FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED

Сегнетоэлектрическое ОЗУFRAM

Для получения дополнительной информации обращайтесь:

North and South AmericaFUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC.1250 E. Arques Avenue, M/S 333Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A.Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999http://us.fujitsu.com/micro/

EuropeFUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbHPittlerstrasse 47, 63225 Langen, GermanyTel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122http://emea.fujitsu.com/semiconductor/

KoreaFUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of KoreaTel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111http://kr.fujitsu.com/fsk/

Asia PacificFUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.151 Lorong Chuan, #05-08 New Tech Park 556741 SingaporeTel: +65-6281-0770 Fax: +65-6281-0220http://sg.fujitsu.com/semiconductor/

FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District, Shanghai 201204, ChinaTel: +86-21-6146-3688 Fax: +86-21-6146-3660http://cn.fujitsu.com/fss/

FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,Shatin, N.T., Hong KongTel: +852-2736-3232 Fax: +852-2314-4207http://cn.fujitsu.com/fsp/

FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITEDNomura Fudosan Shin--yokohama Bldg. 10-23, Shin--yokohama 2-Chome,Kohoku--ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japanhttp://jp.fujitsu.com/fsl/en/

Спецификации могут изменяться без предварительного уведомления. Для получения дополнительной информации обращайтесь в соответствующие отделения Компании.

Все права сохранены.Компания FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, ее дочерние и аффилированные компании (совместно именуемые FUJITSU SEMICONDUCTOR) оставляет за собой право без уведомления вносить изменения в информацию, содержащуюся в этом документе. Просим связаться с торговым представителем FUJITSU SEMICONDUCTOR перед тем как заказывать приборы производства FUJITSU SEMICONDUCTOR.Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе описание функций и примеры цепей, приведены исключительно для сведения в отношении примеров функционирования и применения приборов производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. FUJITSU SEMICONDUCTOR не принимает на себя никаких гарантий, ни явных, ни подразумеваемых, в отношении этой информации, включая, но не ограничиваясь гарантии качества, точности, работы, нормального функционирования прибора, а также ненарушения прав третьих лиц. В случае разработки на основе указанной информации оборудования или продукции, в которой используется прибор FUJITSU SEMICONDUCTOR, пользователь несет полную ответственность в связи с использованием указанной информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший в результате или в связи с указанной информацией или ее использованием.Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе общие сведения о работе и примеры электрических схем, описывает обычную работу и методы использования полупроводниковых приборов, и не гарантирует работы в оборудовании, используемом на практике. Лица, использующие указанную информацию при проектировании аппаратуры, несут самостоятельную ответственность за использование указанной информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственность за любой ущерб, причиненный вследствие использования указанной информации.Настоящий документ не может рассматриваться как предоставляющий право пользования или реализации в отношении принадлежащих FUJITSU SEMICONDUCTOR или третьим лицам патентных прав, авторских прав, других прав на результаты интеллектуальной деятельности и иных прав в отношении продукции, указанной в настоящем документе, а также технической информации, включающей в себя общие сведения о работе и изображения электрических схем. Кроме того, FUJITSU SEMICONDUCTOR не предоставляет гарантий возможности пользования правами на результаты интеллектуальной деятельности и другими правами, принадлежащими третьим лицам. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет ответственности за нарушение прав на результаты интеллектуальной деятельности и других прав третьих лиц, вследствие использования настоящего документа. Продукция, указанная в настоящем документе разработана и изготовлена для обычного промышленного использования, использования в обычном делопроизводстве, для личного и семейного использования и другого обычного использования. Указанная продукция не предназначена для использования в целях, требующих крайне высокую степень безопасности, связанных с серьезным непосредственным риском для жизни и здоровья людей в случае необеспечения указанной степени безопасности (например, управление ядерной реакцией на объектах атомной энергетики, управления полетами летательных аппаратов, управления воздушным движением, управления системами крупнотоннажных грузовых перевозок, медицинское оборудование для поддержания жизнедеятельности, управление пуском ракет в системах военного назначения и т. д. ), а также в целях, требующих крайне высокую степень надежности (например, подводные ретрансляторы, космические спутники и т. д.). Просим обращаться в торговые представительства FUJITSU SEMICONDUCTOR в случае, если рассматривается возможность использования нашей продукции в указанных выше целях. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший при использования нашей продукции без предварительной консультации с нами. В полупроводниковых приборах имеется некоторая степень вероятности поломки или сбоя в работе. При использовании продукции FUJITSU SEMICONDUCTOR, в том числе продукции, указанной в настоящем документе, пользователь несет самостоятельную ответственность за обеспечение безопасности, в том числе путем использования резервных систем, пожаробезопасности, защиты от перепадов напряжения, защиты от ошибок, с тем, чтобы даже в случае возникновения поломки или сбоя в работе полупроводниковой аппаратуры производства FUJITSU SEMICONDUCTOR не причинялось вреда жизни и здоровью, не возникало техногенных инцидентов, инцидентов, представляющих общественную угрозу.Продукция, указанная в настоящем документе, а также техническая информация, содержащаяся в настоящем документе, подпадают под действие Закона Японии о валютном регулировании и контроле над внешней торговлей, и могут подпадать под действие законодательства о регулировании экспорта и импорта США и других стран. Вы несете ответственность за соблюдение законодательства об экспорте и реэкспорте продукции и технической информации, указанной в настоящем документе. Все фирменные наименования, названия товарных брендов и зарегистрированные товарные знаки принадлежат соответствующим правообладателям.

