FONDAMENTI DI SISTEMI FOTOVOLTAICI Sistemi e Impianti Fotovoltaici Le celle e i moduli fotovoltaici...

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FONDAMENTI DI SISTEMI FOTOVOLTAICI Sistemi e Impianti Fotovoltaici Le celle e i moduli fotovoltaici Principi chimico-fisici Le tecnologie (Si, GaAs,CdTe, ecc.) I limiti Processi e costi Esempi di applicazioni

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FONDAMENTI DI SISTEMI FOTOVOLTAICI

Sistemi e Impianti Fotovoltaici Le celle e i moduli fotovoltaiciPrincipi chimico-fisiciLe tecnologie (Si, GaAs,CdTe, ecc.)I limitiProcessi e costiEsempi di applicazioni

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La potenzialità dell’ energia solareLa potenzialità dell’ energia solare

Radiazione solare ≈ 90 000 000 Mtep/a Consumo mondiale ≈ 10 000 Mtep/a

1250 kWh/metro quadro all’anno1000 kWh/mq al Nord Italia, 1500 al Sud Italia

La potenzialità dell’ energia solare è, per ora, 10.000 volte il consumo mondiale di energia

Ma non illudiamoci !!!

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Solare Fotovoltaico

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Tetto tradizionale con moduli in Silicio micromorfo (0,38 m2; h =13%)

Copertura in Silicio amorfo da 100mqProduzione media annuale 15MWh

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Facciata Fotovoltaica (6,5 kWp) del Ministero dell’Ambiente della Baviera (1993)

Dettaglio della facciata con moduli semi trasparenti in a-Si:H/a-Si:H/Ge (42 Wp/m2)

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Sistemi ad inseguimento solare: ad uno o due assi. Miglioramenti:Con un solo asse E-W inclinato 28% Con due assi 34%

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Modulo a concentrazione a inseguimento solareCelle multigiunzione al GaAs, Rendimento celle: 40% Superficie 8,4 m2 Rendimento del modulo: 17,9 %Wp/m2 Costo previsto= 1,52 [€/Wp]

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• La cella al silicio: modello, principi di funzionamento, prestazioni e rendimento

• Le tecnologie • Le celle multigiunzione• Il rendimento delle celle multigiunzione

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La cella monogiunzione: un modello elementare

Potenza entrante: energia solare Potenza uscente: energia elettricaPotenza dissipata: energia termica ed irradiata

I simbolistrutturale elettrico

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La caratteristica corrente-tensione (I-V) della cella fotovoltaica

a) Rilevazione al variare dell’illuminazione a 25oC;b) Punto di massima potenza PM=IM.VM (MPP: Maximum Power Point)

a) b)

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Potenza massimaPm= Im.Vm= FF.Isc.Voc

I

Isc

Im

0 Vm Voc V

Caratteristica I-V schematizzataFF: Fattore di riempimento ( Fill Factor )

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f(E)

0,5

Ev EFp EF EFn Ec E

P I N

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p

n

EC

EFn

EV

EC

EFn

EV

pnEFnEFp

n

pEg

Eg

Egeo

e(o –V)

eV

I=Io (exp(eV/kT)-1]

EgEg

Semiconduttoridrogati e isolati

Giunzione npnon illuminata

Giunzione illuminataed erogante la corrente I EFn

EFp

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Eg=h/

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V oc per cella ideale

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Radiativa Auger Prodotta da difetti(intrinseca) (estrinseca) (estrinseca)

I meccanismi di ricombinazione di volume “bulk”

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Cella c-Si con contatti posteriori

Silicio cristallino GaAlAs

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Telloluro di cadmio

CdTe CIGSSilicio amorfo

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Cella elettrolitica Cella solare “Dye Cell” polimerica

Struttura

giunzione

Livelli “energetici”

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Cella multigiunzione Tandema-Si/Ge, m-Si,…

Tandem Tandem Parallele2 giunz. 3. giunz. 3 giunz.

