SISTEMI FOTOVOLTAICI. Introduzione CORRENTE CONTINUA!!!

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SISTEMI FOTOVOLTAICI

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Introduzione

CORRENTE CONTINUA!!!

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Introduzione

• Componente fondamentale è la Cella fotovoltaica.

• Elemento più usato: Silicio.

• Altri materiali usati:

- Leghe di diselenurio di rame e indio;

- Tellurio di cadmio;

- L’arseniuro di gallio.

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Effetto fotovoltaico

Si basa sul trasferimento d’energia dai fotoni della radiazione solare al sub-sistema elettronico dei semiconduttori ed al trattenimento di tale energia prima che venga trasferita alla cella, per esempio convertita in calore.

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L’EFFETTO FOTOVOLTAICO: UNA SPECIE DI MAGIA

BANDA DI CONDUZIONE

FOTONE INCIDENTE

ELETTRONE

ELETTRONE

BANDA DI VALENZA

CALORE

CALORE

ASSE DELLE ENERGIE

ENERGIA DI GAP

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Struttura del silicio

SiSi

Si Si Si

SiSi

• Ogni atomo di silicio è legato in modo covalente ad altri quattro atomi.

• Ogni elettrone di valenza si lega con l’elettrone di valenza di un’altro atomo.

• Flusso di elettroni ordinato e orientato per mezzo di un campo elettrico creato.

Et

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Il drogaggio del silicio con fosforo:

creazione della zona N

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Il drogaggio del silicio con boro: creazione della zona P

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Giunzione P-N

Strato N

Strato P

Nello Strato N drogato con atomi di fosforo, elemento di valenza 5, si stabilisce una carica negativa debolmente legata, costituita dal quinto elettrone di valenza dell’atomo di fosforo.

Nello Strato P drogato con atomi di boro, elemento di valenza 3, si stabilisce una carica positiva in eccesso, composta da lacune degli atomi di boro quando si legano con quelli di silicio.

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Effetto fotovoltaico

Flusso elettronico

Equilibrio elettrostatico:

- Eccesso di carica positiva nella zona N, dovuto agli atomi di fosforo con un elettrone in meno;

- Eccesso di carica negativa nella zona P, dovuto agli elettroni migrati dalla zona N.

- Una regione intermedia detta di svuotamento (in verde), spessa alcuni micrometri.

Il risultato è un campo elettrico (built-in) che si estende a cavallo della zona di svuotamento.

Strato N

Strato P

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Effetto fotovoltaico

Fotoni

• Coppie elettroni lacune sia nella zona N che P.

• Il campo elettrico di built-in permette di dividere gli elettroni e le lacune, spingendoli in direzione opposte.

• Connettando con un conduttore esterno lo strato di giunzione, si ottiene un circuito chiuso, nel quale gli elettroni partono dallo strato N e arrivano a quello P.

Strato N

Strato P

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Energia di GAP

•Non tutta la radiazione incidente è in grado di generare una coppia elettrone/lacuna

•I fotoni devono avere una certa energia, maggiore dell’energia di gap

•L’Energia di GAP dipende dai vari materiali, per il silicio

E= 1,1 eV

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La cella

• Sottile wafer, di spessore 0,25-0,35 mm di silicio mono, poli-cristallino o amorfo;

• Forma quadrata di superficie sino ai 100 cm2;

• Si comporta come una batteria, producendo (1kW/mq e 25°C) una corrente di 3A e una tensione di 0,5V.

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TECNOLOGIA DEL SILICIO CRISTALLINO

FUSIONE E CRISTALLIZZAZIONE

DEL SILICIO

SQUADRATURAE TAGLIO

TESTURIZZAZIONE

FORMAZIONE DELLA ZONA P – N

(DROGAGGIO)

DISPOSIZIONE CONTATTI METALLICI

RIVESTIMENTOANTIRIFLETTENTE

FUSIONE E CRISTALLIZZAZIONE

DEL SILICIO

SQUADRATURAE TAGLIO

TESTURIZZAZIONE

FORMAZIONE DELLA ZONA P – N

(DROGAGGIO)

DISPOSIZIONE CONTATTI METALLICI

RIVESTIMENTOANTIRIFLETTENTE

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TECNOLOGIA DEL MODULO

www.leee.supsi.ch/

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TECNOLOGIA DEI FILM SOTTILI• MATERIALI:

• SILICIO AMORFO

• CIS (diseleniuro di indio e di rame)

• CdTe (tellururo di cadmio)

