componenti fotovoltaico_2

I casi in cui il fotovoltaico vantaggioso

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2. I Componenti degli impianti fotovoltaici

PremessaIn questo capitolo tratteremo la parte teorica riguardante i blocchi checompongono qualunque impianto fotovoltaico.

2.1 Il Campo Fotovoltaico (Array)

2.1.1 Cella fotovoltaicaLa cella e l'elemento base che compone il pannello fotovoltaico; si trattadi un dispositivo allo stato solido in grado di convertire l'energia solare(non monocromatica) in energia elettrica, con un rendimento compresotra il 10 e 15% (soltanto alcuni campioni di laboratorio superano il 20 %).Le celle fotovoltaiche, dette anche celle solari, presentano rispetto allealtre fonti di energie alternative i seguenti vantaggi :-

1. Non hanno nessuna parte in movimento (quindi elevata af-fidabilit e poca manutenzione).

2. Producono energia pregiata (energia elettrica).3. Rendimenti elevati (se riferiti ad un processo convenzionale

che sfrutti lenergia solare e produca energia elettrica).4. Di facile trasporto e montaggio.

Detti vantaggi rendono i sistemi fotovoltaici molto attrattivi rispetto allealtre fonti alternative; purtroppo rispetto all'energia tradizionale hannol'unico svantaggio, quello del costo non ancora competitivo.

2.1.2 Caratteristiche ElettricheUna cella fotovoltaica un diodo a semiconduttore con opportunecaratteristiche geometriche, polarizzato direttamente da una tensione


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(foto-tensione) dovuta ai fotoni incidenti su di essa che generano paia dielettroni-lacune.Il comportamento elettrico di una cella pu essere rappresentato con uncircuito elettrico equivalente come in figura 2.1.

Rsh

Rs

Rc+_

Figura 2.1

I : generatore ideale di corrente che rappresenta la corrente che siavrebbe dalla cella (per effetto fotovoltaico) se non ci fosserole perdite interne; essa e' proporzionale alla superficie dellacella esposta alle radiazioni solari.

D : il diodo che sta a rappresentare l'effetto rettificante della cella,essendo formata da una giunzione P-N.

Rsh : resistenza in parallelo o di "shunt", essa rappresenta quelleperdite dovute a tutte le correnti di dispersione (leakage) chesi hanno all'interno della cella.

Rs : resistenza in serie, che rappresenta l'insieme delle resistenzedovute sia al materiale proprio della cella che alla resistenzadi contatto catodo-semiconduttore.

Rc : resistenza del carico, rappresenta un generico utentecollegato alla cella

da notare per che esistono casi in cui l'uso del circuito equivalentesopra indicato, per la rappresentazione delle celle fotovoltaiche, non e'corretto.L'equazione caratteristica di una cella fotovoltaica data da :-

I I Iph d= - eq. 2-1


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I due termini Iph e Id rappresentano rispettivamente : la corrente generataper effetto della luce e la corrente che riesce ad attraversare la giunzionedella cella.Senza entrare nel dettaglio, qui riportiamo il risultato finale delladeduzione che dato da :

I I I eV R I

Rph o

q V RsI

Ak T s

sh

b= -

-

+-

+

( )

1

doveIo (A) : corrente di saturazione inversa del diodo; e' una

costante che dipende dalle caratteristiche dei duesemi-conduttori che formano la giunzione e dallatemperatura.

T (K) : la temperatura assolutaIph (A) : foto-corrente dovuta alle radiazioni luminosaq (C) : carica dell'elettroneRs (W): resistenza in serieRsh (W): resistenza in parallelo o di shuntKb (J/K) : costante di Bolzman dei gasA : fattore idealeV (V) : tensione della cella

Le celle in condizioni di oscuramento non sono degli elementi attivi,quindi si comportano come normali diodi a giunzione. L'equazione chegoverna il loro comportamento, in questo caso, data dall'equazioneseguente :-

I I ed oq V R I

Ak T

s

b=

+

-

( )

1 eq. 2-2

Bisogna notare, come lequazione equazione 1.2 quella di un normalediodo. Anche se una cella oscurata dal punto di vista elettrico pu esserescambiata per un diodo, non consigliabile farla lavorare in tal modo.Esistono diversi modelli con cui si rappresenta una cella fotovoltaica;quello illustrato precedentemente uno tra i modelli pi utilizzati.

2.1.3 PannelloIn genere, per necessita' pratiche, le celle fotovoltaiche vengonoassemblate e incapsulate a gruppi in unico contenitore ermetico, in modo


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da formare i cosiddetti moduli fv. Tale struttura e' l'elemento base per larealizzazione di un campo fotovoltaico. All'interno di tale elemento lecelle sono collegate in serie, una configurazione che permette dicontrollare la tensione ai morsetti del modulo.In commercio esistono diversi tipi di pannelli realizzati con diversetecniche, le loro caratteristiche vengono riferite a condizione di NOCT(Nominal Operating Cell Temperature : I=800 W/m2 , T=20 C, v=1 m/s,circuito aperto). I pannelli fotovoltaici, non avendo nessuna parte inmovimento, teoricamente la loro vita dovrebbe essere infinita, purtropponella realt i moduli oggi disponibili hanno un vita che non supera quasimai i 20-30 anni.Di norma, essendo i moduli lelemento base nella progettazione degliimpianti fv, le case costruttrici mettono a disposizione i loro dati ditecnici rilevati in condizione di NOCT. Dunque, da notare che unabuona interpretazione di tali dati dipende l'esito del dimensionamento diun impianto fv.In fine, i singoli moduli, per formare il campo fotovoltaico, vengonocollegati in serie e/o in parallelo, a secondo dei valori di tensione ecorrente richiesti dall'utente.

2.1.4 Principio di funzionamentoIl meccanismo con cui le celle fotovoltaiche generano energia elettricaconvertendo le radiazioni solari, si basa principalmente sull'effetto fotoelettrico. Per poter meglio comprendere il fenomeno, ossia comeinteragiscono radiazione luminosa e celle fotovoltaiche, sar necessarioanalizzare il comportamento elettrico dei semiconduttori.E' gi noto che il materiale esistente in natura pu essere classificato, inbase alle propriet elettriche di conduzione, in due categorie : conduttorie isolanti. Recentemente si visto che i semiconduttori formavano unaterza categoria, essi manifestano delle propriet elettriche intermedie aquelle delle altre due categorie.In effetti per, i semiconduttori allo stato di purezza assoluta(semiconduttori intrinseci ) presentano in genere una elevata resistivit.Tale propriet elettrica pu essere modificata mediante lintroduzione , aconcentrazione controllata, di opportune impurit (drogaggio) nelmateriale. I semiconduttori di questo tipo prendono il nome disemiconduttori estrinseci. La concentrazione massima di drogante e'legata all'uso a cui e destinato il semiconduttore.A secondo del tipo di impurit utilizzato nel drogaggio, il semiconduttorepu essere di due tipi : tipi p, il drogante utilizzato e' un elementotetravalente (boro, gallio ecc.), tali impurit rendono disponibili portatori


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di carica positivi noti come impurit accettori; tipo n, il drogante inquesto caso e' un elemento pentavalente (Antimonio).Ora, ponendo a stretto contatto un semiconduttore di tipo p con un semi-conduttore drogato di tipo n si ottiene una giunzione p-n. Va notato chedicendo stretto contatto si intende che deve essere garantita la continuitcristallina.In pratica, una cella solare formata da una lamina di silicio di tipo p consopra un sottile strato di silicio di tipo n , lo strato di tipo n deve avereuno spessore tale da permettere alle radiazioni incidenti sulla superficiedella cella di penetrare nel cristallo per una profondit sufficiente a crearecoppie di lacune-elettroni in prossimit della giunzione p-n ( 0,5 micron).Supponiamo che un fotone di luce dotato di una certa energia penetrinella cella fino a raggiungere la giunzione, in questa regione del cristalloil fotone incontra un atomo del silicio, secondo la teoria quantistica, ilfotone viene assorbito da un elettrone di legame per cui si ha iltrasferimento di un quanto di energia a un singolo elettrone bivalenza.Come e' noto, ad un fotone di frequenza f e' associata una energia E = kfdove k e' la costante di Plank. Ora, se il fotone possiede energiasufficiente (ossia hf > Eg, l'energia del fotone e superiore all'energia dellabanda proibita), l'elettrone viene rimosso dalla sua propria funzionenormale di legame fra due atoni adiacenti del cristallo e diventa cosilibero di muoversi all'interno del cristallo come elettrone di conduzione(il livello energetico dell'elettrone si trova in banda di conduzione),mentre nel contempo si crea un buca nel legame del cristallo ossia unalacuna.Dunque, tenendo presente che in prossimit della giunzione o sullo stratodi svuotamento si ha un campo elettrico che tende a spingere gli elettroniverso il lato n e le lacune verso il lato p, per cui le nuove coppie lacune-elettroni, generati dalla luce in prossimit della giunzione, sarannoseparate dal campo elettrico (riducendo cosi la casualit di movimentodei portatori di carica), avendo di conseguenza un flusso netto di elettronidal cristallo di tipo p verso quello di tipo n e un flusso di lacune nel sensoopposto.Si pu concludere osservando come da un dispositivo del genere e'possibile far fluire una corrente in un circuito che sia in contatto elettricocon la superficie anteriore e con quella posteriore della cella. Gli elettroniraccolti nello strato di tipo n possono ritornare nello strato di tipo p, perricombinarsi con le lacune attraverso il circuito esterno.In definitiva, un fotone incidente sulla superficie di una cella creanormalmente una coppia lacune-elettroni, ad esempio nel materiale n, sipossono determinare le seguenti situazioni :-


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A) L'assorbimento avviene nella zona di svuotamento (giunzione); inquesto caso l'elettrone viene spinto dal campo elettrico iviesistente, verso il materiale n e la lacuna verso il materiale p. Siricordi infatti che il campo elettrico di giunzione e' diretto da nverso p e quindi favorisce il passaggio di lacune da n a p e quellodegli elettroni da p a n.

