MCL...MCL用途別推奨品種一覧環境対応コンシューマー分野インフラ関連...

情報システムや機器をはじめとする

エレクトロニクスの世界は、

昨日・今日・明日へとたえまなく高度化が進み

次々に先端技術が実現しています。

日立化成は、永年培ってきた信頼性の高い

幅広く多彩な技術と、最先端技術を

自在に融合、複合させた「複合技術」を駆使して

配線板から基板材料、さらにプロセス材料まで

トータルに取り組んでいます。

周辺に多彩な関連技術を有する日立化成ならではの

バランスと信頼性に優れた先進のソリューションが

これからもエレクトロニクスの明日を

しっかり支えていきます。

ここに、求めるソリューションがあります。

情報システムや機器をはじめとする

エレクトロニクスの世界は、

昨日・今日・明日へとたえまなく高度化が進み

次々に先端技術が実現しています。

日立化成は、永年培ってきた信頼性の高い

幅広く多彩な技術と、最先端技術を

自在に融合、複合させた「複合技術」を駆使して

配線板から基板材料、さらにプロセス材料まで

トータルに取り組んでいます。

周辺に多彩な関連技術を有する日立化成ならではの

バランスと信頼性に優れた先進のソリューションが

これからもエレクトロニクスの明日を

しっかり支えていきます。

ここに、求めるソリューションがあります。

CONTENTS…………………………………………

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■MCL用途別推奨品種一覧

■MCL一般特性一覧

■多層材料MCL-HS100GEA-775G（L）タイプGEA-705G（F）タイプ,GEA-770G（F）タイプMCL-E-770G（R）タイプMCL-E-705GMCL-E-700G（R）タイプMCL-E-679FGMCL-E-78GTD-002MCL-E-75G

■ICTインフラ関連用材料MCL-LW-900G/910GMCL-HE-679G（S）タイプ

■ポリイミド多層材料MCL-I-671

■微細配線形成用材料PF-EL

■エポキシ接着フィルム AS-2600

■取り扱い上の注意使用上の注意加工上の注意プリント配線板設計上の注意完成したプリント配線板の使用上の注意多層化接着における注意事項と推奨条件

■認定状況についてUL規格BS規格・CSA規格電気用品安全法（CMJ登録制度）

P4

P6

P9P10P12P14P16P18P20P22P24P26P28

P31P32P34

P37P38

P41P42

P45P46

P47P48P49P50P51P52

P65P66P68P69

MCL用途別推奨品種一覧

環境対応

コンシューマー分野

インフラ関連

　

電子デバイス

車載用機器

ハロゲンフリー

デジタル家電

ゲーム機器

パソコン

スマートフォン

基地局

アンテナ

メモリ－モジュール

高周波部品

各種ECU

各種情報電子機器

ITS関連

掲載ページ

ルーター・サーバー

鉛フリーはんだプロセス対応

半導体（BGA・CSP・MCM）

半導体検査用（バーンインボード）

多層材料多層材料

MCL-E-679FG

22

高Tg高弾性

低熱膨張

MCL-E-700G

（R）タイプ

20

高Tg高弾性

低熱膨張

MCL-E-705G

18

高Tg高弾性

低熱膨張

○

MCL-HS100

10

高Tg低誘電率・低誘電正接低熱膨張

14

GEA-775G

（L）タイプ

12

高Tg低弾性

低熱膨張

◎◎◎◎ ◎

○○○○ ○

16

◎◎　◎◎ ◎

◎◎◎◎ ◎

◎◎◎◎ ◎

○

◎◎◎◎ ◎

◎◎◎◎ ◎

○◎ ○

◎◎◎◎

MCL-E-770G

（R）タイプ

高Tg高弾性

低熱膨張

◎

○

◎

◎

◎

◎

◎

○

◎◎

GEA-705G,GEA-770G

（F）タイププリプレグ

◎

○

高Tg高弾性

低熱膨張

◎

◎

◎

◎

◎

○

◎

○

○

特　長

製　品

＊ SAP対応： Semi Additive Process 対応

ICTインフラ関連用材料

MCL-E-75G

高Tg高耐熱

28

低誘電正接高耐熱

MCL-HE-679G

（S）タイプ

34

ポリイミド材料

MCL-I-671

高Tg高耐熱

38

◎

TD-002

26

低弾性はんだ接続

信頼性

MCL-LW-900G/

910G

◎

32

高Tg高耐熱

低誘電率低誘電正接

◎ ◎ ◎◎○

◎ ◎◎○

MCL-E-78G

低誘電率高弾性

◎ ○◎

24

◎◎

○◎ ○

微細配線形成用材料

◎ ◎◎◎ ◎

◎ ◎ ◎◎ ◎◎ ◎

◎◎ ○ ○

◎ ◎◎ ○

◎ ◎○◎ ○

○ ◎ ○

◎○○ ○

◎

◎ ○

42

PF-EL

SAP対応

＊

環境対応


インフラ関連

　