©2012-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in JapanAD05-00033-6R August 2013Отредактировано: Отделом корпоративного планирования

FRAM

Свойства FRAM- Энергонезависимость- Произвольный доступ- Высокая скорость записи- Высокая устойчивость- Низкое энергопотребление

Сравнение между FRAM и другими устройствами памятиFRAM EEPROM FLASH SRAM

Тип памяти Энергонезависимая Энергонезависимая Энергонезависимая Энергозависимая

Способ перезаписи данных Перезапись Стирание + Запись Стирание + Запись Перезапись

Время цикла записи 150ns 5ms 10µs 55ns

Циклы чтения/записи 1013 106 105 Не ограничено

Контур подкачки заряда Не требуется Требуется Требуется Не требуется

Батарея для резервного копирования данных Не требуется Не требуется Не требуется Требуется

Non-Volatile

GreatRead/Write

Cycles

FastWrite

Low PowerConsumption

HighSecurity

Мы предлагаем самую надежную память на основе передовой технологии с

подтвержденным качествомЭнергонезависимое запоминающее устройство

от компании Fujitsu - FRAM

FRAM ИскатьДля получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите:

Что такое FRAM?FRAM (“Сегнетоэлектрическое ОЗУ”) является энергонезависимым запоминающим устройством, способным хранить данные даже при отключенном питании, а также служить в роли оперативного запоминающего устройства (RAM). Производительность FRAM превосходит традиционные энерго-независимые запоминающие устройства, такие как ЭСППЗУ (Электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство) и флэш-память, по характеристикам высокой скорости записи, ресурсам цикла чтения/записи и низким энергопотреблением.Компания Fujitsu Semiconductor осуществляет весь цикл изготовления, начиная с исследования и разработки и заканчивая массовым производством FRAM-микросхем в Японии. Компания Fujitsu способна обеспечить неизменное высокое качество продуктов FRAM и их беспрерывную поставку. Начиная с 1999 года, компания Fujitsu поставляет продукты FRAM для производства и обладает огромным опытом в этой части. Продукты FRAM продолжают предлагать многим заказчикам, требующим высокую надежность. Для более подробной информации см.:

Имеются два семейства FRAM. Одно из них "Автономная память", которая предоставляется в корпусах типа SOP и SON, а второе "чипы с FRAM", которые предоставляют собой чипы с FRAM-макро для использования в приложениях, такие как чипы для RFID и аутентификационные чипы. Компания Fujitsu также предлагает заказные чипы оптимизированные для приложении заказчика.

