Interruttori elettronici di potenza - DEIpel/Conversione_Statica/Cap.1.pdf · • Le cadute di...

E I

1 1

Interruttori elettronici di potenzaInterruttori elettronici di potenza

E I

1 2

U V I A t sS S SWmax max, ,≅ ≅ ≅500 100 1µ


Power BJT:Power BJT:

E I

1 3

Applicazioni limitateApplicazioni limitate(si preferiscono interruttori comandati in tensione)(si preferiscono interruttori comandati in tensione)

U V I A t sS S SWmax max, ,≅ ≅ ≅500 100 1µ


Power BJT:Power BJT:

E I

1 4

U V I A t nsS S SWmax max, ,≅ ≅ ≅500 50 100

Power MOS:Power MOS:


E I

1 5

Applicazioni di potenza medioApplicazioni di potenza medio--piccola (< 1 piccola (< 1 kW)kW)

U V I A t nsS S SWmax max, ,≅ ≅ ≅500 50 100

Power MOS:Power MOS:


E I

1 6

IGBT:IGBT:

U kV I kA t sS S SWmax max, ,> > ≅1 1 1µ


E I

1 7

Attualmente usato per applicazioni di Attualmente usato per applicazioni di potenza mediopotenza medio--grande (< 200 kW)grande (< 200 kW)

U kV I kA t sS S SWmax max, ,> > ≅1 1 1µ

IGBT:IGBT:


E I

1 8

In futuro usato anche per applicazioni di In futuro usato anche per applicazioni di potenza grande (MW)potenza grande (MW)

Attualmente usato per applicazioni di Attualmente usato per applicazioni di potenza mediopotenza medio--grande (< 200 kW)grande (< 200 kW)

IGBT:IGBT:


UU kVkV II kAkA tt ssSS SS SWSWmaxmax maxmax,, ,,>> >> ≅≅11 11 11µµ

E I

1 9

Interruttori elettronici di potenzaInterruttori elettronici di potenzaCaratteristiche staticheCaratteristiche statiche

Conduzione: S onConduzione: S on

E I

1 10



++

--uuSS

iiSS

E I

1 11


++

--uuSS

iiSS++

---UUSSonon

U VSon ≅ ÷1 3


E I

1 12

Pon > 0

++

--uuSS

iiSS++

---UUSSonon

U VSon ≅ ÷1 3



E I

1 13

Interdizione: S offInterdizione: S off


--uuSS

iiSS++

E I

1 14



--uuSS

iiSS

IISSoffoff

I nA mASoff ≅ ÷

++

E I

1 15

--uuSS

iiSS

IISSoffoff

I nA mASoff ≅ ÷

Poff ≅ 0

++



E I

1 16

Interruttori elettronici di potenzaInterruttori elettronici di potenzaCaratteristiche dinamicheCaratteristiche dinamiche

E I

1 17

onon

Interruttori elettronici di potenzaInterruttori elettronici di potenzaCaratteristiche dinamicheCaratteristiche dinamicheCommutazione in accensione:Commutazione in accensione:

E I

1 18

Durante la commutazione, Durante la commutazione, l’interruttore elettronico è un l’interruttore elettronico è un

generatore di corrente a generatore di corrente a rampa crescenterampa crescente++

--uuSS

onon

iiSS


E I

1 19

ttSWSWonon++

--uuSS

onon

iiSS

tt

iiSS IISSonon


E I

1 20

++

--uuSS

onon

iiSS

UUSSoffoff ee IISSonon sono imposti dal circuito esternosono imposti dal circuito esterno

tt

IISSonon

tt

uuSS

UUSSonon

UUSSoffoff

ttSWSWonon

Commutazione in accensione:Commutazione in accensione:


iiSS

E I

1 21

CommutazioneCommutazionein accensione:in accensione:Energia dissipata in Energia dissipata in ogni commutazioneogni commutazionett

iiSS IISSonon

tt

uuSS

UUSSonon

UUSSoffoff

ttSWSWonon

Interruttori elettroniciInterruttori elettronici

W u i dt

U It

SW S S

t

S SSW

on

SWon

off onon

=

=

∫0

2

E I

1 22

tt

IISSonon

tt

uuSS

UUSSonon

UUSSoffoff

ttSWSWonon

Interruttori elettroniciInterruttori elettroniciCommutazioneCommutazionein accensione:in accensione:Energia dissipata in Energia dissipata in ogni commutazioneogni commutazione

P f WSW S SWon on= ⋅

iiSS

E I

1 23


E I

1 24

Commutazione in spegnimento:Commutazione in spegnimento:

offoff


E I

1 25

Durante la commutazione, Durante la commutazione, l’interruttore elettronico è un l’interruttore elettronico è un generatore di corrente a generatore di corrente a rampa decrescenterampa decrescente++

--uuSS

offoff

iiSS



E I

1 26

ttttSWSWoffofftt

iiSSIISSonon

++

--uuSS

offoff

iiSS



E I

1 27

++

--uuSS

offoff

iiSS

tt

iiSSIISSonon

tt

uuSS

UUSSonon

UUSSoffoff

ttSWSWoffoffUUSSoffoff ee IISSonon sono imposti dal circuito esternosono imposti dal circuito esterno



E I

1 28

tt

iiSSIISSonon

tt

uuSS

UUSSonon

UUSSoffoff

ttSWSWoffoff

CommutazioneCommutazionein spegnimento:in spegnimento:Energia dissipata in Energia dissipata in ogni commutazioneogni commutazione


W u i dt

U It

SW S S

t

S SSW

off

SWoff

off onoff

=

=

∫0

2

E I

1 29

P f WSW S SWoff off= ⋅

tt

iiSSIISSonon

tt

uuSS

UUSSonon

UUSSoffoff

ttSWSWoffoff

CommutazioneCommutazionein spegnimento:in spegnimento:Energia dissipata in Energia dissipata in ogni commutazioneogni commutazione


E I

1 30

•• Le perdite di commutazione sono circa Le perdite di commutazione sono circa proporzionali ad proporzionali ad IISonSon, , UUSoffSoff ed ed ffSS

•• Le perdite di conduzione sono circa Le perdite di conduzione sono circa proporzionali ad proporzionali ad IISonSon (ed indipendenti da (ed indipendenti da ffSS))

•• Le perdite di interdizione sono trascurabiliLe perdite di interdizione sono trascurabili


E I

1 31

Perdite complessive:Perdite complessive:

P P P P Pd on off SW SWon off= + + +


E I

1 32

PPSWSW

PPdd

ffSS

PPonon

Perdite complessive:

P P P P Pd on off SW SWon off= + + +


E I

1 33

Interruttore idealeInterruttore ideale

E I

1 34

•• Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono elettronici sono scarsamente influentiscarsamente influenti


E I

1 35

•• I tempi di commutazione degli interruttori I tempi di commutazione degli interruttori sono infatti molto più piccoli dei tempi con sono infatti molto più piccoli dei tempi con cui evolvono le grandezze del circuitocui evolvono le grandezze del circuito

Interruttore idealeInterruttore ideale•• Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a

commutazione, le nonidealità degli interruttori commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influentielettronici sono scarsamente influenti

E I

1 36

•• Le cadute di tensione in conduzione sono Le cadute di tensione in conduzione sono solitamente trascurabili rispetto alle solitamente trascurabili rispetto alle tensioni in gioco nel circuitotensioni in gioco nel circuito


•• I tempi di commutazione degli interruttori I tempi di commutazione degli interruttori sono infatti molto più piccoli dei tempi con sono infatti molto più piccoli dei tempi con cui evolvono le grandezze del circuitocui evolvono le grandezze del circuito

•• Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influentielettronici sono scarsamente influenti

E I

1 37

•• I circuiti vengono dunque analizzati, in I circuiti vengono dunque analizzati, in prima approssimazione, assumendo prima approssimazione, assumendo interruttori idealiinterruttori ideali

Interruttore idealeInterruttore ideale•• Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a

commutazione, le nonidealità degli interruttori commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influentielettronici sono scarsamente influenti

E I

1 38

•• Gli effetti delle nonidealità (in particolare le Gli effetti delle nonidealità (in particolare le perdite) vengono valutati in seconda perdite) vengono valutati in seconda approssimazioneapprossimazione


•• I circuiti vengono dunque analizzati, in I circuiti vengono dunque analizzati, in prima approssimazione, assumendo prima approssimazione, assumendo interruttori idealiinterruttori ideali

•• Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a Dal punto di vista dell’analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influentielettronici sono scarsamente influenti

E I

1 39

Interruttore elettronico idealeInterruttore elettronico idealeCaratteristiche staticheCaratteristiche statiche

E I

1 40

S onS on uuSS = 0= 0++

--uuSS

iiSS Conduzione:Conduzione:


E I

1 41

S onS on uuSS = 0= 0++

--uuSS


S offS off iiSS = 0= 0++

--uuSS

iiSS Interdizione:Interdizione:


E I

1 42

S onS on uuSS = 0= 0 PPonon = u= uS S iiSS = 0= 0++

--uuSS


S offS off iiSS = 0= 0 PPoffoff = u= uS S iiSS = 0= 0++

--uuSS

iiSS Interdizione:Interdizione:

In ambo i modi di funzionamento In ambo i modi di funzionamento l’interruttore non dissipa potenzal’interruttore non dissipa potenza


E I

1 43

Interruttore elettronico idealeInterruttore elettronico idealeCaratteristiche dinamicheCaratteristiche dinamiche

E I

1 44

++

--uuSS

iiSS



E I

1 45

++

--uuSS

iiSS

ttSWSWonon = 0= 0


iiSS IISonSon

tt


E I

1 46

++

--uuSS

iiSS

ttSWSWonon = 0= 0


W u i dtSW S S

t

on

SW on= ⋅∫

0= 0= 0

iiSS IISonSon

tt


E I

1 47



++

--uuSS

iiSS

E I

1 48

ttttSWSWoffoff = 0= 0

iiSSIISonSon



++

--uuSS

iiSS

E I

1 49

ttttSWSWoffoff = 0= 0

= 0= 0W u i dtSW S S

t

off

SW off= ⋅∫

0

iiSSIISonSon


++

--uuSS

iiSS


E I

1 50

•• Caduta di tensione in Caduta di tensione in conduzione nullaconduzione nulla

•• Corrente in interdizione nullaCorrente in interdizione nulla

•• Tempi di commutazione nulliTempi di commutazione nulli

•• Nessuna potenza dissipataNessuna potenza dissipata

Interruttori elettronici idealiInterruttori elettronici ideali

E I

1 51

1.2 – Famiglie di interruttori

E I

1 52

-v+i

chiuso

i

vaperto

comando

Interruttore idealeSimbolo e caratteristica statica

E I

1 53

-v+i

i

v

Diodo idealeSimbolo e caratteristica statica

E I

1 54

-v+i

chiuso

i

vaperto

comando

chiuso +aperto

Interruttore ideale a conduzione inversaSimbolo e caratteristica statica

E I

1 55

-v+i

chiuso

i

vaperto

comandochiuso +aperto

Interruttore ideale a blocco inversoSimbolo e caratteristica statica

E I

1 56

1.3 - Interruttori reali asemiconduttore

E I

1 57

I dispositivi attivi di commutazione a semiconduttore, usati come interruttori, sidiscostano dal comportamento dell’interruttoreideale per molti aspetti diversi.

Perdite di conduzione

Perdite di dispersione

Perdite di commutazione

Interruttori reali a semiconduttore

E I

1 58

In commutazione:tensione e la corrente non passanoistantaneamente da zero al massimo o viceversa, ma impiegano tempi finiti (“tempi di commutazione”).

La potenza media dissipata nelle commutazioni non è di solito trascurabile.

Essa costituisce il principale fattore che limita la frequenza di operazione degli interruttori reali


E I

1 59

I dispositivi a semiconduttore più usati in Elettronica di potenza Diodi di potenza e Diodi Schottky, MOSFET di potenza, Transistori Bipolari(soprattutto Darlington), IGBT, SCR, GTO, TRIAC. Differenza principali: velocità di commutazioneMassime tensioni, correnti e potenze dissipabili

MOSFET piccole potenze ed elevate frequenzeSCR, GTO alte potenze e basse frequenze


E I

1 60

1.4 - Caratteristiche statichedei dispositivi reali

E I

1 61

-v+i

i

atan (R)atan (r)

Pv

r= dvdi

R= vi

Resistenza e resistenza differenzialeResistenza e

resistenza differenziale di un diodo

E I

1 62

Caratteristiche lineari di resistenze ohmicheResistenza e resistenza differenziale

i R=r

v

R'=r'

R"=r"

r= dvdiR= v

i = =costante

E I

1 63

Caratteristiche di BJT per diversi valoridella corrente di base IB

Caratteristiche statiche dei dispositivi reali

i

v

B1I

B2I

B3I

B4I

atan (R)atan (r)