B) L'assorbimento avviene in prossimit della zona di svuotamento,ad esempio nel materiale n. In questo caso, si ha che se la lacunaraggiunge, per diffusione, la zona di carica spaziale vieneimmediatamente portata, dal campo di giunzione, nel materiale p.Si osservi che le cariche p generate nel materiale n tendono semprea diffondere verso la giunzione. Infatti nello strato n, la presenzadel campo elettrico, del verso indicato precedentemente, fa si cheesista un gradiente di concentrazione delle cariche positive nelsenso che la loro concentrazione diminuisce man mano che siavvicina alla giunzione al punto che, in corrispondenza di questa,la loro concentrazione e' estremamente ridotta. Il campo elettricoinfatti le porta immediatamente via nel materiale p. In conseguenzadi tale gradiente, la carica p si muove verso la giunzione e viene daquesta spinta verso il materiale p.

C) Se la generazione avviene lontano dalla zona di giunzione lecariche, generalmente, si ricombinano dopo un tempo pari alla lorovita media.

Riassumendo, nei casi a) e b) si ha un contributo alla potenza elettrica aimorsetti del dispositivo dovuto all'accumulo di elettroni nel materiale n edi lacune nel materiale p, nel caso c) non si ha , in genere, alcun effettoutile.

La corrente che scorre nel circuito esterno e' una misura della rapidit concui si formano le coppie elettroni-lacune, rapidit che e' funzionedell'intensit della luce incidente e del numero di elettroni e di lacune chesi ricombinano.

2.1.5 Curva caratteristicaIn laboratorio, per ottenere la curva caratteristica delle celle si utilizzacome fonte luminosa una lampada speciale che simula lo spettro del sole.L'utilizzo di una batteria a tensione variabile come carico ci permette disimulare un carico variabile, i dati registrati dall'esperimento vengono poiriportati su un grafico (vedi figura 3.2), la curva risultante " la curvacaratteristica della cella".


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Figura 2.2

La curva nel grafico e quella che determina il comportamento della cellain qualsiasi situazione, tale comportamento pu essere spiegato comesegue :-Le celle essendo in sostanza formate da una giunzione p-n, esse hannocaratteristiche V-I molto simili al diodo convenzionale. Ecco perch inmolte rappresentazione circuitali la cella viene rappresentata come unnormale diodo.In genere, trovandosi la parte interessata della caratteristica, utile per icalcoli, sotto l'asse delle ascisse e di normale uso ribaltare la caratteristicarispetto all'asse delle tensioni.

Cara tte ristiche V -I

Tensione ( V )

0

0,5

1

1,5

2

2,5

MA

N

Figura 2.3


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Osservando la curva caratteristica, essa passa per tre punti significativi.ossia :

Punto M ( Icc ) : situazione di corto circuito, in questa situazionesi ha V=0 e I=Icc, dove Icc la corrente erogata dalla cellaquando a questa viene applicato un carico con resistenza nulla.

Punto N ( Voc ) : situazione di circuito aperto, in questasituazione si ha V=Voc e I=0, dove Voc la tensione ai morsettidella cella quando a questa viene applicato un carico a resistenzainfinita (aperto).

Punto A ( Pmax ) : situazione di massima potenza ossia il punto incui il prodotto tensione corrente della cella e massimo, in questasituazione si ha P=Pmax. E' importante osservare che la potenzaerogata dalla cella data dal prodotto IxV, per cui le curve apotenza costante sono delle iperbole nel piano I-V, liperbole apotenza massima quella che interseca la caratteristica V-I soloper un punto. Tale punto non altro che il punto di massimapotenza. In altri termini, la potenza erogabile da una cella massima in corrispondenza del ginocchio della curva, essa caratterizzata dal rettangolo che ha l'area massima tra tutti irettangoli inscrivibili all'interno della caratteristica.

Per ultimo, ricordiamo che negli altri quadranti, in cui esiste la curva, lacella non pi attiva per cui, come abbiamo gi visto, viene considerataun diodo. Una tensione importante in queste zone e' la tensione diBREAK-DOWN, ossia la tensione inversa oltre il quale la cella sidanneggia.

2.1.6 Tensione a circuito apertoNella condizione di circuito aperto, la tensione ai morsetti della cella Voc espressa analiticamente da :-

VAk T

qlm

I II

ocb ph o

o=

+

La tensione a circuito aperto corrisponde alla caduta di tensioneattraverso la giunzione p-n, quando questa attraversata dalla correntegenerata dalle radiazioni (foto-corrente Iph).


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Isc=0

Ic

V=Voc

Id

Cella

Sole

Circuito Equivalente

Figura 2.4

La tensione Voc cresce logaritmicamente al crescere dell'intensit dellaradiazione, viceversa decresce linearmente al crescere della temperaturadella cella (vedi figura 3.5)

0C

20C

40C

0.25

0.50

0.75

100.0

0.570.60

0.64

Tensione V

Corrente A

Figura 2.5

L'effetto della temperatura, cosi spiccato sulla cella, e' dovuto all'aumentoesponenziale della corrente di saturazione all'aumentare dellatemperatura.

2.1.7 Corrente di corto circuitoLa corrente di corto circuito dipende da diversi fattori; una equazione cheindica il comportamento della Icc al variare degli altri parametri data da:

I I I eR I

Rcc ph o

qR I

Ak T s sc

sh

s sc

b= - -

-

1 eq. 2-3


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In condizioni di corto circuito con una insolazione normale, la resistenzain serie trascurabile, quindi la corrente di corto circuito diventaproporzionale alla allintensit della radiazione solare Ee (W/mq).

I I kEcc ph e= = eq. 2-4dove K ' un parametro costante (Ee, intensit dell'insolazione W/m

2).

Isc

Ic

V=0

Id=0

Cella

Sole

Cortocircuito

Circuito Equivalente

Figura 2.6

2.1.8 Condizioni di massima potenzaConsideriamo la curva caratteristica di una cella ad una data intensit diradiazione e una data temperatura. Se ai morsetti della cella venieconnessa una resistenza variabile, il punto di funzionamento (o di lavoro)sar determinato dall'intersezione della caratteristica della cella conquella del carico. Per un carico resistivo, la caratteristica data da unaretta passante per l'origine ed inclinata di 1/R. Dunque, le condizioni difunzionamento sono le seguenti :

1.la potenza erogata al carico dipende dal valore della resistenza.2.la massima potenza si ottiene per R=Rmax nel punto A, dove la

caratteristica della cella e tangente all'iperbole a potenza

costante del tipo : R Vax

maxmax

mI=

Per quanto riguarda il punto di funzionamento (la corrente e tensione difunzionamento) la curva caratteristica e' suddivisibile in tre zone :

1. zona del ginocchio ( N-P), in cui sia la tensione che lacorrente di funzionamento dipendono dall'intersezione delledue caratteristiche.

2. zona M-N, in cui la cella impone una corrente quasi ugualea quella di cortocircuito per si comporta come ungeneratore di corrente (I=Icc).


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3. zona P-S, in la cella impone al circuito una tensione, inquesta zona la cella si comporta come un generatore ditensione (V=Voc).

Figura 2.7

Come abbiamo visto gi prima, nel caso di un carico resistivo, il punto difunzionamento determinato dall'intersezione delle due caratteristichegeneratore (cella) e carico (resistenza). Gli accumulatori elettrochimici,come le batterie, sono carichi a tensione costante, dove invece una pomparotativa (con volano) un carico a corrente costante.

2.1.9 Analisi parametrica della cella fvI parametri che governano il comportamento elettrico di una cella solare,e dunque di un pannello, possono essere raggruppati in due categorie :

2.1.9.1 Parametri interniResistenza di Shunt ( Rsh ) : questa resistenza dovuta alle perdite(leakage) di corrente nella giunzione, essa dipende quasi esclusivamentedal metodo utilizzato per realizzare la giunzione. Osservando la fig , sinota come la variazione della Rsh causi un aumento dell'inclinazionedella curva I-V in prossimit del punto I=Icc. Approssimativamente, latangente del tratto di curva tra il ginocchio della ed il punto di cortocircuito dipende dalla Rsh, perci valori elevati di Rsh al limite infinito lacurva tende a diventare orizzontale.