Офисная автоматика

Медицина, фармацевтика

Развлечения

Акустические системы, аудио-видео оборудование

Измерительные и анализирующие устройства

Твердотельные диски

Банкоматы

Коммуникационное оборудование

Промышленная автоматика

Счетчик, хранение данных настроек

Трассировка записи стерилизации и записи экспертизы

Возобновление работы и хранение данных настроек

Возобновление работы и хранение данных настроек

Измерение данных и хранение проверенных данных

Ведение журналов, кэш-память

Архив транзакций, ведение журналов

Возобновление связи и ведение журналов

Хранение данных настроек, ведение журналов

MB85RS1MT / MB85RS2MT

*: Рассчеты производились с использованием максимальных значений по тех. параметрам.

Управление трассируемости при распределенииЗапись среды транспортировки, логистики и складирования

Новые продукты FRAM 1Мбит и 2 Мбит - Дающая возможность энерго-эффективности и миниатюризации в современных оборудовании

Компания Fujitsu Semiconductor разработала два новых продукта FRAM, MB85RS1MT и MB85RS2MT, которые характеризуют память серийного интерфейса 1Мбит и 2Мбит. Образцы обеих продуктов уже доступны. Два этих новых продуктов FRAM гарантируют 10 триллионов циклов чтения/записи, примерно десять раз больше чем существующие устройства FRAM, делающая их оптимальным для использования в измерительных оборудованиях, индустриальных и медицинских оборудованиях.По сравнению с идентичной плотностью EEPROM, два продукта во время записи расходуют электроэнергию на 92% меньше. А также, ввиду того что новые продукты FRAM могут совмещать всю технологию требующиеся для компонентов системной памяти – которые обычно состоят из EEPROM, SRAM и батарейка для сохранения данных – в единый чип, это позволяет значительно сократить расходы на стоимость компонентов, монтажное пространство и энергопотребление. Это, в свою очередь, также благоприятно воздействует на разработку более маленьких и энергоэффективных оборудовании, легких в эксплуатации, так как не требуется резервная батарейка.

ПоследовательноеЗУ

Параллельное ЗУ

Чипы для RFID

Аутентификационныечипы

Заказные чипы

Автономное ЗУ

Чипы с FRAM

FRAMСемейство продуктов FRAM

Новые продукты

6.0

4.0

2.0

0

Энергопот-ребление(мЖ)

Максимум 92%снижении энергопот-ребления

Стандарт-ный

EEPROM

5.80мЖ FujitsuFRAM

0.46mJ

- Условия :2Mbit, Серийная память, SPI I/F, 2Кбайт записи, Действие 5МГц, VDD=3.0В, 1сек

EEPROM + SRAM 2Мбит + Резервная Батарея FRAM 2Мбит (SOP, 8-контактный)

5.24мм

25.26мм Минимальная требующаяся площадь

батареябатарея

7.80мм

SRAM44-

контактныйTSOP(II)

SRAM44-

контактныйTSOP(II)

Экономит 90%+площадь монтажаEEPROM

(SOPб 8-контактный)18.41мм

FRAM обеспечивает быструю запись до 10-триллион циклов чтения/записи, и является подходящей памятью для измерительного оборудования для записи данных измерений в режиме реального времени. FRAM способно защитить данные при записи даже при внезапном отключении питания в силу своего быстродействия. Благодаря этому свойству, продукты FRAM применяются в различных приложениях, требующих высокую надежность, таких как счетчики электроэнергии, системы измерения в промышленности, банкоматы и т.д.

Примеры применения FRAM в приложениях

Автономное ЗУ

Параллельное ЗУПродукты FRAM с параллельным интерфейсом, который совместим с интерфесом SRAM, могут заменяться резервным источником питания SRAM (BBSRAM) и псевдо-SRAM (PSRAM).

Линия продуктовFuji tsu Semiconductor может поставлять FRAM продукты с диапазоном объема памяти от 4Кбит до 256Кбит для интерфейса I2C, от 16Кбит до 2Мбит для SPI интерфейса, и от 256Кбит до 4Мбит для параллельного интерфейса А также, в целях удовлетворения спроса со стороны клиентов на устройства памяти с большой плотностью, Fu j i tsu планирует расширить линию продуктов с большой плотностью.

