Radiografia digitale. Sistema ideale: Acquisizione istantanea di una immagine in forma digitale con...

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Radiografia digitale

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Radiografia digitale

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Radiografia digitaleSistema ideale: Acquisizione istantanea di una immaginein forma digitale con il minimo numero di raggi X

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Computed Radiology(Storage Phosphorous Radiology)

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Computed Radiology(Storage Phosphorous Radiology)

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Radiografia analogica vs digitale

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Radiografia digitaleSpecifiche

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Necessità di larga area

• Soluzioni

– accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD”

– matrici attive in selenio/silicio amorfo

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Necessità di larga area

• Soluzioni

– accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD”

– matrici attive in selenio/silicio amorfo

Conversione diretta Conversione indiretta

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Matrice di sensori attivi a conversione diretta

Fotoconduttori

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Requisiti per fotoconduttori

Alto coefficiente di assorbimento: <<L

Alta sensibilità

No ricombinazione

No trappole: E>> L

Bassa corrente dark: no iniezione dagli elettrodi, no generazione termica

No degradazione

Facilità di deposizione

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Profondità di penetrazione

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Energia di ionizzazione

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Sensibilità

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Materiali per fotoconduttori

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Matrice di sensori in selenio amorfo

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Sensore in selenio amorfo

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Polarizzazione negativa

Substrato

GateGate insulator

Source Drain

i a-Si:Hn a-Si:H

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Polarizzazione positiva

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Polarizzazione positiva

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Matrice di sensori in silicio amorfo

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Matrice di sensori in silicio amorfo

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Matrici di sensori in a-Si:H: Scintillatori• Sono scintillatori inorganici: NaI, CsI, Bi4Ge3O12 (noto come BGO), PbWO4,

BaF2...

• Il meccanismo di scintillazione negli scintillatori inorganici è caratteristico della struttura a bande elettroniche che si trovano nei cristalli.

Spesso si hanno 2 costanti di tempo:1.ricombinazione rapida dai centri di attivazione (ns-μs)2.ricombinazione ritardata (trappole) (~100 ms)

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Scintillatori

• Segnale dipende da:– coefficiente di conversione– efficienza quantica– self-absorption

X-ray

S

SCATTERING

SELF ABSORPTION

Reflector

Matrice di sensori in silicio amorfo

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CsI:Tl• Spessori 550µm• Buon assorbimento dei raggi X (65000 ph/MeV)• Struttura colonnare: guide d’onde• MTF=50% @ 1 lp/mm• Emissione luce nel verde

400 500 600 700 8000,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

wavelength / nm

400 500 600 700 8000,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

CsI:Tla-Si:H

Matrice di sensori in silicio amorfo

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Matrice di sensori in silicio amorfo

Substrato

Metal/ITO

p a-Si:H

n a-Si:H

i a-Si:H

ITO/Metal

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Matrice di sensori in silicio amorfo

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Matrice di sensori in silicio amorfo

Row Driver

PD

Vbias

Switch

Substrato

GateGate insulator

Source Drain

i a-Si:Hn a-Si:H

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Matrice di sensori in silicio amorfo

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Tecnologia planare

• Limited Fill-factor limitato (<75%)

CROSS SECTION

TOP VIEW

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Tecnologia Multi-livello

• Fill-factor >90%

CROSS SECTION

TOP VIEW

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Differenti prodotti

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Prestazioni FPD

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Prestazioni FPD

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Sistemi statici

Large size (43cm x 43cm / 17" x 17") for high projection flexibility even with large patients

Resolution up to 3.5 lp/mm, 143 μm pixel size

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Sistemi dinamici

• Amplificatore di brillanza– Pesante– Sensibile ai campi magnetici– Schermo curvo

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Sistemi dinamici

• Flat detector– Leggero– Assenza di distorsione– Miglior contrasto– Miglior uso della dose