Resistenza in serie ( Rs ) : Essa rappresenta la resistenza di contatto trala griglia metallica e la superficie del cristallo. Nella figura si osservacome la curva I-V varia al variare della Rs, un effetto importante in

1/RPmax

VocV (V)

I (A)

0

Icc

Zona C Zona Zona

Comportamento di una cella


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questo caso e' che la variazione di Rs, in prossimit della Voc, porta aduna diminuzione dell'inclinazione della curva. Si osservi anche qui, chela tangente del tratto di curva tra il ginocchio ed il punto Voc, dipendedalla Rs ossia elevati valori di Rs tendendo a rettificare la curva in queltratto.

Figura 2.8

In effetti, ,la resistenza in serie Rs ' data dalla somma di altre piccoleresistenze dovute a vari fattori, tra cui :

La R1 di contatto tra il metallo e il semiconduttore di tipo p. La R2, dovuta alla massa del semiconduttore di tipo p. La R3, dovuta alla resistenza nella regione della giunzione

(contatto tra i due cristalli p ed n). La R4 di contatto tra il metallo e la superficie del

semiconduttore di tipo n. La R5, dovuta alla resistenza proprio della griglia.

Tra le diverse resistenze sopra citate le pi importanti sono la R1 e la R3.

2.1.9.2 Parametri esterniRadiazione solare : L'intensit della radiazione solare (W/m2) che unacella riceve, ossia la densit dell'energia luminosa, dipende da vari fattori,tra cui :

l'angolo di incidenza, ossia l'angolo tra la normale alla superficiedella cella e i raggi solari.

Densit dell'atmosfera. ( AMO, AM1 ecc.).

Tensione (V)

Corrente

0 0.2 0.4 0.6

0.15

0.10

0.05

Resistenza in serie

5.0

2.51.0

0

Resistenza in parallelo

20

40200

0 0.2 0.4

0.15

0.10

0.05

Tensione (V)


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Caratteristica della superficie (riflessione).Come abbiamo gi constatato in precedenza la foto-corrente Iph quasiproporzionale all'intensit delle radiazioni, dove invece la Id non influenzata minimamente. In figura 3.9 sono riportate le caratteristichedella cella al variare dell'intensit della radiazione.

Figura 2.9

E' da osservare nel grafico, che facendo variare l'intensit delle radiazioniincidenti, mantenendo costante tutti gli altri parametri, e in particolare latemperatura, la caratteristica I-V varia in modo che ogni punto dellacurva viene traslato verso l'alto.Riassumendo, gli effetti dell'intensit della radiazione sugli altriparametri possono essere raggruppati nei seguenti punti :

A bassi valori dell'intensit, Icc rimane praticamente proporzionaleall'intensit della luce. Tale rapporto dell'ordine di 30 mA/cm2,quando lintensit della radiazione solare di 1 Kw/m2 (per unacella al silicio a T = 25 C).

Voc varia leggermente al varia dell'intensit della luce, ed e'indipendente dall'area della cella. Esso dipende esclusivamentedel materiale costituente la cella. (circa 590 mV per 1 Kw/m2 eT=25 xC).

Qui di seguito riportiamo le diverse equazioni da utilizzare ai vari livellidi intensit luminosa.

1.50Kw/m2

1,25 Kw/m2

1,0 Kw/m2

0,75 Kw/m2

0,50 Kw/m2

Tensione (V)

Corrente

Pmax

30

Tabella N 1.5 (Riassunto dell'influenza dell'irradiazione sulle caratteristiche della cella)

Livello insolazione Formula da utilizzareAlto

( dove X e' il fattore di concentrazione) I KE I esc oqR I

Ak T

s sc

b=

-

-1

VAk T

q

KE

IXoc

b e

o=

+

ln ln

MedioI I kEsc ph e= =

VAk T

qlm

KE

Ioc

b e

o=

BassoKE I

qV

Ak T

V

Re o

oc

b

oc

sh-

-

- =exp 1 0

Rendimento massimo(al livello di irradiazione medio

abbiamo una variazione logaritmica delh)

h(X,E )= (X,E )V (X,E )I (X,E )e FF e oc e sc eEe

La temperatura della cella : La temperatura e' uno dei fattori cheinfluenza negativamente le caratteristiche elettriche di una cella, al puntotale che se non considerata, in fase di progettazione, potrebbecompromettere il buon funzionamento dell'impianto.Gli effetti prodotti dalla temperatura sulla caratteristica di una cella,possono essere riassunti nei seguenti punti :-

a) all'aumentare della temperatura la Iph aumenta leggermente ( 0,1 % C-1 o 0,03 mA/Cm2), tale effetto spiegabile considerando cheall'aumentare della temperatura si ha una diminuzione dell'ampiezza dibanda proibita Eg, di conseguenza, altri elettroni potranno passare dallabanda di valenza alla banda di conduzione. Una formula indicativa dicome varia Eg al variare della temperatura la seguente:-

E T EaT

T bg g( ) ( )= -

+0

2

doveEg(T),Eg(0) = energia della banda proibita alle temperature T e zero rispettivamente.a,b = parametri dipendenti dal tipo di materiale (vedi Tabella 1.2).


31

Tabella 1.2Materiale Eg( )0 a b

( eV ) ( 10-4 eV/K ) ( K )Silicio 1.16 7 1100GaAs 1.52 5.8 300

Altri parametri che crescono all'aumentare della temperatura sono: Voc(crescita lineare); Io (crescita esponenziale). Essendo la Io formataesclusivamente da portatori minoritari, l'effetto dell'eccitazione termica e'data da:

I A T eo oE

k Tg

b=-3

I diversi mutamenti di forma che la variazione di temperatura producesulla curva I-V di una cella sono classificabili come segue:

1. Innalzamento graduale della curva lungo l'asse delle correnti,quindi si avr un leggero aumento della corrente di corto circuitoIcc.

2. Traslazione (shifting) della curva verso tensioni sempre pi alte.3. Variazione della forma della curva nella zona del ginocchio.

Variazione dovuta proprio alla corrente di saturazione inversache aumenta all'aumentare della temperatura.

Concludendo, qui di seguito riportiamo le tipiche variazioni chesubiscono i parametri dipendenti dalla temperatura.

Voc decresce di 2 mV/C dai 20 C a 100 C. Pmax decresce di 0.35 % C

-1, quindi una decrescita del rendimentomassimo. Tale rendimento, in generale, viene espresso come segue:

( )[ ]h h(X,E ,T) = (E ,T ) 1-B T-Te e o o o 1+

k T X

qV E T

b

oc e o

ln( , )

eq. 2-5

2.1.10 Il Rendimento (efficienza)In generale, il rendendo di una cella definito come il rapporto tra lapotenza elettrica erogata dalla cella e la potenza luminosa incidente su diessa, ossia :

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h =PP

out

in=

PAE

out

e eq. 2-6 dove

hh = il rendimento della cella.Pout (W) = Potenza elettrica erogata dalla cella.Pin (W) = Potenza luminosa incidente.A (mq) = Area utile.Ee (W/m

2) = Intensit' delle radiazioni incidenti.

Come noto il rendimento di una cella commerciale tipicamentecompresa fra il 10 % e il 15 %, solo certi campioni di laboratorio hannoraggiunto la soglia del 20 % con costi ovviamente molto elevati.Normalmente, le casi costruttrici forniscono, tra i dati di targa, ilrendimento massimo della cella, ossia il rendimento che si avrebbe se lacella, in condizioni particolari (NTOC), venisse collegata ad un caricoottimizzato. Il rendimento massimo di una cella dipende strettamente daiseguenti fattori :-

Propriet del materiale Configurazione della griglia Caratteristica della giunzione Distribuzione spettrale delle radiazioni Dimensione della cella Area utile della superficie esposta della cella Temperatura della cella Rivestimento antiriflesso Escursione della temperatura Struttura superficiale della cella ( ruvidit ) Altri fattori dell'ambiente circostante.

Gran parte dell'energia luminosa che raggiunge una cella viene persaancor prima che essa possa essere convertita in elettricit, le cause sonomolteplici. Qui di seguito riporteremo le cause pi importanti dellaclassificate in diverse categorie.

2.1.11 Riflessione delle radiazioniCome e' noto, non tutte le radiazioni incidenti su una cella penetrano alsuo interno, infatti in parte vengono riflessi sulla superficie della cella ein parte intercettati dellelettrodo frontale. Normalmente il silicio nontrattato riflette circa il 36 % della radiazione solare, per cui per ridurre la


33

percentuale riflessa si ricorre a diversi tipi di trattamento. I metodi piutilizzati per il trattamento delle superficie captante sono :

Utilizzare, sulla superficie della cella, un rivestimento anti-riflesso :In questo trattamento, la cella viene rivestita con un materiale che ha unindice di rifrazione intermedio all'aria e ad al silicio. Tale sistemazionepermettere al materiale di fungere da un lato da protezione alla cella, edall'altro raccorda in modo meno brusco l'indice di rifrazione del siliciocon quello dell'aria. Un buon rivestimento anti-riflesso pu essere unostrato di mono-ossido di silicio (SiO) o di pentossido di titanio (TiO5).