Номер детали Объем памяти Напряжениеисточника питания

Рабочаячастота (Макс)

Рабочаятемпература

Циклы чтения / записи

Гарантия Сохранение данных (*1) Корпус

MB85RC256V 256 Кбит 2.7 от и до 5.5V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RC128A 128 Кбит 2.7 от и до 3.6V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RC64A 64 Кбит 2.7 от и до 3.6V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RC64V 64 Кбит 3.0 от и до 5.5V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RC16 16 Кбит 2.7 от и до 3.6V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8/SON-8MB85RC16V 16 Кбит 3.0 от и до 5.5V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RC04V 4 Кбит 3.0 от и до 5.5V 1 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8

*1: Когда рабочая температура не превышает +85°C, период сохранения данных может быть увеличен. См. Спецификации.

Номер детали Объем памяти Напряжениеисточника питания

Время циклазаписи

Рабочаятемпература

Циклы чтения / записи

Гарантия Сохранение данных (*1) Корпус

MB85R4001A 4 Мбит (512K×8) 3.0 от и до 3.6V 150ns -40 от и до +85°C 1010 (10 миллиард) раз 10 лет (+55°C) TSOP-48MB85R4002A 4 Мбит (256K×16) 3.0 от и до 3.6V 150ns -40 от и до +85°C 1010 (10 миллиард) раз 10 лет (+55°C) TSOP-48MB85R1001A 1 Мбит (128K×8) 3.0 от и до 3.6V 150ns -40 от и до +85°C 1010 (10 миллиард) раз 10 лет (+55°C) TSOP-48MB85R1002A 1 Мбит (64K×16) 3.0 от и до 3.6V 150ns -40 от и до +85°C 1010 (10 миллиард) раз 10 лет (+55°C) TSOP-48MB85R256F 256 Кбит 2.7 от и до 3.6V 150ns -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) TSOP-28/SOP-28

*1: Когда рабочая температура не превышает +55°C (устройства 1Мбит и 4Мбит) и +85°C (устройства 256Кбит), период сохранения данных может быть увеличен.

Номер детали Объем памяти Напряжениеисточника питания

Рабочаячастота (Макс)

Рабочаятемпература

Циклы чтения / записи

Гарантия Сохранение данных (*1) Корпус

MB85RS2MT 2 Мбит 1.8 от и до 3.6V 25 МГц (*2) -40 от и до +85°C 1013 (10 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8/DIP-8MB85RS1MT 1 Мбит 1.8 от и до 3.6V 30 МГц (*2) -40 от и до +85°C 1013 (10 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RS256B 256 Кбит 2.7 от и до 3.6V 33 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RS128B 128 Кбит 2.7 от и до 3.6V 33 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RS64 64 Кбит 2.7 от и до 3.6V 20 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RS64V 64 Кбит 3.0 от и до 5.5V 20 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8MB85RS16 16 Кбит 2.7 от и до 3.6V 20 МГц -40 от и до +85°C 1012 (1 триллион) раз 10 лет (+85°C) SOP-8/SON-8

*1: Когда рабочая температура не превышает +85°C, период сохранения данных может быть увеличен. См. Спецификации.*2: Оперативность максимум в 40МГц доступна в режиме быстрого чтения.

● Интерфейс SPI

Последовательное ЗУПродукты FRAM с серийным интерфейсом совместимы с EEPROM и серийным устройством памяти Flash, а также доступен продукт 2Мбит. По сравнению с другими обычными энергонезависимыми ЗУ, FRAM имеет более высокую скорость записи, большее количество циклов чтения/записи и меньшее энергопотребление.

