PROPRIETÀ ELETTRICHE DELLA

MEMBRANA NEURONALE E CANALI

IONICI

LA MEMBRANA NEURONALE: PROPRIETÀ

CAPACITIVE E PROPRIETÀ RESISTIVE

La membrana plasmatica dal punto di vistaelettrico

Il potenziale transmembranario dipende da una separazione di cariche

La membrana neuronale: circuito equivalente

CORRENTI TRANSMEMBRANARIE PASSIVE E

POTENZIALE DI MEMBRANA DI RIPOSO

L’equazione di Goldman

cn(i) cn(o)·e(zn·F/RT)·Vm

Jn = (zn2·F2/RT)·Pn·Vm· ——————————

1 e(zn·F/RT)· Vm

Relazioni corrente-voltaggio secondo

Goldman

L’equazione di Goldman-Hodgkin-Katz(GHK)

PNa·[Na+]o + PK·[K+]o + PCl·[Cl]i

Vm = (RT / F) · ln —————————————— PNa·[Na+]i + PK·[K+]i + PCl·[Cl]o

La legge di Ohm estesa

In = Gn · (V Vn)

Gn = In / (V Vn)

Una nuova versione del circuito equivalentedi membrana (I)

Relazioni corrente-voltaggio secondo Ohm(legge estesa)

CORRENTI VOLTAGGIO-DIPENDENTI (ATTIVE)

Rettificazioni su base attiva

Rettificazione uscente

Rettificazione entrante

Una nuova versione del circuito equivalentedi membrana (II)

La legge di Boltzmann

p2 u2 u1

— = exp ———— p1 kB·T

( )

La relazione di Boltzmann per transizionivoltaggio-dipendenti (I)

O w zg·e+·Vm

— = exp ——————— (zg: valenza della carica di gating)

C kB·T ( )

C O (open) (closed)

O 1——— = —————————————O + C 1 + exp[(w zg·e+·Vm)/kB·T]

La relazione di Boltzmann per transizionivoltaggio-dipendenti (II)

O 1 w/zg·e+ = V½ ——— = —————————O + C 1 + exp[(V½ Vm)/k] k = kB·T/(zg·e+)

La relazione di Boltzmann per transizionivoltaggio-dipendenti (III)

Rettificazioni su base attiva