Opacizzazione della superficie: Questo metodo consiste nel rendereruvida la superficie della cella, per esempio realizzando sulla superficiedella cella delle micro-piramidi, di conseguenza, per la particolareconfigurazione superficiale, le radiazioni riflesse da una micropiramidevanno a incidere su un'altra micropiramide vicina alla prima, evitandocosi di perdere tutta la parte riflessa delle radiazioni. L'effetto risultante quello di una maggiore probabilit di assorbimento. In pratica, il metodidell'opacizzazione ha come conseguenza un recupero del 15%dell'energia che normalmente viene riflessa.

Fotoni con energia inadeguata per produrre coppie di lacune -elettroni: Come noto dalla fisica quantistica, non tutta l'energiaposseduta dai fotoni che penetrano in una cella pu essere convertita inenergia potenziale. Per cui tali fotoni non produrranno coppie di lacuneed elettroni. I fotoni non utilizzabili da una cella fotovoltaica possonoessere suddivisi in :

A) Fotoni che attraversano trasversalmente la cella senzacedere energia .

B) Fotoni assorbiti che pero non hanno sufficiente energia perrompere il legame. Purtroppo, sono proprio questi fotoniche contribuiscono ad aumentare la temperatura della cella.

Oltre ai fotoni cosiddetti "sotto soglia" (hv


34

proibita pari a 1.12 eV. Tale energia corrisponde ad una lunghezza d'ondadi 1.11 micrometri (c=lv), per cui solo il 75% circa dello spettro solarerisulta utile al fine della creazione di coppie di lacune - elettroni. Dunque,un altro limite di conversione dato dalla non monocromaticit dellospettro solare. In media circa il 4.2 % dell'energia dei fotoni sopra sogliava dissipata, in definitiva, solo il 55 % dell'energia resta utile per laconversione in energia elettrica. Il rendimento teorico data da :

hf

maxp

pp

n

=IV

(1+IV )(VE

eq. 2-7

dovehh = Il rendimento massimoVp = Tensione alla massima potenzaI = Intensit' radiazioni solariff = Flusso fotonico

Altre cause di perdite secondarie Perdite dovute alle resistenza interna della cella stessa (ossia al

corpo della cella, Bulk ). Auto-oscuramento (self-shading): oscuramento dovuto alla griglia

metallica di raccoglimento dei portatori. Degradazione delle prestazioni della cella: sono degradazioni che

subiscono le celle durante un lungo tempo di funzionamento in cuila temperatura di lavoro della cella non e' ottima.

Carico non ottimizzato: In genere, per ottenere il massimorendimento di una cella bisogna utilizzare un carico che permettaalla cella di funzionare in prossimit del ginocchio dellacaratteristica I-V (matched load condition).

Concludendo, il rendimento di una buona cella al silicio composto daiseguenti fattori :

Tabella 2.1

Rendimento di penetrazione (hp ) 0.86Rendimento quantistico ( hq ) 0.44Rendimento di ricombinazione(hc)

0.80

Fattore qVoc/Eg 0.62Fill-factor (FF) 0.75Rendimento complessivo (hg) 0.14


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Un altro parametro importante il fill factor (fattore di riempimento),che non altro che rapporto tra la potenza massima effettiva e il prodottoVocxIcc ossia :

FFI V

V Ioc cc= max max

eq. 2-8

Il FF e' un parametro che determina la forma della curva caratteristi I-V.Per una buona cella si hanno valori superiori al 0.75, purtroppo si ritieneche in futuro tale valore non possa essere migliorato.

2.1.12 Collegamento delle celleIn generale, l'aspetto pi importante del collegamento si presenta quandosi deve realizzare un campo con elementi non perfettamente identici(come succede del resto nella realt). Un errato collegamento e/o unainsufficiente protezione potrebbero portare al collasso di tutto il sistema,specialmente nei casi in cui all'impianto viene richiesto il massimo dellapotenza. Per evitare un rischio del genere bisogna analizzareattentamente, in fase di progettazione, tutte le precauzioni da adottareperch, durante il funzionamento dell'impianto, non si verifichinosituazioni critiche. Daltro canto, il collegamento di piccoli generatorinon identici (celle) provoca la riduzione del rendimento globale delsistema.L'elemento base con cui si realizza un campo fotovoltaico rappresentato dal modulo, infatti, le celle fotovoltaiche vengono collegateed assemblate all'interno di tale elemento al fine di realizzare unelemento pratico e modulare. Le configurazioni dei collegamentipossibili sono varie (parallelo, serie, misto), la scelta di uno di essi vienedeterminata dalle caratteristiche richieste ai morsetti del campo (utente).Il collegamento delle celle, dei moduli, uniti in un campo fotovoltaico,con caratteristiche e condizioni non identiche, rappresenta una importanteproblema nell'ambito della progettazione degli impianti fotovoltaici.

2.1.12.1 Collegamento in serieConsideriamo un circuito formato da due celle collegate in serie ad uncarico R, ovviamente la corrente circolante nelle due celle la stessa,dove invece la tensione sul carico data dalla somma delle due tensioni.Quindi, si pu dedurre logicamente che la caratteristica I-V globale delledue celle in serie data da un caratteristica in cui ogni punto ha comevalore di tensione, la somma delle tensioni che separatamente le duecelle erogano (riferito ad uno stesso valore di corrente).


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Comunque, prevedere il comportamento di un gruppo di celle collegate inserie non cosi semplicemente. Tenendo conto che in realt le celle nonsono mai perfettamente identiche, in certe situazioni si trovano ad operarein condizioni di funzionamento diverso da cella a cella (ombra) e quindiper ottenere la caratteristica globale sar necessario studiare le diversecasistiche.

Celle identiche : Considerando delle celle perfettamente identiche (casoideale)collegate in serie, si ha che la tensione risultante e' data da : V =V1 + V2+ ... = NV1 per I>0. E in particolare nel caso di circuito aperto, essendole celle identiche, si ha : Voc = NVoc1 = NVoc2 ... per I=0. Doveinvece nella situazione di corto circuito, avremo Isc=Isc1=Isc2 .. con lerispettive tensioni nulle ossia V=V1=V2=V3...

Celle non identiche : Il problema delle celle non perfettamente identichesorge quando, si considerano che comunque sia perfezionato il processodi fabbricazione, si produrranno sempre delle celle con caratteristicheleggermente diverse. In particolare, l'esperienza ci informa che le cellefabbricate dagli stessi macchinari nelle medesime condizioni, aventi lestesse dimensioni, tuttavia non sono esattamente identiche. Per cui ci sarsempre una differenza, se anche piccola, nelle caratteristiche elettrichedelle celle, per es. la Icc delle celle appartenente allo stesso lotto variaalmeno di qualche percento.

V

I

1/Rcs

c

d

ba

1 Cella

2 Cella

Serie di due celle non


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Figura 2.10

Facendo riferimento alla figura, la caratteristica di un generatore formatoda due celle non identiche collegate in serie, pu essere ricavatagraficamente, ossia sommando per uno stesso valore di corrente i duevalori di tensioni delle due celle. Analizzando le diverse situazione nelgrafico si osserva che:

Nel punto "d": si ha la condizione di circuito aperto della serie incui la tensione globale V e uguale alla somma delle tensioni a vuotodelle due celle (I=0).

Nel punto "c", ambe due le celle sono dei generatori di potenza:V=V1+V2, la potenza generata da ciascuna cella e' positiva.

Nel punto "b": si in corrispondenza della situazione di cortocircuito della cella 2, per cui tale cella non ricever ne erogherenergia al circuito: V=V1, V2=0. Si noti tuttavia che la retta dicarico per R=Rcr interseca la caratteristica globale nel punto inquestione. Per valori di R < Rcr la cella 2 funziona da carico e nonpi da generatore. La tensione ai suoi capi si invertita di segnomentre la corrente non ha cambiato segno. In tal caso la cella contropolarizzata pu assorbire una potenza considerevole ed ilriscaldamento che in essa avr luogo pu danneggiare non solo ilmateriale plastico utilizzato per inglobarla ma anche la cella stessa.Perci, se la tensione fornita dalla celle in serie e' sufficientementeelevata, la cella contro polarizzata pu raggiungere la tensione dirottura inversa (Breakdown). Tale tensione varia per le cellecommerciali tra 20-50 V. Considerato che ogni cella pu fornire unatensione pari a 0.5 V, saranno quindi necessarie dalle 40 alle 100celle in serie perch avvenga il fenomeno di breakdown nella cellacontro polarizzata.

Il punto "a": esso corrisponde alla situazione di corto circuitodell'insieme delle due celle, ossia siamo nella situazione in cui latensione positiva erogata dalla prima celle si contrappone allatensione inversa generata della seconda cella, per cui si ha: V=V1+V2 = 0 -> V1=-V2

In linea di massima, la tensione da adottare nel caso dicollegamento in serie di diversi elementi: celle, moduli e stringhe, e'quella corrispondente all'intersezione tra la retta 1/Rcs e la correntedi corto circuito dell'elemento con il rendimento pi basso di tutto ilgruppo. Tale sistemazione permette di evitare surriscaldamenti eperdite sullelemento pi debole della serie.