電子デバイス

車載用機器


デジタル家電

ゲーム機器

パソコン


基地局

アンテナ


高周波部品

各種ECU


ITS関連

掲載ページ





特　長

製　品

4

MCL用途別推奨品種一覧

環境対応


インフラ関連

　

電子デバイス

車載用機器


デジタル家電

ゲーム機器

パソコン


基地局

アンテナ


高周波部品

各種ECU


ITS関連

掲載ページ






MCL-E-679FG

22

高Tg高弾性

低熱膨張

MCL-E-700G

（R）タイプ

20

高Tg高弾性

低熱膨張

MCL-E-705G

18

高Tg高弾性

低熱膨張

○

MCL-HS100

10

高Tg低誘電率・低誘電正接低熱膨張

14

GEA-775G

（L）タイプ

12

高Tg低弾性

低熱膨張

◎◎◎◎ ◎

○○○○ ○

16

◎◎　◎◎ ◎

◎◎◎◎ ◎

◎◎◎◎ ◎

○

◎◎◎◎ ◎

◎◎◎◎ ◎

○◎ ○

◎◎◎◎

MCL-E-770G

（R）タイプ

高Tg高弾性

低熱膨張

◎

○

◎

◎

◎

◎

◎

○

◎◎

GEA-705G,GEA-770G

（F）タイププリプレグ

◎

○

高Tg高弾性

低熱膨張

◎

◎

◎

◎

◎

○

◎

○

○

特　長

製　品

＊ SAP対応： Semi Additive Process 対応


MCL-E-75G

高Tg高耐熱

28

低誘電正接高耐熱

MCL-HE-679G

（S）タイプ

34

ポリイミド材料

MCL-I-671

高Tg高耐熱

38

◎

TD-002

26

低弾性はんだ接続

信頼性

MCL-LW-900G/

910G

◎

32

高Tg高耐熱

低誘電率低誘電正接

◎ ◎ ◎◎○

◎ ◎◎○

MCL-E-78G

低誘電率高弾性

◎ ○◎

24

◎◎

○◎ ○


◎ ◎◎◎ ◎

◎ ◎ ◎◎ ◎◎ ◎

◎◎ ○ ○

◎ ◎◎ ○

◎ ◎○◎ ○

○ ◎ ○

◎○○ ○

◎

◎ ○

42

PF-EL

SAP対応

＊

環境対応


インフラ関連

　

電子デバイス

車載用機器


デジタル家電

ゲーム機器

パソコン


基地局

アンテナ


高周波部品

各種ECU


ITS関連

掲載ページ





特　長

製　品

5

MCL一般特性一覧（実測値）

試験項目処理条件単位

注）一般試験は、JIS C 6481 によります。　＊1）昇温速度：10℃／min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります。　＊3）空洞共振法によります。　＊4）板厚0.1mmのデータ。　＊5）板厚0.2mmのデータ。

W/m・K

Ω

Ω

Ω・cm

－

－

C-96/40/90

C-96/40/90

A

GPa

μm

kN/m

秒

ppm/℃

℃

熱伝導率

絶縁抵抗

表面抵抗

体積抵抗率

誘電正接

比誘電率

曲げ弾性率

表面粗さ

銅箔引き

はんだ耐熱性

熱膨張

ガラス転移温度Tg

A

A

A

A

A

A

（＞Tg）

（＜Tg）

（30～120℃）

TMA

1GHz＊2

1GHz＊2

10GHz＊3

10GHz＊3

35μm

18μm

Z

係数＊1

（260℃）

（縦方向）

強さはがし

Y

X

フラッシュキセノン

D-2/100

MCL-E-679FG

（ハロゲンフリー）（ハロゲンフリー）（R）タイプ

MCL-E-700GMCL-E-705G

（ハロゲンフリー）

MCL-HS100


GEA-775G（L）タイプ

（ハロゲンフリー）（R）タイプ

MCL-E-770G


MCL-E-78G


0.75～0.850.75～0.850.60～0.700.50～0.60 0.60～0.70 0.60～0.70 0.40～0.50

1×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×1015 1×1014～1×1015 1×1013～1×1015 1×1013～1×1015