● Интерфейс I2C

256K

16K

64K

128K

2M

4K

1M

512K

MB85RC128A3V

MB85RC64A3V

1Мбит I2C 1.8V-3V

512Kбит I2C1.8V-3V

512Kбит SPI1.8V-3V

MB85RC163V

MB85RC16V5V

MB85RC64V5V

MB85RS163V

MB85RS643V

MB85RS128B3V

MB85RS256B3V

MB85R256F3V

MB85R1001/2A3.3V

MB85R4001/2A3.3V

MB85RS64V5V

MB85RS1MT1.8V-3V

MB85RC04V3.3V-5V

4M

8M/16M

MB85RC256V3V-5V

MB85RS2MT1.8V-3V

(*2)

(*1)

4Мбит SPI1.8V-3V

8М/16Мбит Parallel1.8V-3V

4Мбит Parallel1.8V-3V

Массовоепроизводство

Доступенобразец В разработке Планируется

Плотность (бит)

I2C 3V I2C 5V SPI 5VSPI 3V (1.8V-3V)

Parallel 3V(1.8V-3V)

Интерфейс

(*1) Дата производства: Сентябрь 2013 г.

(*2) Дата производства: 4-й кв 2013 г.

Сравнение монтажного пространства

Сравнение энергопотребления

43

Fujitsu Semiconductor предоставляет чипы с встроенным FRAM, такие как чипы RFID и Аутентификационные чипы для карт с интегральной микросхемой, которые обладают исключительными преимуществами по характеристике быстрой записи и числу циклов чтения/записи.

Чипы для FRAM RFID-меткиКомпания Fujitsu поддерживает продукты – чипы с FRAM для RFID-меток с ВЧ-диапазоном 13.56 МГц и УВЧ-диапозоном 860-960 МГц. Встроенный FRAM предоставляет преимущество в скорости записи и числе циклов чтения/записи. Поэтому распространилось использование FRAM пассивных RFID-метках.

● Основные свойства- Высокая скорость записи: пропускная способность операции записи в конечных продуктах увеличивается.- Расстояние уверенной радиосвязи: Возможность записи при низком энергопотреблении позволяет обеспечить стабильное

расстояние передачи данных как при записи, так и при считывании без какого-либо снижения производительности системы.- Большая плотность элементов памяти: Большой размер памяти позволяет повторно записывать много информации в теге.- Число циклов чтения/записи: Гарантируется максимум 1 триллион циклов чтения/записи, что позволяет обеспечить частный

доступ и изменение данных при длительном многократном использовании.- Международный стандарт: Соответствуют ISO15693, ISO18000-3, 6.

● Применение в приложениях- FA, управление производством- RFID-датчик- Управление производством и активами- UCODE сертификация- Медицинское оборудование и полотна- Управление трассируемостью при продаже пищевых/лекарственных средств

● Линейка продуктов чипов для FRAM RFID-метки

Номер детали Частота Объем памяти Команды Последовательный интерфейс

Сохранение данных гарантировано Циклы чтения/записи

MB97R803A УВЧ860-960 МГц 4 Кбайта ISO/IEC18000-6C

EPC C1G2 Ver.1.2.0 — 10 лет (+55°C) 1010 (10 миллиард) раз

MB97R804B УВЧ860-960 МГц 4 Кбайта ISO/IEC18000-6C

EPC C1G2 Ver.1.2.0 SPI 10 лет (+55°C) 1010 (10 миллиард) раз

MB89R118C ВЧ13,56 МГц 2 Кбайта ISO/IEC15693 — 10 лет (+85°C) 1012 (1 триллион) раз

MB89R119B ВЧ13,56 МГц 256 байт ISO/IEC15693 — 10 лет (+85°C) 1012 (1 триллион) раз

MB89R112 ВЧ13,56 МГц 9 Кбайта ISO/IEC15693 SPI 10 лет (+85°C) 1012 (1 триллион) раз