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In definitiva, il comportamento di una serie di celle pu esseresintetizzato come segue :

le tensione a circuito aperto e' data dalla somma delle tensionidelle singole celle.

la corrente a corto circuito e' praticamente coincidente con lacorrente di corto circuito della cella che eroga la corrente pibassa.

La potenza erogata dalla serie e' data "n" volte quella erogatadalla cella con potenza minima.

Da qui si comprende, dunque, che e' inutile collegare celle buoneall'interno di una serie in prevalenza realizzata con celle cattive. Ciindica chiaramente l'esigenza di selezionare le celle in gruppi omogeneiprima di montarle in serie.

Altre possibili cause che portano a diversificare le celle di uno stessomodulo sono :1- la quantit di luce che riceve ogni cella: Un effetto molto importantelegato a questo fenomeno e' il cosiddetto effetto del "Hot spot" dovutoall'oscuramento di una o pi celle appartenenti ad un unico pannello. Nelfunzionamento reale di un pannello pu succedere che per cause diversevenga oscurata una cella. Per studiare il fenomeno supponiamo di avere"n" celle identiche collegate in serie all'interno di un pannello. Per cuiavremo come visto gi in precedenza che si avr Icc=Icci, Voc=nVoci. Almomento in cui una cella viene oscurata, succede che la corrente delcircuito di tutta la serie si ridurr drasticamente fino a raggiungere ilvalore della Io e cosi di conseguenza la potenza erogata assumer valorimolto bassi (trascurabili).Tale situazione avr come possibili stati finali iseguenti :

I. se la cella viene sottoposta a contro polarizzazioni che non laportino in regime di breakdown, ogni qualvolta che essa verrnuovamente illuminata, il modulo ritorner a funzionarenormalmente senza nessun cambiamento.

II. II se si invece la contro polarizzazione e' tanto elevate tale daportate la cella oscurata in regime di breakdown, la cella per ilsurriscaldamento verr danneggiata definitivamente. Il dannosubito dalla cella potr essere di due tipi :

Cortocircuito della cella, in questo caso il modulocontinuer' ad erogare una potenza pari a n-1/nxpcella.


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2.Fuori servizio della cella, in questo caso la potenzaerogata dal modulo e' nulla, la cella danneggiata sicomporter' come un nodo aperto.

Di norma, si fissa come limite superiore del surriscaldamento della cellaoscurata a 100 C. Quindi, la massima potenza dissipata su una cellaoscurata non deve mai superare, per il buon funzionamento del modulo,la Pmax ossia :

P K A T T T Tt a c amax max( ( )= - - eq. 2-9dove Pmax : potenza massima dissipabile per un cella (W) Kt : conduttivit termica specifica della cella (W/m

2C) Ta : temperatura ambiente (25 C). Tc : temperatura della cella A : area della cella (m2) Tmax : temperatura massima ammissibile per surriscaldamento.

2- l'area attiva di ogni cella.3- la presenza di polvere sull'involucro del pannello non uniforme.

2.1.12.2 Collegamento in parallelo

Celle identiche : Consideriamo il caso di due celle identiche collegate inparallelo ad un carico R. La tensione del circuito la stessa su i duediodi, la corrente risultante e data invece dalla somma delle due correntinei due rami, per cui si ha : I=I1+I2 ; V=V1=V2. Per cui facendo l'ipotesidella identicit delle due celle si avranno l'uguaglianza delle seguenticaratteristiche : curva I-v, corrente di corto circuito Icc, tensione dicircuito aperto Voc per cui si avr : I = 2I1=2I2 ; V=V1=V2. Lacaratteristica globale del parallelo e ottenibile sia analiticamente chegraficamente, per cui essendo la tensione ai capi delle due celle la stessasar sufficiente sommare per ogni valore di tensione i valori dellecorrente nelle due celle.Celle non identiche : In pratica non succede mai di avere a che fare concelle perfettamente identiche, per cui le problematiche di un determinatotipo di collegamento devono essere considera sotto tale aspetto.

1/Rcp

I

a

c

b

1 Cella

2


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Figura 2.11

Facendo riferimento alla figura si osserva che esistono diverse situazionidi funzionamento del parallelo, analizzando le diverse situazioni difunzionamento avremo :

1. nel punto a si nella situazione in cui i morsetti del parallelosono corto circuitati, di conseguenza risulta : Icc=Icc1+Icc2 perV=0.

2. per qualunque punto compreso tra i punti a ed c, le due cellefunzionano da generatori erogando una potenza positiva (seanche in misura diversa).

3. nel punto c, si in corrispondenza di una situazione critica incui la cella debole (quello con il minor rendimento) nellasituazione di cortocircuito, non eroga ne assorbe energia. Per cuisi ha : V=V2 I=I1. In corrispondenza di tale situazione si hauna resistenza di carico cosiddetta "critica" (Rcr), oltre al qualela cella debole inizia ad assorbire energia e dunque a fungere dacarico. Per cui normalmente, si cerca nel dimensionare circuitidi una certa potenza di non oltre passare tale resistenza.

4. il punto d corrisponde alla situazione di circuito aperto delparallelo. Quindi in questo caso tutta la potenza generata dallacella con potenza maggiore viene dissipata nella seconda cella diminor potenza.

In generale, le situazioni appena citate valgono anche per i grandiimpianti in cui gli elementi del campo (moduli) sono collegati inparallelo. Nella situazione in cui il carico supera la "Rcr", l'elemento cheha il minor rendimento si trover ad assorbire tutta la potenza erogatadegli altri elementi. Per cui ogni volta che si supera l'impedenza critica(1/Rcr) corrispondente al numero utilizzato di elementi nel circuito, siavr un surriscaldamento del elemento debole e di conseguenza, in certicasi, il danneggiamento definitivo dell'elemento stesso. Dunque, perprevenire situazioni non favorevoli del tipo sopra descritto le casecostruttrici utilizzano dei diodi di protezione collegati in paralleloall'elemento da proteggere.


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Le perdite dovute ai diodi di protezione, nei grandi impianti fotovoltaicinon sono trascurabili. Quindi necessario studiare un metodo con cuiminimizzare i diodi di protezione, tenendo conto dellimpedenza critica.

2.1.12.3 Collegamento mistoOltre alle configurazioni normali (parallelo - serie) esistono anche altreconfigurazioni cosiddette "miste", la scelta di un determinato tipo dicollegamento determinato dalle specifiche richieste dell'utente ossia:dallaffidabilit' richiesta, dalle caratteristiche elettriche dell'utente(In,Vn), dalla compatibilit di tale configurazione con gli elementidell'impianto (standard disponibili) ecc.

Figura 2.12

Facendo riferimento alla figura si vede che le configurazioni elementarimiste sono:

configurazione parallelo - serie: Come indicato in figura, ilcollegamento costituito da paralleli celle-cella collegati a loro volta inserie. In questa configurazione necessario realizzare un pannellodiverso da quelli standar. Dunque, si perde una caratteristiche importantedel sistema. Un guasto di una cella non porta l'interruzione di tutto ilsistema, per cui nel caso in cui la cella guasta andasse in corto circuito laconfigurazione continuer a funzionare senza la potenza delle due celledel parallelo guasto. Invece in caso di guasto di una cella in cui siproduce unapertura , la configurazione continuer a funzionare con tuttele celle ad eccezione di quella guasta.Supponiamo che, in un campo fotovoltaico con un numero di celle moltoelevato (migliaia), avvenga un oscuramento di una cella. La primarottura riduce di 1/n la corrente del parallelo a cui la cella oscurataappartiene, di conseguenza riduce la corrente di tutti gli altri pannelli inserie con quello contenente la cella oscurata.Un secondo oscuramento, per avere effetto deve avvenire nello stessoparallelo, mentre non ha praticamente alcun effetto se accade in un altro

Serio - Parallelo Parallelo -Serie


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parallelo di celle. Se m il numero totale dei paralleli in serie fra di lorovi quindi una probabilit di m-1/m (una probabilit assai prossima aduno se m>>1) che la seconda rottura non sia efficace.

configurazione serio - parallelo : Questa configurazione la piutilizzata per la sua praticit per quanto riguarda la realizzazione delsistema (vedi figura). Esso formato dal collegamento in parallelo didiverse serie di celle. Per piccoli impianti tale configurazione presentaqualche svantaggio ossia basta che nella serie vada fuori servizio unacella per mettere fuori uso tutte le celle del ramo a cui essa appartiene,riducendo cosi la potenza erogata dal campo. Qualora una cella vengaoscurata pu accadere che la tensione inversa che su questa si stabiliscesia superiore a quella massima sopportabile dalla cella stessa. Per evitareche un oscuramento accidentale si trasformi in una rottura definitiva, lecelle, a gruppi, vengono protette con un diodo (come abbiamo giaccennato).Daltronde la presente configurazione presenta il vantaggio di conservarela compatibilit del sistema ( si utilizzano moduli standard ).Per quanto riguarda laffidabilit di impianti di grande potenza realizzaticon la configurazione s-p vale la stessa formula del p-s a differenza che nrappresenta il numero delle serie di celle.

In fine da notare che, le configurazioni pi complesse non sono altreche la ripetizioni in ordine diverso del parallelo e della serie.

