2.-Distillazione: basis design
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Universit degli Studi di Cagliari Dipartimento di Ingegneria Meccanica, Chimica e dei Materiali
Impianti Chimici a.a. 2014-2015
La distillazione
vapore
V, yi
L, xi
vapore
V0
L0
acqua
V1
L1
acqua
Vn-1
Ln-1
acqua
Vn
Ln
Piccole (infinitesime) quantit di vapore ottenuto in ogni stadio
Aumentando il numero degli stadi (n) aumenta la purezza ottenibile
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vapore
V0
L0
acqua
V1
L1
acqua
Vn-1acqua
Vn
Ln
L1 Lm-1
Lm-2vapore
V1
vapore
Vn-2
Vm-1
Lm
Ln-1
vapore
Vm
Processo per la produzione di due composti di richiesta purezza con rispettivamente n e m stadi (ma con numerosi prodotti intermedi e lutilizzo di un gran numero di apparecchiature di scambio termico)
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V0
L0
V1
L1
Vn-1acqua
Vnyn
Ln
L1 Lm-1
Lm-2
V1
Vn-2
Vm-1 Vm
Ln-1
vapore
L2 1
n-1
n
1
m-1 m
V2
Lm xm
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La distillazione pu essere considerata come una serie di flash in cui il liquido e i l v a p o r e s i m u o v o n o i n controcorrente. In ogni stadio le correnti di liquido e vapore entranti si miscelano e le correnti uscenti possono essere considerate allequilibrio.
Il vapore uscente dallultimo stadio viene condensato e parzialmente rinviato in colonna come riflusso.
Il liquido uscente dallultimo stadio viene parzialmente vaporizzato e rinviato in colonna.
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Determinazione del numero di stadi
Determinazione del numero di stadi con il metodo analitico-grafico di McCabe-Thiele.
Si suppone che le portate di liquido e vapore siano costanti nella sezione di arricchimento e in quella di esaurimento della colonna.
F = D+BFxF = DxD +BxW
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Equazioni per la sezione di arricchimento
Dnnnn
nn
DxxLyVDLV
+=
+=
++
+
11
1
DLR
xDL
DxDL
L
xVDx
VLy
n
Dn
nn
n
Dn
nn
nn
=
++
+
=+=++
+
111
Dnn xRx
RRy
11
11 ++
+=+
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Nel caso di portate costanti lequazione della sezione di arricchimento una retta.
Passa per il punto sulla diagonale x=xD, ha pendenza Ln/Vn+1 (R/R+1) e interseca lasse delle ordinate nel punto xD/R+1
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Equazioni per la sezione di esaurimento
WVR
xVWx
VWVy
xVWx
VLy
WxxLyVWLV
m
Wm
mm
mm
Wm
mm
mm
Wmmmm
mm
/11
11
111
11
1
=
+
=
=
=
=
++
++
++
+
++
+
Wmm xRx
RRy 111 +
=+
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Nel caso di portate costanti lequazione della sezione di esaurimento una retta.
Passa per il punto sulla diagonale x=xW, ha pendenza Lm/Vm+1 e interseca lasse delle ordinate nel punto -xW/
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Stadio di alimentazione Lo stato fisico dellalimentazione determina la relazione fra Vn e Vm cos come fra Ln e Lm.
Lalimentazione definita attraverso il parametro q:
LV
FV
HHHHq
ionevaporizzazdilatentecaloreinizialicondizioniallemolevaporizzaracessariocaloreneq
=
=
1
q=1 liquido saturo
q=0 vapore saturo
q1 liquido sottoraffreddato
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Il parametro q pu essere anche visto come il numero di moli di liquido saturo prodotte per ogni mole alimentata alla colonna:
FqVVqFLL
mn
nm
)1( +=+=
Lalimentazione rappresenta il punto di raccordo fra la sezione di arricchimento e di esaurimento:
Wmm
Dnn
WxxLyVDxxLyV=
+= ( ) ( ) ( )WDnmnm WxDxxLLyVV +=
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( ) ( ) ( )( ) ( ) ( )
( )
11
1
=
=
+
=
+=
qxx
qqy
xqxyqFWxDxx
FLLy
FVV
WxDxxLLyVV
F
F
WDnmnm
WDnmnm
Retta di alimentazione
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Per x=y la retta di alimentazione passa per il punto x=y=xF
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Posizione dellalimentazione
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Rapporto di riflusso Solitamente nella distillazione di una miscela binaria, le condizioni dellalimentazione, la composizione del distillato e del residuo sono note, occorre determinare il numero degli stadi .
Riflusso totale
R=
La pendenza della retta di lavoro superiore pari ad uno per cui coincide con la diagonale.
Il numero di stadi corrispondente il minimo possibile.
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Riflusso minimo
R=Rmin Al diminuire del rapporto di riflusso la retta di lavoro superiore si sposta dalla diagonale fino a raggiungere la curva di equilibrio.
In questa situazione il numero di stadi corrispondenti infinito.
Al rapporto di riflusso minimo corrisponde anche la minima quantit di vapore in colonna e quindi la minore dimensione del condensatore e del ribollitore.
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Rapporto di riflusso effettivo Nel caso di riflusso totale il numero di piatti minimo ma il diametro infinito cos come il costo corrispondente. Nel caso in cui il riflusso sia minimo il numero di stadi infinito e il costo corrispondente sar infinito.
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C.J. Geankoplis Transport Processes and Deparation Process Principles 2003, Prentice Hall
E. Sebastiani Lezioni di Impianti Chimici I 1987, Siderea R.K.Sinnott Coulson &Richardsons Chemical Engineering Vol.6, 3 ed. 1999, Butterworth Heinemann
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