Post on 01-May-2015
Natalia Bo
Misure di Catodoluminescenza su diamante naturale ed artificiale
Relatore: Prof. Claudio Manfredotti
Scopi
Studiare le caratteristiche delle impurità e dei difetti presenti nel reticolo cristallino
del diamante:quali sono, come si distribuiscono
Poichè influenzano le proprietà elettroniche del diamante
Microscopio elettronico a scansione (SEM)
Apparato di catodoluminescenza
Fenomeni di luminescenza Difetti nei solidi
CatodoluminescenzaCentri di luminescenza del diamante
Teoria
Strumentazione utilizzata
Calibrazione dell’apparato di
catodoluminescenza
Analisi dei campioni
In lunghezza d’onda e in intensitàRisoluzioneEfficienza
Spettri di catodoluminescenzaMappe di catodoluminescenza
Presentazione:
Fenomeni di Luminescenza
La luminescenza è un fenomeno di emissione di fotoni che avviene nei solidi quando sono eccitati da una sorgente
Ioni Ionoluminescenza
Fotoni Fotoluminescenza
Calore Termoluminescenza
Elettroni Catodoluminescenza
Fluorescenza t<10-7 secFosforescenza t>10-7 sec
Luminescenza nei semiconduttori
λhc
hνEE if
Nei semiconduttori la luminescenza è descritta come ricombinazione elettrone-lacuna
Semiconduttori a gap direttaSemiconduttori a gap indiretta
Luminescenza intrinseca direttaLuminescenza estrinseca livelli interni della gap
Difetti nei solidi
Difetti puntuali
Difetti monodimensionali
Difetti planari
Difetti tridimensional
i
Catodoluminescenza
Trappola per elettroni e>h
Trappola per lacune h>e
kTE
expp t
Centro di Ricombinazioneeh
tempo di vita medio dei portatori
minoritarithvNσ
1τ
nrrr τ1
τ1
τ1
Catodoluminescenza
Intensità del segnale di catodoluminescenza
rd
τrΔn
frL 3
V rrCL
f fattore di correzione
rrτΔn
velocità di ricombinazione dei portatori
eccesso di portatori minoritari per unità di volumeΔn
rrτ tempo di vita medio per ricombinazione radiativa
Centri di luminescenza misurati nel diamante
POSI ZI ONE NOME DESCRI ZI ONE
2.8 - 3.0 eV (410-440 nm) Banda A BluLegata alle dislocazioni incui si collocano coppie di
atomi di azoto (N-N)
2.46 eV ( 503 nm ) Centro H3Difetto puntuale dovuto adue atomi di azoto legatida una vacanza (N-V-N)
2.16 eV ( 575 nm ) Centro (N-V)Dif etto puntuale
dell’azoto legato ad unavacanza (N-V)
2.2 - 2.3 eV (539-563 nm) Banda A VerdeBanda legata alla
ricombinazione accettore-donore tra boro ed azoto
1.68 eV ( 738 nm )Dif etto puntuale del silicio
legato ad una vacanza (V-Si) o (Si-V-Si)
Strumentazione
utilizzata
Microscopio elettronico a scansione (SEM)
Caratteristiche:Energia 0,3-30 keVCorrente 1 pA - 5AVuoto 10-4 mbar
keVEAi
103nmd0
7
E=30 keV I= 100pA d= 40 nm
E=5 keV I= 400pA d= 100 nm
Interazione elettroni-materia
Volume di generazione
ρZEA
0.0276R 0.889
1.670
KO
Range di Kanaya-Okayama
0 5 10 15 20 25 300
1
2
3
4
5
6 5.57
4.11
2.82
1.75
0.890.28
0.12
Ran
ge R
KO [
m ]
Energia [keV]
Apparato di catodoluminescenza
Modalità pancromatica: raccolta dei fotoni di tutte le Modalità monocrocromatica: raccolta dei fotoni di una sola
Range spettrale 250-850 nm ( 1.5-5 eV )
Apparato di catodoluminescenza
Specchio paraboidale
Apparato di catodoluminescenza
Calibrazione
Calibrazione
•Calibrazione in lunghezza d’onda
•Risoluzione degli spettri in funzione dell’apertura delle fenditure
•Analisi delle armoniche secondarie di ordine superiore
•Calibrazione in intensità
•Efficienza di raccolta del reticolo di diffrazione e del fotomoltiplicatore
Calibrazione
300 400 500 600 700 800 900102
103
104
105
Co
nte
gg
i [a
.u.]