2.1.13 Protezione ed affidabilitIn generale, l'aspetto della affidabilit assume una certa importanzaquando si considerano impianti fotovoltaico che producono una potenzasuperiore al KW. Infatti, tale problema nei piccoli impianti, essendo lecorrente in gioco molto piccola, viene risolto con i diodi di protezione.Come abbiamo gi accennato, per motivi illustrati in precedenza, nellediverse configurazioni di collegamento si utilizzano i diodi (di by-pass edi blocco) per proteggere le celle da eventuali contro polarizzazioni chepotrebbero danneggiarle. D'altro canto, impensabile proteggere ognicella singolarmente, considerando che in un impianto fotovoltaico di unacerta potenza il numero di celle raggiunge le migliaia. Quindi di norma siutilizza proteggere con un unico diodo un certo numero di celle. Il passoche devono avere questi diodi dell'ordine di alcune decine di celle.Normalmente, i pannelli che si trovano in commercio sono costituiti daun numero di celle che va dalle 36 alle 40 celle/modulo. Per cui inpratica, il diodo di protezione viene collegato in parallelo a ciascunpannello.


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Il diodo di blocco ha la funzione di evitare la circolazione inversa dellacorrente nel campo quando questo, collegato a delle batterie, nonproduce pi potenza.

2.1.14 Prove sui pannelli (controllo delle prestazioni)In genere, per verificare la performance la qualit dei modulifotovoltaici si eseguono una serie di prove. Esistono diversi metodoproposti con cui verificare le caratteristiche dei pannelli. Diversecommissioni si sono interessate a definire una serie di test di laboratorioatti ad individuare la qualit e le prestazioni dei moduli fotovoltaici.Qui di seguito riportiamo le prove da attuare in base alla commissioneCEE del 1981 (Krebs,CeC-Spec. 501-Agosto 1981).

Esame visivo : Il primo passo della prova consiste nel eseguire uncontrollo visivo (con sorgente luminosa almeno da 1000 lux) sulmodulo, ci importante per la ricerca di guasti nei moduli. Nei puntisospetti l'esame visivo deve essere fatto con un ingrandimentocompreso tra 8-40 volte.

Resistenza dei cavi del modulo alla trazione : Si prevede che imorsetti dei pannelli siano sottoposti a sollecitazioni di trazione.Questo test serve per verificare la resistano dei morsetti del moduloquando questo viene sotto posto ad un sollecitazione di trazioni,durante l'assemblaggio. La prova consiste nel sottoporre i cavi ad unaforza di trazione progressivamente crescente fino certo valore (1-40 Nin base alla sezione del cavo), tale valore viene mantenuto per 10minuti

Resistenza alla flessione : cio una prova di montaggio con angolo dideformazione di 1.2 gradi. Con questa prova si cerca di verificare laresistenza del modulo ad una minima flessione.

Resistenza dell'isolamento elettrico del modulo :1. procedura 1: viene applica una tensione di 100 volt tra ad i

terminali in corto circuiti e l'involucro metallico del modulo. Laresistenza di isolamento deve risultare di 100 mohm dopo unapplicazione di un minuto. Questo tipo di prova viene eseguito suisistemi che hanno una tensione di operazione maggiore di 50 volt.

2. procedura 2 : qui viene utilizzato un ohmetro per cui il terminalenegativo viene collegato ai terminali del modulo corto circuitati e ilterminale positivo alla carcassa del modulo, la corrente non devesuperare i 50 microA. Dunque la tensione viene aumentata di 500V/s (DC) fino al valore massimo di 100 volt positivo rispetto allatensione massima ammissibile dal sistema, tale situazione viene


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mantenuta per una minuto. Non ci dovranno essere segni di perditeo scarica nel dielettrico.

Misura delle caratteristiche elettriche nelle condizione nominale ditemperatura: Il rilevamento della caratteristica I-V della cella vieneeseguita nelle seguenti situazioni : Insolazione 800 W/m2, temperaturaambientale 20 C, velocit del vento 1 m/s, il modulo deve essereorientato perpendicolarmente alla sorgente luminosa. La temperaturarisultante della cella in tale situazione la cosiddetta condizione diNOCT.

Resistenza all'effetto "hot spot": questa prova non richiesta se lacasa costruttrice ha adottato dei diodi di by-pass per ogni serie di 12celle. Lobbiettivo di questa prova e' quello di verificare la resistenzadel modula agli effetti del hot spot ossia che non succedano fusione disaldature o deterioramento degli inglobanti.

Inizialmente si sceglie la cella con unalta resistenza shunt ed a questaviene applicata una tensione pari a V=NxVav . Il livello diilluminazione e la potenza del generatore vengono regolate in mododa garantire in situazione di corto circuito I=Iav (Vav, Iav solo letensione e la corrente che mediamente erogano le celle del modulo incondizioni nominali ). Portandola ad una temperatura NOCT, la cellaviene mantenuta in tale condizione per 60 minuti. Il test viene ripetutoper 50 volte. Il modulo viene corto circuitato sotto una illuminazionedi 1000 W/mq ed una delle sue celle ad basso valore di Rsh vieneombreggiata del 10 % per 60 minuti, la stessa prova viene ripetutaprendendo un'altra cella ad alto Rsh. Alla fine delle prova non deverisultare nessun tipo di danneggiamento, la caratteristica V-I delmodulo pu cambiare al massimo del 5% dal suo valore iniziale.

Resistenza ai cicli di temperatura ed allumidit: Consiste nel sottoporre i pannelli a ripetuti cicli termici tra -40 C e + 80 C persollecitare fenomeni di delaminazione e penetrazione di umidit. Perlumidit invece, il modulo viene tenuto in un ambiente molto umido(>=93 % RH) a 40 C per 48 ore, viene trasferisce in un ambiente incui la temperatura viene abbassata a - 40 C ad ritmo di 3 C/min,quindi raggiunti i -40 C viene mantenuto tale temperatura per 60minuti, poi la temperatura verr riportata a quella ambientale ad unritmo di 1 C/min. Il modula dopo tale prova non dovr presentarenessun segno di danneggiamento.

Resistenza meccanica all'azione della grandine: consiste nelbombardare con palline di ghiaccio del diametro di 25 mm con unavelocit di impatto di 23 m/s il vetro superiore per simularegrandinate.


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Resistenza ai raggi ultravioletti: consiste nel sotto porre i pannelli adosi elevate di radiazioni ultraviolette che generalmente sono la causadi ingiallimento delle plastiche inglobanti.

Resistenza alla salinit: Questa prova ci da delle indicazione dellaresistenza del modulo all'atmosfera salina. Il modulo viene posto in unambiente con T=35 2 C in cui si ha una deposizione di sale sulmodulo di 10-50 gr/m2 al giorno (con pH 6.5-7.2) per 4 giorni. Allafine del test, il modulo viene lavato e non dovr presentare nessunguasto.

Esistono altre prove che fanno parte di questa procedura che nonriportiamo perch poco importanti.

Purtroppo, ancora oggi non si riusciti a definire un metodo standardcon cui effettuare tali prove. Si spera, in futuro, che le diversemetodologie di prove vengano unificate in modo che i laboratorispecializzati possano emettere dei certificati legalmente validi.

2.1.15 Durata dei PannelliIn teoria i pannelli fotovoltaici non avendo parti in movimento, per il lorostesso principio di funzionamento, dovrebbero avere una vita infinita.Tuttavia, i moduli che oggi si trovano in commercio raramente superano idieci anni di vita, le cause di tale limitazione sono varie tra cui le piimportanti sono :-

Rottura del vetro superiore Penetrazione umidit ai bordi del pannello Delaminazione dell'inglobante

L'elevato costo dei sistemi fotovoltaici e' dovuto proprio al fatto che essivengono ammortizzati in un breve periodo.

2.2 L'accumulo nei sistemi fotovoltaiciNei paragrafi seguenti verranno riportati e analizzati i metodi didimensionamento e le relative grandezze coinvolte nel dimensionamentodi un sistema di accumulo (batterie).La fluttuanza ed imprevedibilit dei sistemi fv rende necessario, in certicasi, lutilizzo di un sistema di accumulo che permetta di garantireall'utente le prestazioni richieste (tensione, corrente, frequenza ecc.). Ingenerale, a secondo del tipo di utente da alimentare, le prestazionirichieste variano, cambia la configurazione, possibile in certi casiconvenga non adottare un sistema di accumulo.


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Il ruolo che il sistema di accumulo ha nei sistemi fv lo si pu sintetizzarenei seguenti punti :

1. Ridurre la flutuanza ( eccesso/difetto di energia ).2. Assorbire i momentanei carichi di punta.3. Erogare energia nei periodi di maltempo (back-up).

Nell'ottimizzare un sistema di accumulo bisogna tener in considerazione iseguenti parametri :

Densit energetica Rendimento complessivo del sistema di accumulo Costo

2.2.1 Metodi di accumuloI metodi che normalmente si utilizzano per accumulare lenergia prodottadai sistemi fv, si basano su varie tecniche. Qui di seguito riportiamo unapanoramica dei diversi metodi di accumulo utilizzati nei sistemifotovoltaici, soffermandoci solo sulle batterie, essendo quelle che inpratica vengono pi utilizzate.