P

E I

1 64

Caratteristiche di MOSFET per diversi valoridella tensione Gate/Source VGS

i

v

GS1V

atan (R)atan (r)

P

00

GS2V

GS3V

GS4V

GS5V

Caratteristiche statiche dei dispositivi reali

E I

1 65

1.5 - Commutazioni deidispositivi reali

E I

1 66

-E+

A

C

comando

Dispositivoreale a

semiconduttore

i

v-

+

RL

Circuito di prova con carico resistivo

Commutazioni dei dispositivi reali

E I

1 67

vVon

tswon tswoff

ILE

Won WoffWcondp

it

t

p = v i

ONOFF OFF

iv

p = v i

p Lp =E I /4max

Commutazioni con carico resistivo


E I

1 68

i

ON

v

OFF

EVON

tswoff

IL=E/RL

tswon

Stati e percorsi di commutazionecon carico resistivo


E I

1 69

-E+

I L

Diodoideale

A

C

comando

-E+

L

Dispositivoreale a

semiconduttore

i

v-

+

D L

S

Circuito di prova con carico induttivo

Commutazioni e perdite dei dispositivi reali

E I

1 70

-E+

I L

Diodoideale

A

C

comando

Dispositivoreale a

semiconduttore

i

v-

+

DGeneratoreideale dicorrente

S

Circuito di prova con carico di tipo induttivocon generatore ideale di corrente


E I

1 71

vVon

tswon tswoff

ILE

it

iv

t ri t fv t rv t fi

Won WoffWcondp

t

p = v i

ONOFF OFF

p = v i

p

Lp =E Imax

Commutazioni con carico di tipo induttivo


E I

1 72

i

ON

v

OFF

EVON

tswoff

IL=E/RL

tswon

Stati e percorsi di commutazionecon carico di tipo induttivo


E I

1 73

1.6 - SOA

E I

1 74

i

ON

v

OFF

EVON

tswoff

IL=E/RL

tswon

70 W130

340

180

550

1300 W

DC

740

1020

Stati e percorsi di commutazionecon carico resistivo con curve a potenza costante


Coordinate lineari

E I

1 75

i

ON

v

OFF

EVON

tswoff

IL=E/RL

tswon

DC

70 W130

340180

550

1300 W

740

1020

Stati e percorsi di commutazionecon carico di tipo induttivo e curve a potenza costante


Coordinate lineari

E I

1 76

i

vE

1300 W

70 W

DC

ON

OFF

IL=E/RL

Stati e percorsi di commutazionecon carico resistivo e curve a potenza costante

SOA

Coordinate logaritmiche

E I

1 77

i

1300 W

70 W

DC

100ms10ms

1ms

100µs

Imax

VmaxSINGLE PULSE

R =1.67 K/WthJC

T =25 CCo

T =150 C MAX.Jo

v

ONIL=E/RL

E

OFF

Stati e percorsi di commutazionecon carico di tipo induttivo e curve a potenza costante

SOA

Coordinate logaritmiche

E I

1 78

Limiti dei dispositivi a semiconduttore:

potenza dissipatatensioni e correnti istantanee massime“Breakdown secondario”

Rappresentazione sul piano v-i dei limiti:“Area di Operazione Sicura”

indicata in inglese con SOA, Safe Operating Area

SOA

E I

1 79

i

v

ONIL=E/RL

E

DC

5ms

2ms

1ms

50 µs

SINGLE PULSET =25 CC

o

DC

0.5ms

0.1ms

1 µ s

Second Breakdown

Thermal limitation

VmaxOFF

Imax

Fig.1.6.5. Stati e percorsi di commutazionecarico induttivo - SOA con Breakdown Secondario

SOA

E I

1 80

1.7 - SNUBBER

Scopi: - ridurre le perdite nel dispositivo- limitare le velocità di variazione delle

tensioni e/o correnti

E I

1 81

-E+

A

C

comando

Dispositivoreale a

semiconduttorei

v-

+

S

Snubberdi

RC-Diodospegnimento

Caricodi tipo

induttivo

Circuito di prova con carico di tipo induttivocon snubber di spegnimento (turn-off) RC-Diodo

Snubber RC-Diodo

E I

1 82

vVon

tswon tswoff

ILE

it

iv

t ri t fv t rvt fi

Won WoffWcondp

t

p = v i

ONOFF OFF

p = v i

p

pmax

Commutazioni con carico di tipo induttivocon snubber di spegnimento RC-Diodo

Snubber RC-Diodo

potenza dissipata e dv/dt allo spegnimento ridottema aumento della corrente all’accensione

E I

1 83

i

vEVON

tswoff

IL=E/RLtswonON

OFF


Snubber RC-Diodo

E I

1 84

i

1300 W

70 W

DC

100ms10ms

1ms

100µs

Imax

Vmax

v

ONIL=E/RL

E

OFF


Snubber RC-Diodo

E I

1 85

-E+

A

C

comando

Dispositivoreale a

semiconduttorei

v-

+

S

Snubberdi

RC-Diodospegnimento

Caricodi tipo

induttivo

Snubberdi

LR-Diodoaccensione


e di accensione RL- Diodo che limita la velocità di crescita della corrente del dispositivo all’accensione.

Snubber RC-Diodo e RL-Diodo

E I

1 86

vVon

tswon tswoff

ILE

it

iv

t ri

t fv t rv

t fi

Won WoffWcondp

t

p = v i

ONOFF OFF

p = v i

p pmax


e di accensione RL-Diodo


E I

1 87

i

vEVON

tswoff

IL=E/RLtswon

ON

OFF




E I

1 88

i

1300 W

70 W

DC

100ms10ms

1ms

100µs

Imax

Vmax

v

ONIL=E/RL

E

OFF




E I

1 89

Vantaggi:riduzione delle dissipazioniper evitare stati pericolosi durante le commutazioni.

Svantaggi:richiedono notevoli complicazioni circuitali che

comportano aggravi di costi e, in molti casi,riduzioni di affidabilità.

Tendenza attuale:evitarne l’impiego, anche perchè si sono avuti notevoli

miglioramenti nelle prestazioni (soprattutto lavelocità) dei dispositivi.

Snubber

E I

1 90

1.8 - Smaltimento del calore,Resistenze edImpedenze termiche

E I

1 91

Dispositivo di potenzamontato su dissipatore

Smaltimento del calore

E I

1 92

1- Giunzione J2- Saldatura e strato di dilatazione

3- Parte metallica Cdell'involucro

(Cu, Al, .....)Contatto CS

4- Dissipatore S

DMP

Trasmissione del calorenei dispositivi di potenza


E I

1 93

Per ogni passaggio si ha un salto di temperatura che, in prima approssimazione, si può considerare proporzionale al flusso di calore trasmesso.

