Pertanto il Consorzio è impegnato nel:

•sostenere la competitività dei partner industriali sostenere la competitività dei partner industriali su tematiche relative al loro core business

•fornire supporto allo sviluppo di tecnologie industrialitecnologie industriali nuove ed altamente innovative

•sviluppare nuovi prodottinuovi prodotti derivanti dalle tecnologie risultanti dalle attività di ricerca

“Il Consorzio ha per oggetto lo sviluppo delle tecnologie sviluppo delle tecnologie per l’opto, la microelettronica ed i microsistemi finalizzate all’applicazione nei settori industriali interessati, quali – ad esempio ma non esclusivamente – le telecomunicazioni, la

multimedialità, le applicazioni ambientali, i trasporti, il biomedicale, l’aeronautico, l’aerospaziale.

Il Consorzio si propone, inoltre, di sviluppare nuovi prodotti sviluppare nuovi prodotti derivanti dalle tecnologie di cui sopra. ”

Camera pulita classe Camera pulita classe 100100 Area deposizioni Area deposizioni film sottilifilm sottili

AreaArea plasmi chimici plasmi chimiciArea deposizioni Area deposizioni film spessifilm spessi

50 sqm 50 sqm clean room (class 100)clean room (class 100)200 sqm 200 sqm clean room (class 10000)clean room (class 10000)600 sqm 600 sqm laboratorieslaboratories500 sqm 500 sqm officesoffices

Tecnologie InP per l’OptoelettronicaTecnologie InP per l’Optoelettronica

SiC MicromachiningSiC Micromachining

a holea hole

a plated holea plated holeGaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

Via

hol

e GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

Via

hol

e

GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

Via

-ho

le

Processo di Backside brevettato (Brevetto n.1363498;06/07/2009)Processo di Backside brevettato (Brevetto n.1363498;06/07/2009)““Metodo per realizzare scavi in substrato di carburo di silicio di un dispositivo a semiconduttore”Metodo per realizzare scavi in substrato di carburo di silicio di un dispositivo a semiconduttore”

PIN diodes array and package Microstrip passive components (resistors, MIM capacitors, trasmission lines)

SiC Micromachining bulk and GaN–HEMT back side

RF MEMS RF MEMS

Isolation switch shunt BRSH1

-55

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

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0

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40Frequenza [GHz]

dB

Isolation [dB] S21 onstate Isolation simulata

Domanda di Brevetto n. BO2010A000738 presentata il 15 dicembre 2010Domanda di Brevetto n. BO2010A000738 presentata il 15 dicembre 2010““Metodo per realizzare un dispositivo microelettromeccanico a membrana metallica sospesa”Metodo per realizzare un dispositivo microelettromeccanico a membrana metallica sospesa”

1. Progettazione

2. Realizzazione

3. Testing e Misura

4. Packaging

Costo complessivo: € 19.808.360Finanziamento: € 13.964.060

I Numeri del ProgettoI Numeri del Progetto

Le Attività del ProgettoLe Attività del Progetto

Progetto Tecnologie Abilitanti per Sistemi di nuova generazione di trasmissione e ricezione a Microonde Ex art.6 DM 593/2000

Sviluppo di tecnologie finalizzate alla realizzazione di un veicolo di prova di un modulo Trasmetti/Ricevi digitale compatto per applicazione in sistemi radar avanzati.

• OR1- Tecnologie per trasmettitori/ricevitori digitali compatti modulari

• OR2 - Studio di materiali a funzionalità innovative e per il packaging

• OR3 - Sviluppo di tecnologie di backside per dispositivi GaN–HEMT ad alta potenza e frequenza

• OR4 - Sviluppo di tecnologie innovative per la realizzazione di MEMS

Finmeccanica ha ritenuto Optel una best practice best practice nella sinergia tra aziende del Gruppo ai fini dello sviluppo di attività di R&D all’avanguardia.

Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876).

Sviluppo di tecnologie per la realizzazione di componenti microelettronici e microelettromeccanici e dei relativi packaging sistemi radar multifunzione di nuova concezione (MPAR = Multifunction Phased Array Radar).

1. Back side1. Back side

Salto TecnologicoSalto TecnologicoTASMTASM TASMATASMA

AlGaNAlGaN

GaN CapGaN Cap 1 nm1 nm

Wafer Wafer GaN/SiC GaN/SiC 44""DispositivoDispositivo

Via

-Ho

leV

ia-H

ole

SourceSource GateGate DrainDrain

6 W/mm6 W/mm²²

SiCSiC 100 μm100 μmSiCSiC

AlGaNAlGaN

GaN CapGaN Cap 1 nm1 nm

70 70 μμmm

Wafer Wafer GaN/SiC GaN/SiC 33""DispositivoDispositivo

Via

-Ho

leV

ia-H

ole

SourceSource GateGate DrainDrain

4 W/mm4 W/mm²²

Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876).