2.2.2 Metodi Meccanici

2.2.2.1 Accumulo IdraulicoQuesta tecnica, che permette di trasformare energia elettrica in energiapotenziale e viceversa, un metodo tradizionale molto utilizzato. Essoconsiste nel pompare acqua da un basso livello fino all'altezza di unserbatoio disposto ad una certa quota. Durante i periodi di massimainsolazione in cui l'energia generata supere quella richiesta, leccesso dienergia verr accumulata sotto forma di energia potenziale, pompandoacqua nel serbatoio. Al contrario, nei periodi di elevate richiesteenergetiche, l'energia potenziale verr ritrasformata in energia elettrica dadelle piccole turbine.Il rendimento globale di questo sistema si aggira intorno ai 60 % - 70 %.Uno degli svantaggi di questo metodo che necessita grandi quantitatividi acqua e quindi ha limitate possibilit di utilizzo.Il metodo sopra esposto diventa molto interessante nel caso dei sistemi dipompaggio fotovoltaici, in questo caso non si ha la ritrasformazione dellenergia potenziale dell'acqua accumulata nel serbatoi in energia elettrica ,l'acqua accumulata viene direttamente utilizzata, togliendo cosi di mezzole turbine di ritrasformazione.


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2.2.2.2 Accumulo Aria-compressaIl metodo si basa nell'accumulare aria compressa in serbatoi metallicisotterranei, questo metodo e pi complesso del metodo idrico pero cipermette di raggiungere densit energetiche pi elevate ed e'economicamente pi vantaggioso del sistema idrico.

2.2.2.3 Volano ( FLYWHEEL )Questo metodo in genere non e' molto usato proprio per lingombro chepresenterebbe il volano per accumulare una certa quantit di energia.

2.2.3 Metodo Connessione alla ReteLa connessione del campo fotovoltaico direttamente alla rete e unasoluzione che nel caso sia fattibile porta a una serie di vantaggi. Uno deivantaggi di questo metodo che la rete riceve energia dal sistema fvquando il costo del kwh molto elevato ( richieste di picco ) e restituiscetale energia quando il costo del kwh molto basso. Una delle difficolt acui va incontro questo metodo e quello della non esistenza di norme ditariffazione per fissare un contratto con l'ente di distribuzione dell'energiaelettrica. In genere, questo metodo adatto ai casi in cui la rete elettrica accessibile, per cui nei sistemi fv autonomi non applicabile questatecnica.

2.2.4 Metodi ElettrochimiciIl metodo si basa nel trasformare lenergia elettrica in energia chimica eviceversa, tra i metodi esistenti quelli pi pratici sono :

2.2.4.1 Accumulo dell'IdrogenoLidoneit del metodo risulta dal fatto che i panelli fotovoltaiciproducono energia elettrica adatta al processo di elettrolisi dell'acqua(energia elettrica in C.C. e a bassa tensione). L'idrogeno prodotto conquesto metodo, in genere, viene accumulato in contenitori metallicisotterrati ad alta pressione. Il processo inverso, ossia quello di ottenereenergia elettrica dall'idrogeno, avviene proprio utilizzando l'idrogenocome combustibile , per cui questo rappresenta uno dei vantaggi diquesto sistema.Facendo riferimento all'esperienza che si acquisita sullutilizzo,accumulo e trasporto dell'idrogeno e la sua larga utilit, l'idrogeno


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potrebbe diventare il combustibile del futuro se si realizzasse grandiimpianti fotovoltaici per la produzione di idrogeno nelle zone desertiche(Sahara).Comunque, al momento la maggiore limitazione e dovuta al bassorendimento di questo sistema, rendimento inteso come il prodotto deirendimenti di tutto il processo. Attualmente il rendimento globale siaggira a valori inferiori al 50 %.

2.2.4.2 Accumulo elettrochimico (batterie)Tra i diversi metodi di accumulo dell'energia elettrica, quello dellebatterie si presenta come quello pi usato per la sua affidabilit epraticit, avendo raggiunto una certa maturit tecnica. Gli accumulatorielettrochimici (batterie) sono dispositivi in grado di assorbire una certaquantit di energia elettrica trasformandola in energia chimica per poiritrasformarla nuovamente in energia elettrica, quando questa vienerichiesta.Gli accumulatori piombo - acido possono essere classificati in tre grandicategorie a seconda del tipo servizio che tali accumulatori sono chiamatia svolgere, ed in particolare si hanno :1. accumulatori stazionari : a questa categoria appartengono gli

accumulatori destinati ai sistemi fotovoltaici e a tutte le applicazionidi sicurezza e di emergenza. La principale caratteristica di questielemento laffidabilit, ovvero la capacit di erogare energia inseguito a fluttuazioni, disturbi o completa mancanza di alimentazione.Le batterie stazionarie si differenziano tra di loro per le caratteristichedi scarica, per il comportamento al variare della temperatura e per ilvolume occupato.

2. accumulatori per trazione : sono gli accumulatori destinati allapropulsione di veicoli elettrici semoventi quali elettro - carri, trattori,carrelli industriali e locomotori il cui utilizzo necessario ogniqualvolta lambiente di lavoro richiede luso di strumenti edattrezzature particolarmente non inquinanti. Le caratteristicheprincipali di questo tipo di accumulatori sono costituite da unelevatacapacit di sovraccarico che consente elevate prestazioni di punta dibreve durata e da un ridotto costo di ricarica, soprattutto quandoquesta viene effettuata nelle ore notturne.

3. accumulatori per avviamento : sono le comuni batterie installate suiveicoli e destinate appunto allavviamento del motore a scoppio ed atutti quei servizi ausiliari dove si richiede energia elettrica. Lecaratteristiche specifiche di questo tipo di accumulatore sonoessenzialmente laffidabilit, lalta potenza elettrica di avviamento afreddo, il peso e la durata.


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2.2.5 Richieste specifiche delle batterie per i sistemi fotovoltaici

2.2.6 Scelta del tipo di batteriaLe batterie utilizzate nei sistemi fv hanno cicli di funzionamentoabbastanza diversi da quelli richiesti alle batterie normali. La variazionestagionale del SOC pi accentuate di quella giornaliera. Laffidabilite la durabilit dei sistemi fv, se ha un sistema di accumulo, dipendeessenzialmente dalla scelta delle batterie, che se inadeguata pucompromettere il funzionamento di tutto il sistema fv.Esistono molti parametri a cui bisogna tenere conto nella scelta dellebatterie, tra cui :, la tensione richiesta dallutente, il coefficiente diautoscarica, il costo per ogni Wh, la manutenzione ecc. Esistono diversimetodi con cui viene dimensionata una batteria, tutto dipende dallacaratteristiche del carico . Un metodo quello di dimensionare le batteriein base ai giorni di autonomia, ossia si fa l'ipotesi che durante l'anno cipossano essere un certo numero di giorni senza sol in cui le batteriedovranno soddisfare il carico.Le batterie al Pb-acido sono quelle comunemente pi usate, in generevengono utilizzate anche altri tipi di batterie: per es. alcaline, Nickel-cadmium.

2.2.7 Caratteristiche funzionali delle batterieNel scegliere e/o dimensionare un accumulatore elettrochimico bisognavalutare i parametri che caratterizzano la capacita di accumulo . Qui diseguito riportiamo i parametri pi importanti della batteria sono :

La capacit in Ah : Capacita in A-h : la quantit di corrente discarica che l'accumulatore e in grado di fornire per un determinatointervallo di tempo (a temperatura fissa). Questa grandezza dipende dadiversi fattori tra cui quelli pi importanti sono : Regime di scarica,temperatura, spessore piastra, storia delle piastre, concentrazioneelettrolita.

Capacita' in W-h : e l'integrale del prodotto tensione corrente ai capidellaccumulatore dalla tensione a batterie completamente carica finoa raggiungere alla tensione di cut-off. La relazione tra capacit diaccumulo espressa come Ah e quella espressa in Wh e data :-

Wh=Ah x V x BF Dove

Wh = capacita in Watt ore


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Ah = capacita in Amper ore BF = La frazione della batteria disponibile per l'utilizzo

In certi casi si utilizza il D.O.D. (Depth of discarge) ossia profonditdi scarica che e' un'altro modo di rappresentare lo stato di carica(SOC=100-DOD ).

Tensione a circuito aperto (Voc): la tensione che si ha quandoall'accumulatore non applicato un carico, ossia la tensione a vuoto incerto instante. Essa decresce linearmente con decresce dello stato dicarica (SOC).

Corrente di corto circuito (Icc): la massima corrente che siavrebbe cortocircuitando la batterie. Tale corrente dipende quindidalla resistenza interna.

Resistenza interna (Ri) : la resistenza che provoca la caduta ditensione quando la batterie attraversata da una corrente di scarica.La resistenza elettrica di un accumulatore al piombo, dipendeessenzialmente dal tipo di isolamento interno e dallo stato di carica.

Stato di carica (SOC) : la quantit di energia che, in undeterminato istante, una batterie contiene. In genere, si fa riferimentoanche al rapporto tra lenergia che la batterie contiene in un certoistante e quella massima immagazinabile. Esso rappresenta uno deiparametri pi importanti nella progettazione.