Il fattore di proporzionalità salto di temperatura/flusso di calore è detto resistenza termica.

La quantità di calore è misurata in calorie o anche,essendo una energia, in Joule (1Cal=4185J).Ilflusso di calore è misurato in Cal/s oppure in Joule/secondo, cioè in Watt. La resistenza termica si misura quindi in oC·s/Cal oppure in oC/W.


E I

1 94

1Giunzione J

2 3 4 5Involucro C Dissipatore S Ambiente A

thJCR thCSR thSARDAVP

Potenza

dissipatamedia

JT CT ATST

Rete elettrica equivalentedella trasmissione del calore - valori medi


T T P R R RJ A thJC thCS thSA= + ⋅ + +( )

E I

1 95

TJlim

tp

PDM

TJ

t

t

TJmaxTA

0

Risposta termica transitoriaad un gradino di potenza dissipata


E I

1 96

La variazione di temperatura del materiale assorbe una certa quantità di calore.

Si ha cioè una certa “Capacità termica” del materiale, la cui azione può essere rappresentata aggiungendo al circuito equivalente elettrico di delle capacità equivalenti Cth,

In ogni nodo, i valori di tali capacità dipendono dalvolume di materiale, e quindi dalla sua massa, a cuiil nodo corrisponde, e dal valore del calore specifico del materiale stesso.

Capacità termiche

E I

1 97

1Giunzione J


thJCR thCSR thSAR

DMP

Potenza

dissipatamassima

JT CTATST

th1C th2C th3C th4C

Rete elettrica equivalente transitoriadella trasmissione del calore - valori massimi

Capacità termiche

T T P Z tJ A DM th pmax ( )= + ⋅

Zth “impedenza termica transitoria”

E I

1 98

1Giunzione J


thJCR thCSR thSAR

DMP

Potenza

dissipatamassima JT CT

ATST

th1CC th2CC th4C

th3C =thCC

Rete elettrica equivalente transitoriariferita all’involucro - valori massimi

Capacità termiche

E I

1 99

TJlim

tp

PDM

TJ

t

t

TJmax

TC

0

t r

TJmedia

PDmedia

Risposta termica ad una serie periodicadi impulsi di potenza dissipata


E I

1100

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.5

1.0

2.0

5.0

10.0

10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 102 5 2 5 2 5 2 5 2 5 2 5

d=0.5

d = 0

0.20.10.05

0.020.01

t - durata dell' impulso (secondi)p

Z /R thJCthJC

Andamento tipico di impedenze termiche ZthJCper diversi valori del duty-cycle d

Valori normalizzati alla resistenza termica RthJC


E I

1101

1.4 - Diodi di potenzae diodi Schottky

E I

1102

Diodi di potenza al silicio a giunzione pn

Valori tipici di VKN 0.7÷1.2 V,

Valori di resistenze tali da mantenere le cadute alla corrente nominale a 1÷2.2 V.

Correnti nominali da pochi A fino a 1000÷2000 A.

Corrente inversa di fuga IR molto piccola rispetto alla corrente nominale IFN

(IFN/IR maggiore di 20000÷40000).

Diodi di potenza

E I

1103

Se la tensione inversa supera un valore limite BVKA(tensione di “Breakdown”), si ha la scarica avalanga e la corrente inversa aumenta bruscamente.

I valori di BVKA variano molto da un dispositivo all’altroe possono andare da poche decine di Volt fino a 2000 V.

Alcuni diodi (a “valanga controllata”) sono costruiti inmodo da poter sopportare, entro dati limiti di corrente, tensione e di durata, le condizioni dibreakdown.

Diodi di potenza

E I

1104

-v+i

i

v

BVKA

VKN

A KAnodo Catodo

Breakdowna valanga

Resistenzaohmica

I R

Diodi di potenzaSimbolo e caratteristica statica

E I

1105

Caduta in conduzione diretta ridotta rispetto ai diodi agiunzione pn. VKN è tipicamente di 0.3-0.4 V perdite di conduzione molto ridotte.

Tempi di commutazione molto ridotti rispetto ai corrispondenti diodi al silicio di potenza a giunzione pn.

Per contro, la massima tensione inversa dibreakdown BVKA è minore.

I limiti massimi reperibili non superano 200 V.

Diodi di potenza Schottky

E I

1106

-

+

I L

Diodoin prova

Diodoideale

i T

A

K

VR

i v+

-

Diodi di potenza: Commutazioni

Circuito di prova per le forme d’ondae per i tempi di commutazione

E I

1107

i

t

t

v

t Fdt Fr

VFpVon

t rdt Rf

t rr

t ri

I rr

I L

VRVrr

diR/dtdiF /dt

VR

Q rr=Irrt rr/2

0.25 Irr

t rdt ri

S =

I R I R

Diodi di potenza: CommutazioniCommutazioni

E I

1108

Per un diodo di potenza, come per gli altri dispositivi,il costruttore specifica tre tipi di dati:

- “limiti massimi assoluti” (“absolute maximum ratings”) valori che non devono essere superatiper non danneggiare il componente.

- “caratteristiche” (“characteristics”) che comprendono sia valori minimi e/o massimi, inben precise condizioni di funzionamento e di temperatura, che si garantisce non vengano superati, sia valori tipici.

- “curve tipiche” (“typical performance curves”) che mostrano l’influenza delle variazioni delle condizioni di funzionamento sui vari parametri del dispositivo.

Diodi di potenza: Specifiche

E I

1109

Per un diodo di potenza, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere:

- Absolute maximum ratings, TC=25 °C (unless otherwise specified)

Peak repetitive reverse voltage VRRM 1000 VWorking peak reverse voltage VRWM 1000 VDC blocking voltage VR 1000 VAverage rectified forward current IF(AV) 30 A

(TC=117 °C)

Diodi di potenza: Limiti Massimi

E I

1110

Repetitive peak surge current IFSM 60 A(square wave, 20 kHz)

Nonrepetitive peak surge current IFNRSM 300 A(halfwaave, 1 phase, 60 hz)