Multistrati ceramici HTCC

2. Packaging2. Packaging

3. MEMS3. MEMS

Package AlN Bulk

Switch MEMS Phase Shifter

Salto TecnologicoSalto TecnologicoTASMTASM TASMATASMA

I numeri del progetto TASMAI numeri del progetto TASMACosto complessivo: € 12.394.150

Finanziamento: € 10.153.200

Durata: 36 mesi

Messa a punto delle tecniche di Incollaggio dei wafer di SiC Messa a punto delle tecniche di Lappatura e lucidatura dei wafer di SiC Sviluppo di processi fotolitografici per lo scavo di via hole in SiC di profondità di circa 100 micron

Progettazione di switch RF MEMS orientata al power handling In corso la messa a punto degli step tecnologici per la realizzazione di switch RF MEMS

Completamento analisi termiche per ponti termici in substrati di AlN da utilizzare come PCB Messa a punto dei processi di via filling Progettazione di un package LCP a basso costo per l’integrazione di componenti RF passivi

I risultati ad oggi conseguiti sul progetto sono in linea con gli obiettivi di Capitolato.I risultati ad oggi conseguiti sul progetto sono in linea con gli obiettivi di Capitolato.

• Circuiti Integrati Monolitici a Microonde Circuiti Integrati Monolitici a Microonde (MMIC) con funzione di Amplificatori di potenza (HPA, ciascuno di 50 W di potenza) basati su GaN HEMT su substrato SiC

• Capacità di packagingpackaging:

ceramico in AlN (bulk) ceramico in AlN (bulk) per moduli di trasmissione in grado di dissipare l’altissima densità di potenza derivante dai circuiti di cui sopra

LCPLCP a bassissimo costo, basato su materiali innovativi come Liquid Crystal Polimer, per i moduli con bassa richiesta di dissipazione di potenza e per i dispositivi passivi e digitali

• Dispositivi MEMSMEMS per la gestione dei segnali a RF (Switch e Phase Shifter basati su MEMS)

Ogni tecnologia sviluppata nel progetto ha come primo End User End User le aziende del gruppo Finmeccanica aziende del gruppo Finmeccanica sulle quali sono state tarate le specifiche tecniche dei dimostratori.

Inoltre tali tecnologie avranno ricadute nel mercato interno al Distretto Tecnologico AerospazialeDistretto Tecnologico Aerospaziale ed in settori più vasti.

Le tecnologie sviluppate sul progetto sono allo stato dell’arte internazionalestato dell’arte internazionale:

Gli HEMT di potenza ad alto guadagno lineare per la realizzazione del MMIC HPA (dispositivi di altissima densità di potenza - 6 W/mm - non comparabili con i dispositivi oggi realizzati in GaAs -0,7 W/mm)

Il substrato ceramico AlN a bassissima resistenza termica

Il Phase Shifter per il controllo della fase del segnale RF

Linea di Back side per wafer 4”:Linea di Back side per wafer 4”:

Investimenti: 1.500.000,00 €

MMIC GaN

a hole

a plated hole GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

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GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

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Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

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Via

hol

e GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

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GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

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Source DrainGate

370 µm

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GaN

GaN

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370 µm

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GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

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370 µm

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GaN

SiC semi-insulating4H

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Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

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GaN

GaN

SiC semi-insulating4H

AlxGa1-xN

Source DrainGate

370 µm

1.2 µm

30 nm

3 nm

Via

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le

Optel ha presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi come strumento per l’industrializzazionel’industrializzazione di uno dei risultati del progetto

4” GaN/SiC wafer

Realizzazione di una Foundry Italiana per la produzione di wafer di GaN/SiC epitassiale 4produzione di wafer di GaN/SiC epitassiale 4"", materiale di base necessario alla produzione di componentistica ad alta potenza di nuova generazione.

Strategico per garantire all’industria nazionale del settore la technology non dependencetechnology non dependence dagli USA e da altri fornitori extra-europei.

Optel ha altresì presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi finalizzati al completamento della filiera relativa alla tecnologia GaNcompletamento della filiera relativa alla tecnologia GaN

Il Consorzio Optel persegue la creazione di valore creazione di valore seguendo il processo tecnologico a partire da progetti di ricerca progetti di ricerca altamente focalizzati sul core-business dei propri consorziati industriali, procedendo all’ industrializzazioneindustrializzazione dei risultati ed infine producendo producendo

e commercializzando e commercializzando tali prodotti innovativi per il mercato di riferimento ed in prospettiva per un mercato più vasto.