Lunghezza d'onda [nm]
in lunghezza d’onda
200 300 400 500 600 700 800 900200
300
400
500
600
700
800
900
y = A + B xA = -6,5 + 0,1 nmB = 1,003 + 0,001R = 0,9999
Lu
ng
he
zza
d'o
nd
a s
org
en
te [
nm
]
Lunghezza d'onda PA3 [nm]
nm λ 0.001 1.003 nm 0.1 6.5 nm λSI SO
Analisi dei campioni
PUNTE DI DIAMANTE
Tip_29aTip_29bTip_29cTip_33dTip_33eTip_32aTip_32cTip_30aTip_30b
DIAMANTI PLANARI
Ralchenko 117 1.5 ppm
Ralchenko 125d BoroRalchenko 55 15 ppm
Cm1 <1ppmCm3 <1ppmNaturale IIa
Azoto paramagnetico
Analisi dei campioni
Tip_32c
2.0 2.5 3.0 3.5 4.00
1x103
2x103
3x103
4x103
5x103
6x103
2.90 eV
Co
nte
gg
i [a
.u.]
Energia [eV]
Picco (2.90 ± 0.04) eV Banda A
Analisi dei campioni
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.00.0
5.0x103
1.0x104
1.5x104
2.0x104
2.5x104
3.0x104
2.91 eV
2.37 eV
Con
tegg
i [a.
u.]
Energia [eV]
Tip_29c
Picco (2.37 ± 0.04) eV centro H3 (N-V-N)Picco ( 2.91 ± 0.04 ) eV Banda A blu
Analisi dei campioni
Naturale IIa
1.5 2.0 2.5 3.0 3.50.0
5.0x10-11
1.0x10-10
1.5x10-10
2.0x10-10
2.5x10-10
3.0x10-10
2.42 eV
2.92 eV
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
Picco (2.42 ± 0.02) eV centro H3
Picco (2.92 ± 0.02) eV Banda A
Analisi dei campioni
Cm1
Picco (2.91 ± 0.04) eV Banda A
2.0 2.5 3.0 3.50.0
5.0x10-11
1.0x10-10
1.5x10-10
2.0x10-10
2.91 eVzona A
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
Analisi dei campioni
Cm1
SECONDARI
PANCROMATICARETRODIFFUSI
Analisi dei campioniCm1
Energia variabile
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.00.0
2.0x10-11
4.0x10-11
6.0x10-11
8.0x10-11
2.90 eVEHT = 15 kV
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.00.0
5.0x10-12
1.0x10-11
1.5x10-11
2.0x10-11
2.5x10-11
3.0x10-11
EHT = 1 kV 2.92 eV
2.62 eV
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.00.0
5.0x10-12
1.0x10-11
1.5x10-11
2.0x10-11
2.5x10-11
3.0x10-11
EHT = 5 kV2.91 eV
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
5.0x10-11
1.0x10-10
1.5x10-10
2.0x10-10
2.5x10-10
3.0x10-10
EHT = 30 kV 2.90 eV
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
Analisi dei campioni
Cm1
SECONDARI PANCROMATICA
MONOCROMATICA = 440 nm MONOCROMATICA = 600 nm
Nessuna emissione
Analisi dei campioni
R117
1.5 2.0 2.5 3.0 3.50.0
1.0x10-12
2.0x10-12
3.0x10-12
4.0x10-12
5.0x10-12
2.90 eV
1.99 eV
Cor
rent
e [A
]
Energia [eV]
Picco ( 1.99 ± 0.03 ) eV Centro (N-V)Picco ( 2.90 ± 0.03) eV Banda A
1.5 ppm di azoto
Analisi dei campioni
R117
SECONDARI RETRODIFFUSI
MONOCROMATICA = 600 nm MONOCROMATICA = 440 nm
Analisi dei campioni
R125d
1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
0.0
1.0x10-10
2.0x10-10
3.0x10-10
2.91 eV
2.21 eV
1.68 eV
Co
rre
nte
[A
]
Energia [eV]
Picco ( 1.68 ± 0.01 ) eV Centro (Si-V)
Picco ( 2.21 ± 0.01) eV Banda verde Ricombinazione boro-azoto
Picco (2.91 ± 0.01) eV Banda A
R55
1.5 2.0 2.5 3.0 3.50.0
2.0x10-11
4.0x10-11
6.0x10-11
8.0x10-11
1.0x10-10
2.88 eV
1.98 eV
C
orr
en
te [
A]
Energia [eV]
Picco ( 1.98 ± 0.02 ) eV Centro (N-V)
Picco (2.88 ± 0.02 ) eV Banda A 15 ppm di
azoto
Conclusioni
•Il sistema è stato ottimizzato e permette analisi dei materiali complete ed affidabili.