Cella multispettrale

2Eg1 = Eg

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Esempi:

Celle monogiunzioneCella CdTeEg=1,5 I=2 da cui P=3Cella ideale (GaAs) Eg=1 I = 4 da cui P=4Cella al SilicioEg=1,1 I = 3,2 da cui P=3,5

Celle multigiunzioneCella amorfa tripla giunzione con Egi= 1,8/1,6/1,4 cui corrispondono Ii=1,4/0,5/0,3Si ha P=Egi.Ii= 3,74Cella micromorfa conEgi=1,75/1,1 cui corrispondono Ii=1,5/1,7Si ha P=Egi.Ii= 4,49

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Rendimento limite termodinamico

9595Carnot

Assorbimento ed irradiaz. Bidirez corpo nero Tc = Ta

73,793,3(Landesberg)

Irradiaz. bidirezionaleUn solo circolatore Tc = Ta

7090Convertitore non reciproco

Convertitore ideale Tc =2544oCIrradiaz. bidirez.

53,6 85Assorbitore a corpo nero (Müser)

Teorico! 68,286,8Infinite giunzioni

Non dato52,5 2,14/1,53/1,10/0,72

67,94 giunzioni

a-Si:H/a-SiGe, 13,5; 1,8/1,6/1,4

48,6 1,95/1,30/0,8263,23 giunzioni

a-Si:H/c-Si:H, 14,7 1,75/1,142,5 1,70/0,9755,72 giunzioni

c-Si monocrist., 24,7 31 1,31

40,81 giunzione

Esempi di tecnologieMateriali, %, Eg delle giunzioniNote

Radiazione senza concentrazione % Eg delle giunzioni

RadiazioneConcentrata%

Tipologia

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Evoluzione delle tecnologie fotovoltaicheEvoluzione delle tecnologie fotovoltaiche

Cu [€/m2)

%

1- Silicio cristallino1- Silicio cristallino2- Film sottile2- Film sottile3- Il futuro?!3- Il futuro?!

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UNISOLAR 3mx0,4m circa 0,5KWp UNISOLAR 3mx0,4m circa 0,5KWp rendimento 7-10%rendimento 7-10%

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Stato di avanzamento del progetto ARENDI (Gruppo Marcegaglia)

– Apr, ‘07 Avvio progettazione esecutiva– Apr. ‘08 consegna primi impianti ed avvio set-up– Ott. ‘08 consegna impianti, Dic. avvio prove produzione– Primo semestre ’09 inizio produzione

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Viste schematiche dall’alto e laterale dell’impianto Unisolar per moduli a-Si in film sottile

Contatto opacoCella multigiunzioneContatto trasparente

Substrato acciaio inox Struttura integrata delle celle nel modulo

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Schema dell’impianto Oerlikon Solar

CS: Stazionamento CassetteEH: Stazione di maneggiamento esternoLL: camere di caricamento e chiusuraTC: camera di trasferimentoPC: camere di trattamento

Processo a lotti Oerlikon SolarDimensioni moduli: max 1100x1250 mm Capacità produttiva: 20 MW/a

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2000 2007 2010 2020 20302000 2007 2010 2020 2030

c€/kWhc€/kWh

5050

4040

3030

2020

1010

00OC + int.5%/anno

OC + int.10%/annoOC + int.10%/anno

PV solo ammort.PV solo ammort.

PV ammort.+ int. 3 %PV ammort.+ int. 3 %

UD + int.3% /annoUD + int.3% /anno

OC=olio combustibile OC=olio combustibile UD=utenze domesticheUD=utenze domestiche

Scenari di evoluzioneScenari di evoluzione dei costi del kWh per l’ energia fotovoltaicadei costi del kWh per l’ energia fotovoltaica

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= = ~~

Utenza Utenza Residenz.Residenz.

PVPV

Rete locale ACRete locale AC

Rete pubblicaRete pubblica

Generazione distribuita con riserva per black-Generazione distribuita con riserva per black-outout

ContatoreContatored’Impiantod’Impianto

= = ~~

Utenza Utenza Residenz.Residenz.

PVPV

Gruppo di Gruppo di continuitàcontinuità

• Produzione fotovoltaica in rete • Rendimento globale 10%

• 25 m2 di tetto/1 MWh.anno

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educazione

economia

ecologia

etica

estetica

energia

SviluppoSostenibile

Le 6E dello sviluppo sostenibileLe 6E dello sviluppo sostenibile