Tensione di gassificazione : la tensione altre il quale si ha losviluppo di gas nella batterie. In fase di carica, in genere, si sviluppadel gas quantificabile - 2 ml/Ah/elemento/mese a 25 C alla tensionedi mantenimento di 2,27 V/elemento. Essendo il gas sviluppatoprevalentemente idrogeno, se ci viene sviluppato in grande quantit,si ha il pericolo di esplosione in ambienti chiusi.

Coefficiente di autoscarica: rappresenta la frazione del contenuto dicarica che la batterie dissipa spontaneamente nellunit di tempo. Ilcoefficiente di autoscarica, che deve essere indicato fra le specifichedella batteria, tipicamente compreso fra 0.5 e 1% al giorno

Il comportamente della batterie

Fase di scaricaLa tensione nominale di tutti gli accumulatori al piombo di qualsiasi tipo stata fissa in 2 V/elemento. La tensione a riposo di un elemento caricova dai 2,04 V a 2,1 V a seconda del tipo di costruzione. Durante lascarica a corrente costante essa diminuisce continuamente tra il 10 ed il100% di prelievo della capacit fino a raggiungere il valore di finescarica. Se si interrompe la scarica, la tensione aumenta immediatamente,perch viene a mancare la caduta interna di tensione, e continua poi ad


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aumentare lentamente, perch allinterno si ristabilisce lequilibrio delladensit dellacido (fase di recupero).La carica che pu essere estratta da una batteria completamente caricadipende dalla corrente di scarica o, il che equivalente, dal tempo discarica. Quanto pi breve il tempo di scarica tanto pi bassa latensione finale e le amperora estratte. Lefficienza di estrazionedellenergia di poco inferiore al 90% per un tempo di scarica di 10 ore,ma scende a circa 50% per un tempo di scarica di 2 ore.

Fase di caricaDalla modalit con cui la carica della batteria viene eseguita, dipende nonsolo lefficienza del processo di carica, ma anche il tempo di vita dellabatteria. Al fine di non danneggiare la batteria, indispensabile chedurante tutto il processo di carica la tensione della batteria si mantengainferiore alla tensione di ebollizione (2,4 V/elemento). Perch ciavvenga necessario che la corrente deve seguire la leggedellamperora, cio la corrente di carica deve essere inferiore allacorrente nominale moltiplicata per la frazione che manca a raggiungere lapiena carica: I In (1-p).Loperazione di carica pu essere effettuata essenzialmente in due modi:

1. carica in tempi lunghi con tensione di carica controllate ecorrispondenti a quella di mantenimento e modeste correnti.

2. carica in tempi brevi con tensione di carica controllate fino a2,4 V/elemento e correnti pi elevate, dove necessarioripristinare rapidamente velocemente lo stato di carica degliaccumulatori.

Un valido compromesso fra le esigenze di ricarica rapida e quello di noncompromettere laffidabilit dellaccumulatore il metodo IU. Conquesto metodo la ricarica inizia in una prima fase con corrente costante divalore massimo stabilito, prosegue in una seconda fase con questo valoredi tensione mantenuto costante e con corrente conseguentementedecrescente fino ad un valore minimo prestabilito. Raggiunto questovalore minimo di corrente, la tensione viene abbassata alla tensione diconservazione.


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2.2.8 Modello batterie ( per simulazione)Attualmente i modelli matematici proposti per rappresentare ilcomportamento di una batteria sono ancora ad uno stadio sperimentali,quindi bisogna fare molta attenzione nellutilizzarli.In questo paragrafo riportiamo delle formule empiriche proposte dallecase costruttrici che comunque serviranno come modelli indicativi delcomportamento di un batteria.Fissate le caratteristiche della batteria (geometria degli elettrodi, densitdellelettrolita, temperatura), le curve V-I caratteristica di ogni cellarisultano indipendenti dalla sua capacit purch al posto della corrente siusi la frazione di corrente nominale f=I/In ed al posto della carica Q lafrazione di carica p=Q/C. Queste curve universali sono abbastanza similiper tutte le batterie al piombo - acido, e non si differenziano di molto frale varie case costruttrici. Analiticamente sono espresse cosi:

Carica: ( )( )

V V p p f p

V V p p f poc

oc

= + + +

a b g

a d

075

07 075

.

. .

Scarica: ( )V V p p fos= + - -a e h

dove : Voc=2.05 volt, a=0.1 volt, b=0.25 volt, g=1 volt, d= 20 volt,Vos=2.02 volt, e=0.48 volt, h=0.22 volt.Un altro aspetto quello del flusso di energia entrante o uscente dallabatteria. Quando la batterie collegata ad un sistema che la sotto ponecicliche fasi di carica e scarica, il contenuto di energia della batteria puessere calcolato utilizzando la seguente equazione:


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SOC t dt SOC t D dt K V I R I dts b b b b( ) ( )( ) ( )+ = - + -1 12

dove SOC(t) e SOC(t+dt) (Wh) sono i contenuti di energia della batteriaagli istante t e t+dt rispettivamente, Ds (W/h) il coefficiente diautoscarica, K1 il rendimento globale delle fasi di carica - scarica, Rb la resistenza interna della batteria. La tensione e la resistenza vengonoaggiornate dopo ogni intervallo di tempo dt secondo le seguentiequazioni:

( )

( )

RSOC

SOCV R

V R

RR

SOC

RR

SOC

b

ch

dch

ch

dch

2

2

2

2

1

2

1

2 0148

1926 0124

0758 01309106

019 01037 014

=

= += +

=+ -

=+ -

-

-

max.

. .

. . .

max

. . .

max

dove Vch (V) e Vdch (V) sono la tensione di carica e scarica dellabatteria, Rch (W) e Rdch (W) sono la resistenza interna di carica e discarica. SOCmax (Wh) lenergia massima che la batteria riesce adaccumulare.

2.3 Condizionamento della potenzaI sistemi di condizionamento della potenza sono dispositivi che fungonoda interfaccia tra carico e pannelli ed hanno come obbiettivo quello diadattare nel migliore dei modi le due caratteristiche, carico - generatore.Essi si rendono necessari per i seguenti motivi :

Lintersezione delle caratteristiche carico - generatore (punto dilavoro) non sempre avviene nella zona di massima potenza. Quindi ilsistema di conversione non in grado di utilizzare tutta la potenzadisponibile.

Per motivi di standardizzazione o di affidabilit o di reperibilitcommerciale del dispositivo finale (utente), pu rendersi necessario laconversione in alternata dellenergia uscente dai pannelli.

Esistono vari metodi con cui si condiziona la potenza uscente da uncampo fotovoltaico, tra cui i pi utilizzati sono:


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Convertitore DC-DC : sono dei dispositivi capaciti di convertire unapotenza elettrica in ingresso ,P1=V1xI1 in unaltra P2=V2xI2secondo un certo rendimento h=P2/P1. Essi vengono utilizzati peradattare carico e generatore, quando questi presentano tensioni ecorrenti diverse.

Convertitore DC-AC (inverters): Gli inverters sono dei dispositivistatici capaci di convertire una potenza elettrica continua in alternata,per esempio 12 Vdc in 220 Vac. Tale conversione avviene conrendimenti abbastanza elevati > 85%, quando la potenza di lavoro compressa fra il 50%-100% della potenza nominale. Lutilizzo degliinverters indispensabile quando si ha a che fare con carichi cherichiedono una potenza elettrica in alternata - per es. quasi tutte leutenze domestiche. Uno dei problemi che si hanno con gli inverters quello della potenza uscente che oltre alla armonica fondamentalecontiene una notevole percentuale di armoniche superiori. Per certiutenti tale fenomeno deve essere eliminato con filtri che quindiabbassano ulteriormente il rendimento di conversione. In generale, nelscegliere la configurazione di un impianto fv, si deve cercare dievitare lutilizzo dellinverter, quando questo possibile, viceversa,nel caso in cui si renda insostituibile, si deve cercare di farlofunzionale alla sua potenza massima.

Inseguitore del punto di massima potenza (MPPT) : in modomolto semplifice, pu essere definito come un trasformatore dc-dc arapporto variabile. Il rapporto di trasformazione stabilito, istante peristante, da una logica di controllo la quale in base alla tensioneduscita cerca di mantenere la tensione dingresso uguale a quella dimassima potenza del campo fotovoltaico. LMPPT composto da dueparti che svolgono diverse funzioni:

1. Il convertitore DC-DC con un rapporto variabile (in salitao in discesa);

2. La logica di aggiustamento, che mantiene il rapporto ditrasformazione al valore di massima potenza. Esso ha lafunzione di ricerca automatica del rapporto ditrasformazione che meglio adatta il campo fv al carico,massimizzando cosi la potenza trasferita.

Un importante aspetto riguarda la convenienza di inserire nellimpiantoun blocco MPPT. Laumento di potenza che si ha nel caso di utilizzo diun MPPT dipende da vari fattori: clima, utente ecc. La scelto di utilizzareun MPPT si deve basare su una analisi che va ad esaminare il bilancioglobale di vari parametri, tra cui: il guadagno di energia, il rendimentoannuale, il costo del sistema ecc.

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