•Studio delle impurità e dei difetti presenti nel reticolo del diamante
•Quali sono: azoto, boro, silicio•Il picco di emissione a 2.8-3.0 eV della banda A è
presente negli spettri di tutti i campioni•Come si distribuiscono:
•I centri di emissione della banda A sono localizzati lungo i bordi di grano e nelle dislocazioni del
diamante•Le impurità puntuali di azoto ESR sono distribuite all’interno del reticolo cristallino del diamante in
modo uniforme
Spiegazioni
ulteriori
Interazione elettroni-materia
Elettroni retrodiffusienergia: tra 0-E0
provenienza: 0.5-1 m
Elettroni secondari energia: E = 50 eV
provenienza: 50-500 Å
B
BS
nn
η ΦZ,ηη
ηδδnn
δ BSBB
SE Φδδ
Urto elastico
Urto anelastico
2Φ
cotEZ
101.62ΦQ 022
220
0
J1.166E
lnAEZρ
Ne2πdXdE m
m0
4
cmkeV
2cmatomi
e
eventi
Apparato di catodoluminescenza
CARATTERISTICHE DELLO STRUMENTO
Efficienza di raccolta dello specchio paraboidale: 80%passo del reticolodi diffrazione piano: 1200 mm-1
range spettrale del reticolo di diffrazione: 300-900 nmrange spettrale del tubo fotomoltiplicatore: 160-850 nm
Calibrazione
Risoluzione in funzione dell’apertura delle fenditure
300 350 400 450 500 550 600 650 700 750103
104
105
FENDITURE A 7.5 FENDITURE A 5 FENDITURE A 2.5 FENDITURE A 1
Co
nte
gg
i [a
.u.]
Lunghezza d'onda [nm]
0 1 2 3 4 5 6 7 8
2
4
6
8
10
12
14
Y = A + B * XA = 0.52 ± 0.06 nmB = 1.73 ± 0.01 nm/mmR=0.99995
De
via
zio
ne
sta
nd
ard
[n
m]
F apertura fenditure [mm]
mmFmmnm2nm0.85nmFWHM
Calibrazione
Calibrazione in lunghezza d’onda armoniche secondarie
NERO: spettro senza filtro
ROSSO: spettro con il filtro
300 400 500 600 700 800 900101
102
103
104
105
300 400 500 600 700 800 900101
102
103
104
105
300 400 500 600 700 800 900101
102
103
104
105
Lunghezza d'onda [nm]
598 nm
511 nm
Con
tegg
i [a.
u.]
Calibrazione
Calibrazione in intensità
PA3 Keithley
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
0.0
5.0x104
1.0x105
1.5x105
2.0x105
2.5x105
3.0x105
3.5x105
4.0x105
Intensità [a.u.]
Con
tegg
i/sec
conteggi Boltzmann fit of Data27_conteggi
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
2.0x102
4.0x102
6.0x102
8.0x102
1.0x103
V=80%
Foto
corr
ente
[pA
]
Intensità luminosa [a.u.]
Calibrazione
Calibrazione in intensità
•Reticolo monocromatore
•Tubo fotomoltiplicatore
100 200 300 400 500 600 700 800 9000.001
0.010
0.100
1.000
E
ffic
ien
za
Lunghezza d'onda [nm]
Luminescenza nei semiconduttori
Semiconduttori a gap direttaSemiconduttori a gap indiretta
Luminescenza intrinseca direttaLuminescenza estrinseca livelli interni della gap
Analisi dei campioni
Cm1
E= 3 kV E= 5 kV
E= 15 kV
E= 30 kV
Energia
variabile