http://www.puskice.info/49.OSNOVNA PODELA DIODA PREMA NAMENI: Prema nameni diode se dele na: signalne diode, ispravljačke diode, prekidačke diode, diode za stabilizaciju napona, diode referentnog napona, fotoemitujuće diode, fotoosetljive diode

1. 50.RAZLIKA Ge I Si DIODA: Za male vrednosti napona, odnosno struje, karakteristika PN spoja

germanijuma ima oblik funkcije a silicijuma . To znači da postoji značajna razlika u početnom

delu U-I karakteristike. I vrednost napona UFT je približno 0,2 V za germanijumske, tj. oko 0,6 V za silicijumske diode.

51.KAKO JE DEF. SACINILAC PROMENE INV.STR.ZAS. DIODE U ZAVISNOSTI OD TEMP. I NJEGOVA PRIBL.VR.

Temperaturski sačinilac promene inverzne struje zasićenja: što znači da se vrednost struje IS

približno udvostručava pri povećanju temperature od 10ºC:

52.OSNOVNI PARAMETRI DIODE I KAKO ZAVISE OD TEMPERATURE Parametri koji karakterisu svojstva poluprov. Dioda su Is, Uto, Ub. U nacelu sa povecanjem temperature povecavaju se injihove vrednosti, recimo Is se pri povecanju temp. za 10°C priblizno udvostruciOsnovni parametri diode: inverzna struja zasićenja IS (raste sa porastom temp), direktni napon UF (smanjuje se sa porastom temp) i napon proboja U(BR) (raste sa porastom temp).

53. U kojoj oblasti staticke U-I karakteristike radi cener dioda u uobicajenim uslovima? Cener dioda u uobičajnim uslovima radi u oblasti proboja.

PN-PN-СПОЈСПОЈ

U

I

0

-Is

Si Ge

)1( Ts

UU

eII

A K

P N

За напоне мање од 5,6 V температурски коефицијент радног напона Ценер-диода (TCUZ) је негативан, док је за напоне изнад 6,2 V позитиван

http://www.puskice.info/

54.OSNOVNA SVOJSTVA SOTKI-D. Sotkijeva dioda se odlikuje velikom brzinom rada u prekidackom rezimu, naime pri radu u prek.rez. nema efekta nagomilavanja sporednih nosilaca slobodnog naelektrisanja pa je vreme rasterecivanja jednako nuli. Izrada ovih dioda je jednostavnija, jer ne zahteva formiranje P-oblasti. Pad napona na direktno polarisanoj diodi je manji, a Is veca nego u slucaju diode sa PN-spojem.iliŠotki diode se odlikuju velikom brzinom rada u prekidačkom režimu. Za tu pojavu koristi se usmeračko dejstvo spoja metala i poluprovodnika N-tipa.55.STA JE VARIKAP-DIODAVarikap diode su diode koje se upotrebljavaju kao elementi sa promenljivom kapacitivnošću. Fizičke dimenzije ovih dioda su vrlo male.ili tj variable capacitance diodes. Kao sto samo ime kaze predstavlja diode sa promenljivom kapacitivnoscu. Sve poluprov. Diode sa PN-spojem imaju promenljivu kapac. Jer kapac. Inverzno polarisanog spoja zavisi od napona na spoju, pa je ova osobina iskoriscena za izradu varikap dioda.

56.Shta je Tunel dioda i nacrtati njenu karakteristiku U-I karakteristiku?

ILI:U-I karakteristika tunel-diode i ekvivalentno kolo u oblasti negativne otpornosti.

57.Nacrtati ekvivalentna kola savrshene diode polarisane u provodnom i neprovodnom smeru?

ПРИ ВРЛО ВЕЛИКИМ КОНЦЕНТРАЦИЈАМА, ПРОЛАЗАК ЕЛЕКТРОНА КРОЗ ПОТЕНЦИЈАЛНУ ПРЕПРЕКУ ТУНЕЛ-ЕФЕКТОМ ОМОГУЋУЈЕ НАСТАНАК ПРОБОЈА ПРИ ВРЛО МАЛОМ ИНВЕРЗНОМ НАПОНУ

противсмерна (инверзна) диода (unitunnel diode, backward diode)

пролаз електрона кроз потенцијалну баријеру процесом тунеловања одвија се брзином светлости

UP : од 50 mV (Ge) до 0,5 V (GaAs)отпорник контролисан напоном

IP од 10 μА до 10 А

IAK

UAK

IF

UF

UR

IR

IV

IP

UP UV

ΔU/ΔI<0 LS

Cp

CJ rS

gJ

S

http://www.puskice.info/

НЕЛИНЕАРАН ПАСИВНИ РЕЗИСТИВНИ ЕЛЕМЕНТ СА ЈЕДНИМ ПРИСТУПОМ СА ИЗРАЗИТО НЕСИМЕТРИЧНОМ КАРАКТЕРИСТИКОМ

58. KAKO JE DEF. SACINILAC PROMENE NAPONA DIODE U PROPUSNOM SMERU U ZAVISNOSTI OD TEMP… Pri stalnoj struji napon diode polarisane u propusnom smeru, UF, smanjuje se sa porastom temperature:

.

59.Nacrtati karakteristiku i naznaciti osnovne parametre poluprovodnicke diode

K

A

U(TO)

IF

UAK>0

+

A

K

rT

IR RR

UAK<0

http://www.puskice.info/

60.U cemu se razlikuju staticka i dinamicka otpornost diode

Statička otpornost diode je prema Omovom zakonu: . Dinamička otpornost r predstavlja karakteristiku

diode u određenoj radnoj tački pa je .

61. KAKO SU DEF. NAPON PRAGA UTO I OTPORNOST NAGIBA rT

( 1)AK

TAK s

UUI I e

UAK

IAK

Te

kTUq

UF(V)

IF(mA) Ge

Si

1,0 0,8 0,6 0,4 0,2

20

40

60

100

80

IR(A)

UR(V)

0,1 1 10 100

Ge

Si 10-9

10-6

AKT

UUe 2

AKT

UUe

Is - инверзна струја засићења

СТАТИЧКА СТАТИЧКА ОТПОРНОСТОТПОРНОСТ

ДИНАМИЧКА ДИНАМИЧКА ОТПОРНОСТОТПОРНОСТ

UAK

IAK

AK TAK AK s

dU UrdI I I

TF

UrI

( 1)AK

TAK s

UUI I e

RF = 70 ; (UF = 0,7 V; IF = 10 mА), RR = 800 М, (UR = 20 V; IR = 25 nА).

http://www.puskice.info/UAK=UTO + rT IF gde je rT definisan formulom rT = dUAK / dIAK

62. Linearizovana U-I karakteristika poluprovodničke diode: Silicijumska: UF=0,6V,

germanijumska: UF=0,2V.

63. EKV.KOLA CENER-D. U PROVODNOM STANJU POLARISANE U DIR I INV SMERU

Ekvivalentna kola Cener-diode.

R = 100 Ω, RL = 100 ΩU(ZZO) = 6 V

UFT

IAK

UAK

RR=∞ r=0

K

A

U(TO)

IF

UAK>0

+

rT

UAK<0

K

A

UZ

+

rTIZ

ZD1 R

A

ZD2

RL U

B

+

R

UO

RL U

A

B

RRR

UUL

LAB

)ZZO()( UUU GAB

0

UAB

U UG = 12 V

-UG

U(ZZO) = 6 V

-U(ZZO)

константа нагиба k1 = 1/2

а) ценерке “не воде”а) ценерке “воде”

ТЕВЕНЕНОВА ТЕРЕМА