Maximum power dissipation PD 125 WAvalanche energy EAVL 20 mJOperating and storage

temperature TSTG, TJ -65 to +125 °C

Diodi di potenza: Limiti Massimi

E I

1111

Esempio di specificazione:caratteristiche garantite

VF at IF =30 A, TC =25 °C Max 1.8 V VF at IF =30 A, TC =150 °C Max 1.6 VIR at VR =800 V, TC =25 °C Max 500 µAIR at VR =800 V, TC =150 °C Max 1 mA trr at IF =1 A, dIF/dt =100 A/µs Max 110 nsRθJC Max 1.2 °C /W

valori indicativi:trr at IF =30 A, dIF/dt =100 A/µs Typ 150 nstri at IF =30 A, dIF/dt =100 A/µs Typ 90 nstrd at IF =30 A, dIF/dt =100 A/µs Typ 45 ns

Diodi di potenza: Caratteristiche

E I

1112

CAMPI DI APPLICAZIONEDEI DISPOSITIVI DI POTENZA

E I

1113

SETTORI DI APPLICAZIONE ELETTRONICA DI POTENZA

Tensione di Breakdown [V]100010010

1

100

10

1000

10000

Porta

ta in

cor

rent

e [A

]

TelecomA

utom

otiv

e

Robotica

UPS

Lamp.ballast

Con

trol

lom

otor

i

Traz

ione

elet

tric

a

Monitor

E I

1114

Frequenza [Hz]100K1K10

10

100K

1K

10M

Pote

nza

[V*A

]

1G

Telecom

Aut

om

otiv

eUPS

Traz

.el

ettr

.

Monitor

Contr.motori

Lamp.ballast

10MSETTORI DI APPLICAZIONI ELETTRONICA DI POTENZA

E I

1115

PROCESSO DI FABBRICAZIONE BIPOLARI DI POTENZA

TECNOLOGIA PLANARE

E I

1116

Substrato N+

X ~ 600 µm

ρ ~ 10 mΩ • cmNN++ N+

E I

1117

NN++

NN

NN--X ~ 15 µm

ρ ~ 5 Ω • cm

Crescita epitassiale strati N e N-

Bassa Tensione ~ 100 V

N-

X ~ 80 µm

ρ ~ 80 Ω • cm

Alta Tensione ~ 1000 V

N-

E I

1118

NN++

NN

NN--

Xossido ~ 1 µm

Ossidazione iniziale

SiO2

E I

1119

NN++

NN

NN--

Photoresist

Mascheraturae attacco

Fotolitografia

E I

1120

NN++

NN

NN--

Formazione anello di bordo

impianto ionico P(boro o alluminio)

diffusione in ambiente ossidante

PP

E I

1121

NN++

NN

NN--

Formazione base

impianto ionico P+

fototecnica base

xj ~ 10 µmCs ~ 1018 at/cm3

PP++PP PP

E I

1122

NN++

NN

NN--PP++ NN++++PP

Formazione emettitore

fototecnicaemettitore

xj ~ 5 µmCs ~ 1020 at/cm3

impianto ionico N++

E I

1123

Xmetal ~ 3 µm

NN++

NN

NN--PP++ NN++++PP

Contatti e metallizzazione

AlSi

E I

1124

metal TiNiAu

Riduzione spessore e metallizzazione retro

X ~ 400 µm

NN++

NN

NN--PP++ NN++++PP

E I

1125

1.5 - Transistori Bipolari(connessione Darlington)

E I

1126

CCollettore

E

B

Emettitore

Base

BJTnpn

CCollettore

E

B

Emettitore

Base

BJTpnp

Transistori Bipolari (BJT) di potenzaSimboli

E I

1127

Collettore

BBase

C

EEmettitore

1T

T2

D2

D1

Transistori Bipolari npn di potenzain connessione Darlington

Simbolo

E I

1128

BVCBOVCE

I CSaturazione

I B

BI crescente

Regione attiva

Breakdownprimario

Breakdownsecondario

BVCEOBVSUS

BI <0

I =0B0

0 ICEO

Caratteristiche statiche (IC, VCE) param. IB

BJT di potenza: Caratteristiche statiche

E I

1129

VCE

I C

I B

BI crescente

Regione attiva

Breakdownsecondario

Saturazione"forte" ("hard")

Quasi - saturazione

1/RD

00 ICEO

Caratteristiche statiche (IC, VCE) param. IBDiagramma espanso nella zona di saturazione

BJT di potenza: Caratteristiche statiche

E I

1130

IC

IB

atan( )IC / IB

IC

/IBICβ ~=

Guadagno di corrente β=IC/IB in zona attiva BJT di potenza: Caratteristiche statiche

E I

1131

+

-E+

vBB-

RB

I LDiodoideale

C

EB


BJT di potenza: Commutazioni

E I

1132

i B

vBE

vCE

i CVCE sat

vBE i B

vCE

i C

EI L

tfvtri

tdon tswon tswoff

t fit rv

tsat

I B on

I B off

VBE off

VBE on

t

t

CommutazioniBJT di potenza: Commutazioni

E I

1133

Per un BJT di potenza, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere:

- Absolute maximum ratings (TC=25 °C)Collector-emitter voltage VCEO 450 V Collector-emitter voltage

(VBE =-2.5 V) VCEX 700 VEmitter-base voltage VEBO 7 VCollector current IC 30 ACollector current (tp ≤ 5ms) ICM 60 ABase current IB 8 ABase current (tp ≤ 5ms) IBM 30 A

BJT di potenza: Limiti Massimi Assoluti

E I

1134

Power dissipation Ptot 150 WJunction temperature Tj -65,+150 WInsulation voltage (t=1 mn) Vins 2500 VRMSScrew torque (mounting terminals) 15 kg ·cmJunction-case thermal resistance Rth (j-c) 0.83 °C/W

BJT di potenza: Limiti Massimi Assoluti

E I

1135

Per un BJT di potenza, un esempio di specificazione delle caratteristiche garantite e tipiche può essere:

OFF CHARACTERISTICSBVCEO sus @ Tj=25 °C, IB=0 A,

IC=0.2 A, L=25 mH Min 450 VBVEBO sus @ Tj=25 °C, IC=0 A,

IE=100 mA Min 7 VMax 30 V

ICEX @ Tj=25 °C, VCE= VCEX, VBE=-2.5 V Max 0.4 mA

ICEX @ Tj=125 °C, VCE= VCEX, VBE=-2.5 V Max 4 mA

BJT di potenza: Caratteristiche

E I

1136

ICER @ Tj=25 °C, VCE= VCEX, RBE=5 Ω Max 1 mA

ICER @ Tj=125 °C, VCE= VCEX, RBE=5 Ω Max 8 mA

IEBO @ Tj=25 °C, IC= 0 A, VBE=-5 V Max 2 mA

ON CHARACTERISTICSVCE sat @ Tj=25 °C, IC=20 A,

IB=4 A, pulsed tp<300µs d<2% Max 1.5 VVCE sat @ Tj=25 °C, IC=30 A,

IB=8 A, pulsed tp<300µs d<2% Max 3.5 VVBE sat @ Tj=25 °C, IC=20 A,

IB=4 A, pulsed tp<300µs d<2% Max 1.6 V


E I

1137

DYNAMIC CHARACTERISTICSfT @ Tj=25 °C, f=1 MHz, IC=1 A,

VCE=10 V Typ 5 MHzC22b @ Tj=25 °C, f=1 MHz,

VCE=10 V Typ 500 pF

SWITCHING CHARACTERISTICS- Switching times on resistive loadton @ Tj=25 °C, VCC=150 V, IC=20 A,

