni/fononi
• L’applicazione tipica della statistica di BE è ai gas atomici (elio)
• Più in generale si può applicare ad ogni particella (o quasi particella) dotata di spinintero fotone (quanto di radiazione elettromagnetica) e fonone (quanto di vibrazione reticolare in un cristallo)
• In entrambi i casi (fotone/fonone) è necessario introdurre una modifica: sia i fotoni sia i fononi non si conservano, ma possono essere creati o distrutti il vincolo N=0 viene meno, quindi m=akT=0
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 40
Densità di energia nella cavità• Dalla trattazione di Rayleigh-Jeans, la
densità di modi è [m-3]:
• L’energia è legata alla frequenza da ,
quindi scriviamo
• Allora la densità di fotoni è:
• La densità di energia è:
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 41
3
22( )
g d d
c p
E h3
2
3
2( ) ( )
dg E g E
dE h c
p
2
3 3
8 1
1
( ) ( ) ( )
BE E
kT
En E g E f E
h ce
p
3
3 3
8 1
1
( ) ( ) ( )
BE E
kT
Eu E Eg E f E
h ce
p
Distribuzioni a confronto
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 42
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
FD
BE
MB
Energia [eV]
f [1
]
Distribuzione di Fermi
• La curva impiega circa 5kT per andare dal 90% al 10% alle basse temperature è praticamente un gradino
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 43
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
1
100
300
600
Energia [eV]
f [1
]
1
j
j
j E
kT
gN
e
m
Conclusioni
• La densità di portatori in solidi (metalli o
semiconduttori/isolanti) all’equilibrio
richiede di conoscere:
– Densità di stati. In approssimazione
parabolica, la densità in 3D cresce con la
radice dell’energia. Si adotta un’opportuna
massa (DOS).
– Probabilità di occupazione degli stati
distribuzione statistica di Fermi Dirac
D. Ielmini – Elettronica dello Stato Solido 11 44