• VANTAGGI:

• RIDUZIONE DEI COSTI

• FLESSIBILE, PESO CONTENUTO, ASPETTO UNIFORME

• CELLE SEMITRASPARENTI

• MINORE EFFETTO TEMPERATURA

• CELLE A GIUNZIONE MULTIPLA

• SVANTAGGI:

• BASSA EFFICIENZA (7-10%)

• EFFETTO STAEBLER – WRONSKY (-15/20% NEI PRIMI DUE MESI)

• SCARSA DIFFUSIONE (applicazioni di piccola potenza)

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MERCATO FOTOVOLTAICO MONDIALE

49,6%

34,0%

11,8%

4,6%

Silicio monocristallino

Silicio policristallino

Silicio amorfo

Altri

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CONDIZIONI STANDARD

• IRRAGGIAMENTO: 1000 W / m2

• Air Mass: 1,5

• TEMPERATURA CELLA: 25 °C

CONCETTO DI WATT DI PICCO (Wp)

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LA CURVA CARATTERISTICA DI UNA CELLA IN SILICIO

CRISTALLINO

Fill factor =

Im * Vm / (Icc * Vca)

i

VVca

icc

im

Vm

Pmax

i

VVca

icc

im

Vm

PmaxEfficienza:

= Pmax / G * A

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PARAMETRI CHE INFLUENZANO LE PRESTAZIONI DI UNA CELLA

i

V

75°C 50°C 25°C

SPETTRO SOLARE: AM1.5IRRAGGIAMENTO: 1000 W/m2

i

V

75°C 50°C 25°C

SPETTRO SOLARE: AM1.5IRRAGGIAMENTO: 1000 W/m2

i

V

1000 W/m2

SPETTRO SOLARE: AM1.5TEMPERATURA CELLA: 25°C

800 W/m2

600 W/m2

400 W/m2

200 W/m2

i

V

1000 W/m2

SPETTRO SOLARE: AM1.5TEMPERATURA CELLA: 25°C

800 W/m2

600 W/m2

400 W/m2

200 W/m2

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Curva caratteristica I-V

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Curva caratteristica I-V

La corrente è direttamente proporzionale all’irraggiamento, mentre la tensione a circuito aperto varia con il logaritmo dell’irraggiamento; inoltre entrambe dipendono dalla temperatura di funzionamento del pannello.

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Il modulo

• Numero di celle in serie: 26, 64, 72.

• Celle ricoperte con un vetro temprato di circa 4mm di spessore.

• Tra il vetro e le celle viene posto un sottile strato di vinilacetato di etilene (EVA).

• A chiusura viene posto un foglio di Tedlar o un altro vetro.

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Tipologie impiantistiche

Stand Alone System

• Composto da: Campo PV, sistema di accumulo, regolatore di carica ed eventuale sistema di conversione.

• Molto conveniente.

Grid-connected System

• Piccoli impianti: diffusione larga scala, potenza fino a qualche kW.

• Media-grande taglia: sviluppo successivo ai primi, grandi potenze.

• Esempi: ENEL (3,3 MWp a Serre) ed ENEA (600KWp).

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Componenti di un impianto PV

Il generatore PV

• Insieme di moduli PV che generano energia elettrica in corrente continua e che devono essere collegati in serie o in parallelo in modo da ottenere la tensione e la corrente desiderata.

• Più moduli connessi in serie sono detti stringa; più stringhe vengono collegate in parallelo fino a raggiungere la potenza desiderata.

• In serie ad ogni stringa deve essere posto un diodo di blocco in modo che eventuali ricircoli di corrente dovuti a differenti punti di lavoro, portino la corrente verso le stringhe a minore potenziale.

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Componenti di un impianto PV

Il sistema di accumulo

• La presenza di batterie permette di far fronte a punte di carico, senza dover sovradimensionare i generatori, garantire la continuità dell’erogazione anche in caso di basso irraggiamento o guasto dei generatori.

• Elevata efficienza, lunga durata in regimi di frequenti cicli di carica e scarica, elevata resistenza alle escursioni termiche, ridotta autoscarica, basso costo e scarsa manutenzione.

• Il collegamento degli accumulatori all’impianto PV non richiede particolari accorgimenti tecnici in quanto entrambi lavorano in corrente continua. La loro connessione però non è diretta bensì viene interposto il REGOLATORE DI CARICA, necessario per garantire stabilità all’accumulo in modo da non superare 2,5V/elemento.