IB1=- IB2=4 A Typ 0.55 µsMax 1 µs

ts @ Tj=25 °C, VCC=150 V, IC=20 A, IB1=- IB2=4 A Typ 1.5 µs

Max 3 µs


E I

1138

tf @ Tj=25 °C, VCC=150 V, IC=20 A, IB1=- IB2=4 A Typ 0.3 µs

Max 0.8 µs- Switching times on inductive loadts @ Tj=25 °C, VCC=300 V, VBB=-5 V,

IC=20 A, IBend=4 A, LB=1.5µΗ Typ 3.5 µsts @ Tj=100 °C, VCC=300 V, VBB=-5 V,

IC=20 A, IBend=4 A, LB=1.5µΗ Max 5 µstf @ Tj=25 °C, VCC=300 V, VBB=-5 V,

IC=20 A, IBend=4 A, LB=1.5µΗ Typ 0.08 µstf @ Tj=100 °C, VCC=300 V, VBB=-5 V,

IC=20 A, IBend=4 A, LB=1.5µΗ Max 0.4 µs


E I

1139

1.6 - MOSFET di potenza

E I

1140

Struttura del PMOS

NN++++PP PP++NN--

NN++

Metal

Dielettrico

Polysilicio

Ossido di Gate

E I

1141

NN++++PP PP++NN--

NN++

Wc

Lc

E I

1142

NN++++PP PP++NN--

NN++

Struttura 3D del PMOS

E I

1143

Simulazione 2D di una cella PMOS

102010171014

11µµmm

at/cm3

E I

1144

DDrain

S

G

Source

Gate

MOSFETa canale p

DDrain

S

G

Source

Gate

MOSFETa canale n

MOSFET di potenzaSimboli

E I

1145

MOSFETa canale p

MOSFETa canale n

DDrain

S

G

Source

Gate

DDrain

S

G

Source

Gate

MOSFET di potenzaSimboli

col diodo integrale messo in evidenza

E I

1146

BVDSS

interdizione

VDS

I DRegioneattiva

Regioneohmica

VGS < V GS thV GS

V crescenteGS

00 IDSS

Caratteristiche statiche (ID, VDS) param. VGS

MOSFET di potenza: Caratteristiche statiche

E I

1147

VGS

I D

V GS th

linearizzata

effettiva

00

IDSS

Caratteristica di trasferimento (ID, VSG)in regione attiva

MOSFET di potenza: Caratteristiche statiche

E I

1148

Caratteristiche dei MOSFET di potenza, usati comeinterruttori a conduzione inversa:

Pilotaggio molto semplice;intrinsecamente più veloci degli altri dispositivi di

potenza ma un pò più costosi e più sensibili alle sovratensioni.

Cadute in conduzione maggiori, specie condispositivi per alte tensioni.

Limiti di correnti e tensioni da pochi Ampere fino a 100 Ada poche decine di Volt fino a circa 1500 V.

MOSFET di potenza: Applicazioni

E I

1149

D

SG+

-E+

vGG-

RG

I LDiodoideale

MOSFET di potenza: CommutazioniCircuito di prova per le forme d’onda

e per i tempi di commutazione

E I

1150

CGS

CGD

CDS

DDrain

S

G

Source

Gate

MOSFETa canale n

MOSFET di potenza: CommutazioniCapacità Equivalenti

E I

1151

t

t

vGG

vGS

i G

vGS (I )LvGS th

i G

vGS

vGG

vDS

VDS on

vDS

i Di D

i D

tfvtri

tdon

tswon

tswoff

t fit rv

tdoffE

I L

MOSFET di potenza: CommutazioniCommutazioni

E I

1152

Anche per i MOSFET di potenza si specificano tretipi di dati: limiti massimi assoluti (absolute maximum ratings), caratteristiche(characteristics), curve tipiche (typical performance curves) (si vedano le definizioni datetrattando dei diodi di potenza).

MOSFET di potenza: Specifiche

E I

1153

Per un MOSFET di potenza, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere:

- Absolute maximum ratingsContinuous Drain Current

(VGS=10 V, TC=25 °C) ID 16 AContinuous Drain Current

(VGS=10 V, TC=100 °C) ID 10 APulsed Drain Current

(repetitive rating) (1) IDM 64 A

MOSFET di potenza: Limiti Massimi

E I

1154

Power Dissipation (TC=25 °C) PD25 280 WLinear Derating Factor DF 2.2 W / °CGate to Source Voltage VGS ± 20 V Single Pulse Avalanche Energy(2)EAS 1000 mJAvalanche Current (1) IAR 16 ARepetitive Avalanche Energy (1) EAR 28 mJPeak Diode Recovery dv/dt (3) dv/dt 3.0 V/nsOperating Junction and Storage

Temperature Range TJ, TSTG -55/+150 °CSoldering Temperature (for 10 s,

1.6 mm from case) 300 °CMounting Torque (6-32 or M3 screw) 1.1 Nm

MOSFET di potenza: Limiti Massimi

E I

1155

Per un MOSFET di potenza, un esempio di specificazione delle caratteristiche garantite etipiche può essere:

- Thermal resistanceRθJC Junction to Case Max 0.45 °C /WRθCS Case to Sink, Flat, Greased

Surface Typ 0.24 °C /WRθJA Junction to Ambient Max 40 °C /W

- Electrical characteristics @ TC=25 °C (unless otherwise specified)

BVDSS @ VGS=0V, ID =250 µA Min. 600 V

MOSFET di potenza: Caratteristiche

E I

1156

∆BVDSS/∆ΤJ @ TJ=25 °C,ID=1 mA Typ 0.83 V/ °CRDS(on) @ VGS=10 V, ID=9.6 A (4) Max 0.40 ΩVGS(th) @ VDS=VGS, ID=250 µA Min/Max 2/4 Vgfs (Forward transconductance)