● Схема чипов для FRAM RFID-метки

Чипы с FRAM

FA, управление производством RFID-датчик

UCODEсертификация

Медицинскоеоборудованиеи химчистка

Управление производствоми активами

Управлениетрассируемостью

при продажепищевых/лекарственных

средств

Distance

Объем памяти

УВЧ 860-960 МГц

ВЧ 13,56 МГц

3m

256B 2KB～4KB 8KB～

- Безконтактная аутентификация- Функция защиты- ВПК- Функция NFC Type6

- Безконтактная аутентификация- Функция защиты- ВПК- Функция NFC Type6

50cm

MB97R803AMB97R804B- FRAM 4KB- SPI I/F

MB89R119B- FRAM 256B

MB89R112- FRAM 9KB - SPI I/F

- Экономия электроэнергии- Датчик интерфейса- УВЧ низкой плотности (для стерилизации лекарственных стредств)

- Экономия электроэнергии- Датчик интерфейса- УВЧ низкой плотности (для стерилизации лекарственных стредств)

Следующие производственныеразработкиСледующие производственныеразработки

FA, ТехобслуживаниеМедицина, биомедицина, фармацевтика Встроенная РЧ

MB89R118C- FRAM 2KB

Рабочий ток (мА) (Макс)

2.0

1.0

Макс. снижение на 98%

СтандартныйСППЗУ

FRAM

Группа компаний Fujitsu разработала экологически чистые продукты для решения вопросов, связанных с защитой окружающей среды.

FRAM 16Кбит с интерфейсом I2C компании Fujitsu - MB85RC16 является энергонезависимым ЗУ с самым низким энергопотреблением среди продуктов самого малого класса в мире. По сравнению с обычными стандартными ЭСППЗУ, рабочий ток при операции записи уменьшен на 98% (при тех же условиях эксплуатации, характеристике значений). Свойство низкого энергопотребления FRAM позволяет снизить выбросы СО2.

FRAM 16Кбит поставляется в очень маленьком корпусе типа SON c 8-выводами размером 3мм х 2мм. По сравнению с имеющимся корпусом типа SOP с 8-выводами, корпус типа SON позволяет уменьшить монтажное пространство, поскольку он может уменьшить использование материалов в панели печатной платы, что позволяет сэкономить ресурс.

Fujitsu Semiconductor работает над разработкой запоминающих устройств с низким потреблением мощности не только для достижения высокой производительности полупроводниковых приборов, но и для снижения нагрузки на глобальную окружающую среду.

Аутентификационные чипы с FRAMИмеется большой опыт в применении продуктов FRAM в приложениях по обеспечению безопасности, таких как карточки с интегральной микросхемой. Аутентификационные чипы с FRAM компании Fujitsu подходят для распознания периферийных устройств и аксессуаров, которые используются в электронном оборудовании, таком как принтер и МПУ. Аутентификация Запроса и Ответа между хост-системой и устройством позволяет выявить санкционированные и несанкционированные части.

Чипы с FRAM на заказТехнология FRAM подходит для одночиповых решений с логическим и аналоговым контурами, потому что FRAM-макрос легко вставляется в чипы КМОП-технологии. Компания Fujitsu произвела чипы для RFID-меток и аутентификационных карточек с встроенным FRAM. Помимо применения специальных чипы с FRAM в стандартных линейных продуктах, компания Fujitsu может предложить чипы на заказ, которая соответствует требованиям заказчика.

Сравнение рабочего тока при записи

Сравнение монтажной зоны

- Условия 16 кБит, I2C, 400 КГц, 3,6В, Запись, тех. знач.

Логическаясхема

Цель аутентификации

Основнойблок

FRAM(Ключ и данные)

Криптографическийпротокол

(AES и др.)

Аутентификационная ИС FRAM

Шифратор

I2C, SPI, RF и др.

FRAMFRAMПольз.логика

РазличныеIP

FRAM

Чипы с FRAM на заказ Сферы применения

・Энергонезависимость・Высокая скорость записи・Высокая устойчивость・Низкое энергопотребление・Безопасность

SRAM

ROM

Экологически чистые ЗУ

SOP-8SOP-8

SON-8SON-8

Уменьшает монтажную плошадь на более чем 80%

Корпус типа SOP с 8-выводами(Стандартный корпус)

Корпус типа SON с 8-выодами(миниатюрный корпус)

Панельпечатной

платы

65