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Componenti di un impianto PV

Il controllo di potenza

• Proteggere l’accumulo da sovraccarichi e da eccessive scariche in modo da aumentarne la vita utile e farlo lavorare in un intervallo di tensioni adeguate all’utilizzo.

• Affidabilità: basso MTBF (tempo medio tra guasti), buona risposta al variare delle condizioni operative.

• Semplicità costruttive.

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Componenti di un impianto PV

La conversione della potenza

• Apparecchi elettronici in grado di convertire le grandezze elettriche tensione e corrente in uscita di un circuito in valore e/o forma.

• Da un centinaio di W a decine o centinaia di kW.

• Alto rendimento, basso consumo in assenza di carico, bassa distorsione, dimensioni e peso limitati, elevata affidabilità.

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Componenti di un impianto PV

Strutture di sostegno

• A palo.

• A cavalletto.

• Ad inseguimento.

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Dimensionamento

Condizioni ambientali-tecniche-logistiche

• Modalità e tecniche di installazione dei moduli.

• Alloggiamento del convertitore e delle altre apparecchiature.

• Percorso dei cavi.

• Eventuali difficoltà logistiche in fase di costruzioni.

• Vincoli ambientali.

• Posizione migliore per l’installazione.

• Rilevazione ombre.

• Analisi della pianta della copertura del tetto.

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Dimensionamento

Per Impianti Stand Alone è fondamentale:

• Individuazione in modo puntuale i carichi utilizzati sia per quanto riguarda la loro potenza che per quanto riguarda il loro utilizzo giornaliero.

• Analizzare la possibilità di alloggiamento dell’accumulo e delle altre apparecchiature elettriche in un locale riparato.

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Dimensionamento

A = Energia total da sostituire o da produrre (in W/h);

B = Inclinazione ottimale dei moduli;

C = Energia totale raccolta nell’anno da 1 m2 di moduli (in W/h)

η = Rendimento globale stimato di impianto

Dimensionamento:

A = η x C x Wp A = η x Heq x Wp

Wp = potenza del campo PC necessario ;

Heq = ore equivalenti annue per la particolare località

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Dimensionamento

Componenti degli impianti:

• Moduli PV

B.O.S.

• Quadri di campo

• Inverter

• Circuito di regolazione e controllo

• Quadri di consegna e distribuzione

• Cavi, ecc.

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Dimensionamento

Rendimento globale dell’impianto:

Secondo le specifiche emesse da ENEA per i sistemi connessi a rete l’efficienza ha un valore minimo di

η =0,75

In realtà η è un variabile di sistema che dipende da vari parametri:

η = ηPV ηJ ηINV ηTR

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Esempio dimensionamento

Tipo N° apparati P(W) h/giorno Wh/g

Illuminazione 10 15 4 600

Tv Color 1 60 5 300

Videoregistratore 1 30 2 60

Stereo 1 150 2 300

Frigo 1 100 10 1000

Stiro 1 500 0,7 350

Picoli elettrodoestici 1 300 0,5 150

Lavatrice 1 400 1 400

Totale giorno     W 3.160

Totale Anno     kWh 1.153,40

Utenza domestica medio-consumo

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Esempio dimensionamento

CALCOLO SUPERFICIE CAPTANTE

• Località: Roma

• Mese dicembre, tilt 60°C per la maggiore insolazione media di quel mese pari a 3,05 kW/mq.

• Efficienza sistemi isolati con inverter 0.6

58,2180/)6,0/05,3

160.3(/)(

W

mqkWh

WhW

Irr

FEn pmm

• Occorreranno 22 moduli da cablare per mezzo di opportune scatole di giunzione in 11 paralleli di 2 moduli in serie per un totale di 1.760 Wp.

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Progettazione degli impianti

Numero massimo di moduli connessi in seria in una stringa.

Va calcolato tenendo in considerazione le temperature invernali pari a -10°C. Infatti, all’abbassarsi della temperatura la tensione del modulo cresce. Tale tensione però non deve mai superare la massima tensione dell’inverter. Ricavato mediante il rapporto tra tensione max i ingresso all’inverter e la tensione di corto circuito per i moduli operanti a -10°C.

Numero minimo di moduli da collegare in una stringa .

Va calcolato tenendo in considerazione le temperature estive para 70°C. In estate l’impiant ha una tensione inferiore a quella STC. Se tale tensione scende al di sotto del valore minimo utile per la ricerca del MPPT, il generatore perde la possibilità di raggiungere il punto di massima potenza.