@ VDS=50 V,ID=9.6 A (4) Min 13 SIDSS @ VDS=600 V, VGS=0 V Max 100 µAIDSS @ VDS=480 V,

VGS=0 V, TJ=125 °C Max 500 µAIGSS Gate to Source Forward Leakage

@ VGS=20 V Max 100 nAIGSS Gate to Source Reverse Leakage

@ VGS= -20 V Max -100 nA


E I

1157

QG @ ID=16 A, VDS=360 V,VGS=10 V Max 210 nC

QGS @ as above Max 26 nCQGD @ as above Max 110 nCtd(on) @ E=300 V, ID=16 A,

RG=4.5 Ω, RD=18 Ω Typ 19 nstr @ as above Typ 54 nstd(off) @ as above Typ 110 nstf @ as above Typ 56 nsLD Typ 5 nHLS Typ 13 nH


E I

1158

CISS @ VGS=0 V, VDS=25 V,f=1 MHz Typ 3900 pF

COSS @ as above Typ 440 pFCRSS @ as above Typ 98 pF

- Source-Drain (Body Diode) Ratings and CharacteristicsIS Continuous Source Current Max 16 AISM Pulsed Source Current Max 64 AVSD Diode Forward Voltage @ VGS=0 V,

IS=16 A, TJ=25 °C Max 1.8 V


E I

1159

trr Reverse Recovery Time @ IS=16 A,TJ=25 °C, di/dt=100 A/µs Max 920 ns

Typ 610 nsQrr Reverse Recovery Charge

@ as above Max 9.9 µCTyp 6.6 µC

ton Forward Turn-On Time: intrinsic turn-on time is negligible, turn on is dominated by LS+LD


E I

1160

1.7 - IGBT

E I

1161

S G

D

NN--

PP++

NN++

D

G

S

Struttura PMOS

E I

1162

D

G

S

SS GG

DD

NN--

PP++

NN++

PP++++

Struttura IGBT

E I

1163

GGEE

CC

G

NN--

PP++++

--

++ ++ ++

--

++ ++ ++ ++

stato ONVG > VT VCE > 0 C

E

Flusso dei portatori

E I

1164

C

E

G

IICECE

IICC

IImosmos

IIBB

ICE = IC + Imos

βPNP = =ICIB

ICImos

E I

1165

ICE = Imos (1+βPNP)

ICE = IC + Imos

βPNP = =ICIB

ICImos

C

E

G

IICECE

IICC

IImosmos

IIBB

E I

1166

L’IGBT é un dispositivo a conduzione “mista”

Le caratteristiche di uscita sono determinatedal guadagno del PNP(bassa resistenza di uscita alle alte tensioni)

Le caratteristiche di ingresso sono analoghea quelle dei MOS di potenza (pilotaggio in tensione)

E I

1167

CCollettore

E

G

Emettitore

Gate

IGBTa canale n

Simboli alternativi di

CCollettore

E

G

Emettitore

Gate

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)Simboli

E I

1168

Emettitore

Gate

CCollettore

E

G

MOSFETCanale n

BJTpnp

BJTnpn

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)Struttura interna equivalente

E I

1169

BVCES

interdizione

VCE

I C

VGE < V GE thV GE

V crescenteGE

00

BVCER

ICES

IGBTCaratteristiche statiche (IC, VCE) param. VGE

E I

1170

VGE

I C

V GE th

linearizzata

effettiva

00 ICES

IGBTCaratteristica di trasferimento (ID, VSG)

in regione attiva

E I

1171

+

-E+

vGG-

RGC

EG

I LDiodoideale

IGBTCircuito di prova per le forme d’onda


E I

1172

t

t

vGG

vGE

i G

vGE (I )LvGE th

i G

vGE

vGG

vCE

VCE on

vCE

i C

i C

i C

tfvtri

tdon

tswon

tswoff

t fit rv

tdoffE

I L

I C tail

+VGG M

-V GG m

IGBTCommutazioni

E I

1173

Anche per gli IGBT si specificano tre tipi di dati: limiti massimi assoluti (absolute maximum ratings),caratteristiche (characteristics), curve tipiche(typical performance curves) (si vedano ledefinizioni date trattando dei diodi di potenza).

IGBT: Specifiche

E I

1174

Per un IGBT con diodo in antiparallelo contenuto nello stesso involucro, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere:

- Absolute maximum ratingsCollector-emitter voltage (gate shorted)

(VGE=0 V, TJ=25 °C to 150 °C ) VCES 1000 V Collector-gate voltage (RGE=1 MΩ,

TJ=25 °C to 150 °C ) VCGR 1000 V Gate-emitter voltage (collector shorted)

continuous (VCE=0 V) VGES ±20 V Gate-emitter voltage (collector shorted)

transient (VCE=0 V) VGES ±30 V

IGBT: Limiti Massimi

E I

1175

Per un IGBT con diodo in antiparallelo contenuto nello stesso involucro, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere:

- Absolute maximum ratingsCollector-emitter voltage (gate shorted)

(VGE=0 V, TJ=25 °C to 150 °C ) VCES 1000 V Collector-gate voltage (RGE=1 MΩ,

TJ=25 °C to 150 °C ) VCGR 1000 V Gate-emitter voltage (collector shorted)

continuous (VCE=0 V) VGES ±20 V Gate-emitter voltage (collector shorted)

transient (VCE=0 V) VGES ±30 V


E I

1176


Continuous Drain Current

(VGS=10 V, TC=25 °C) ID 16 A

Continuous Drain Current

(VGS=10 V, TC=100 °C) ID 10 A

Pulsed Drain Current

(repetitive rating) (1) IDM 64 A

E I

1177

1.8 - SCR

E I

1178

A A

K K

GG

Catodo Catodo

Anodo Anodo

GateGate

Simboli alternativi dell'SCR

SCR (Silicon Controlled Rectifier)Simboli

E I

1179

Catodo

Gate

AAnodo

K

G

BJTpnp

BJTnpn

AAnodo

GateG

CatodoK

p

p

n

n

AAnodo

GateG

CatodoK

p

p

n

n

p

n BJTpnp

BJTnpn

Schema interno equivalentederivato dalla struttura a quattro strati pnpn

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

E I

1180

BVFOVAK

I A

BVRO

I G1 I G =0I G2

I G >0

I H

00

Caratteristiche statiche (IA, VAK) param. IG


E I

1181

-E+

+vGK-

RL

A

KG

I A

IG

Circuito di prova per illustrarel’innesco ed il comportamento bistabile


E I

1182

BVFOVAK

I A

BVRO

I G1 I G =0I G2

I G >0

I H

00

E

E/R L P1

P2

P3

Equilibriostabile

Equilibrioinstabile

Punti di equilibrio con IG = 0 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Con IG = 0 vi sonodue punti (P1 e P3)di equilibrio stabileed uno (P2) di equilibrio instabile

E I

1183

BVFOVAK

I A

BVRO

I G1 I G =0I G2

I G >0

I H

00

E

E/R L

P3

(equilibriostabile)

Interdizione

Condizione di interdizione P3 (IG = 0) SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Il punto P3corrisponde allaINTERDIZIONE(alta tensione VAKe piccolacorrente IA)

E I

1184

BVFOVAK

I A

BVRO

I G1 I G =0I G2

I G >0

I H

00

E

E/R L P1 (equilibriostabile con

Innesco

I =I >0)G G1

Innesco (con IG = IG1 > 0) SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Per causarel’INNESCOdell’SCR si mandain gate unaadeguata correnteIG > 0 (ad es. IG1 )

E I

1185

BVFOVAK

I A

BVRO

I G1 I G =0I G2

I G >0

I H

00

E


Innesco

I =I >0)G G1


In tali condizioni,l’unico puntodi equilibriopossibileè P1

Innesco (con IG = IG1 > 0)

E I

1186

BVFOVAK

I A

BVRO

I G1 I G =0I G2

I G >0

I H

00

E


Conduzione

I = 0)G


L’SCR rimane inCONDUZIONE, in P1 (alta correnteIA e piccola tensione VAK)anche quando sitorna a IG = 0

Condizione di conduzione P1 (IG = 0)

E I

1187

Catodo

Gate

AAnodo

G

BJTpnp

K

BJTnpn

Rn

Rp

Rn

Rp

Schema interno equivalente di principiocorrispondente alla struttura distribuita dell’SCR


E I

1188

+vGK-

Ld

A

KG

I A

IG

-v+

AA

Diodo ideale

I L

SCR (Silicon Controlled Rectifier)Circuito di prova per le forme d’onda


E I

1189

I L

t

t

VFVon

t rdt Rf

t rr

t ri

I rr

VRVrr

diR/dtdiF /dt

Q rr=Irrt rr/20.25 Irr

i G

i G

i A

i A i A

i A i G

tpstdon t Fr

dvF/dt

VR

t off

,

vAK vAA,

vAK

vAK

vAK vAK

vAKvAA

vAA

vAA vAA

CommutazioniSCR (Silicon Controlled Rectifier)

E I

1190

1.9 - GTO

E I

1191

A

K

G

Catodo

Anodo

Gate

SimboloGTO (Gate Turn Off thyristor)

E I

1192

BVFOVAK

I A

I G1

I G =0I G2

I H

00

I G3<0I G >0

BVRO

Caratteristiche statiche (IA, VAK) param. IG

GTO (Gate Turn Off thyristor)

E I

1193

BVFOVAK

I A

I G1

I G =0I G2

I H

00

I G3<0I G >0

E

E/R LEquilibrio

stabile

Equilibrioinstabile

P1

P2

P3

BVRO


Come per l’SCR, con IG = 0 vi sonodue punti (P1 e P3)di equilibrio stabileed uno (P2) di equilibrio instabile

Punti di equilibrio con IG = 0

E I

1194

BVFOVAK

I A

I G1

I G =0I G2

I H

00

I G3<0I G >0

E


Conduzione

I = 0)G

BVRO


Se il GTO è in CONDUZIONE,nel punto di equilibriostabile P1con IG = 0.....

Condizione di conduzione P1 (IG = 0)

E I

1195

BVFOVAK

I A

I G1

I G =0I G2

I H

00

I G3<0I G >0

E

E/R L(equilibrio

stabile)

Interdizione

P4BVRO

Spegnimento mediante comando IG = IG3 <0 GTO (Gate Turn Off thyristor)

portando IG ad unvalore negativo IG= IG3 <0, l’unico punto possibile di funzionamento è P4 (interdizione)

E I

1196

BVFOVAK

I A

I G1

I G =0I G2

I H

00

I G3<0I G >0

E

E/R L

P3

(equilibriostabile)

Interdizione

BVRO


Quando si tornaad IG = 0, il GTOrimaneINTERDETTO nel punto di equilibriostabile P3

Condizione di interdizione P3 (IG = 0)

E I

1197

Catodo

Gate

AAnodo

G

BJTpnp

K

BJTnpn

RpRp Rp

Schema interno equivalente di principiocorrispondente alla struttura distribuita del GTO


E I

1198

+vGK-

Ls

A

KG

I A

IG

Snubber diaccensione

I L

-E+

Cs

Snubber dispegnimento

+VGGP-

GGN+V-



E I

1199

i G

vGK

vAK

i A

VAKon

vAK

i A

E

I L

tdon tswon

tGKbrktfitsat

t

t

IGM IGBPi G

i G

vGK

vGK

vGGN

vGGN

ttail

dvAK

dti A

vAKi A tail

CommutazioniGTO (Gate Turn Off thyristor)

E I

1200

1.10 - TRIAC

E I

1201

G

Terminale 2

Terminale 1

Gate

MT1

MT2

TRIAC (Triode AC thyristor)Simbolo

E I

1202

BVOVMT2MT1

I MT2

I G =0I H1

00

I GT1+I G >

BVO

I G =0

I GT1-I G <

I H3

I GT3+I G >

I GT3-I G <

I G =0

I G =0

Caratteristiche statiche(IMT2, VMT2MT1) param. IG

TRIAC (Triode AC thyristor)

E I

1203

+vGMT1

-

LL

MT2

MT1

G

I MT2

IG

-

+vAC

CSCSN

Snubber

RSN VMT2MT1

+

-

RL

Carico

Circuito di applicazione tipicain Corrente Alternata con carico Induttivo-Resistivo


E I

1204

dv/dt

i MT2

vMT2MT1

vMT2MT1

t

t

i MT2

sovratensioneoscillazione di

commutazione dispegnimento

vAC

vAC

vAC

vAC

α

Andamenti tipici di corrente e tensionecon carico Induttivo-Resistivo in CA


E I

1205

t

-di/dt

-dv/dt

i MT2

vMT2MT1

vMT2MT1

Von

Commutazione allo spegnimentoTRIAC (Triode AC thyristor)

Interruttori elettronici di potenza - DEIpel/Conversione_Statica/Cap.1.pdf · • Le cadute di...

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