1×1014～1×10161×1014～1×10161×1014～1×10161×1014～1×1016 1×1014～1×1015 1×1014～1×1016 1×1014～1×1016

1×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×1015 1×1014～1×1015 1×1013～1×1015 1×1013～1×1015

1×1015～1×10161×1015～1×10161×1015～1×10161×1014～1×1016 1×1014～1×1016 1×1015～1×1016 1×1014～1×1016

0.0160～0.01800.0090～0.01100.0070～0.00900.0030～0.0040 0.007～0.009 0.0040～0.0060 0.0090～0.0110

4.6～4.84.6～4.84.2～4.43.9～4.1 3.5～3.7 4.1～4.3 3.4～3.6

23～2832～3432～3423～28 13～15 30～32 25～29

2～32～32～32～3 － 2～3 －

300以上300以上300以上300以上 300以上 300以上 300以上

140～17090～12070～90130～180 － 70～90 180～230

23～3315～2510～1520～30 － 8～13 35～45

165～175250～270250～270240～260 210～240 260～280 160～170

1.1～1.2－－－－－ 1.1～1.3

0.9～1.11.0～1.20.9～1.10.8～1.0 0.6～0.8 0.8～1.0 1.0～1.2

13～157～95～76～8 3～4 4～6 15～17

13～157～95～76～8 3～4 4～6 13～15

－－－－3.9～4.1 －－

－－－－0.0045～0.0055 －－

ICTインフラ関連用材料多層材料ポリイミド

本測定値は弊社における測定値であり、保証値ではありません。

900G/910GMCL-LW-

（ハロゲンフリー）MCL-I-671

MCL-E-75G

（ハロゲンフリー）TD-002

0.40～0.50 0.25～0.350.60～0.700.30～0.40 0.40～0.50

1×1013～1×1015 1×1013～1×10151×1013～1×10151×1014～1×1015 1×1013～1×1014

1×1014～1×1016 1×1014～1×10161×1014～1×10161×1014～1×1016 1×1014～1×1016

1×1013～1×1015 1×1013～1×10151×1013～1×10151×1014～1×1015 1×1013～1×1015

1×1014～1×1016 1×1015～1×10161×1015～1×10161×1015～1×1016 1×1014～1×1016

0.0020～0.0035 0.0130～0.01500.0140～0.0160＊3

0.011～0.013 0.0060～0.0080

3.2～3.7 4.1～4.34.4～4.6＊3

3.6～3.8 3.7～3.9

16～21 24～2625～295～8 23～26

－ 5～13－5～13 5～13

300以上 300以上300以上300以上 300以上

240～290 200～300180～240200～300 190～230

35～45 50～8030～4080～130 30～40

190～210 200～213155～170155～170 180～190

（ハロゲンフリー）（S）タイプ

MCL-HE-679G

（HVLP）0.6～0.8

1.5～1.71.5～1.80.9～1.1 （RT箔）0.6～0.8

（HVLP）0.5～0.7 1.3～1.51.2～1.40.8～0.9

（RT箔）0.5～0.7

12～15 12～1614～176～9 14～17

12～15 12～1512～156～9 12～15

3.2～3.6 3.4～4.0－－－

0.0025～0.0050 0.0093～0.0098 －－－


W/m・K

Ω

Ω

Ω・cm

－

－

－

－

－

GPa

μm

kN/m

秒

ppm/℃

℃

熱伝導率

絶縁抵抗

表面抵抗

体積抵抗率

誘電正接

比誘電率

曲げ弾性率

表面粗さ

銅箔引き

はんだ耐熱性

熱膨張


A

A

A

A

A

A

（＞Tg）

（＜Tg）

（30～120℃）

TMA

1GHz＊2

1GHz＊2

35μm

18μm

Z

係数＊1

（260℃）

（縦方向）

強さはがし

Y

X


D-2/100


10GHz＊3

10GHz＊3

6

MCL一般特性一覧（実測値）


注）一般試験は、JIS C 6481 によります。　＊1）昇温速度：10℃／min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります。　＊3）空洞共振法によります。　＊4）板厚0.1mmのデータ。　＊5）板厚0.2mmのデータ。

W/m・K

Ω

Ω

Ω・cm

－

－

C-96/40/90

C-96/40/90

A

GPa

μm

kN/m

秒

ppm/℃

℃

熱伝導率

絶縁抵抗

表面抵抗

体積抵抗率

誘電正接

比誘電率

曲げ弾性率

表面粗さ

銅箔引き

はんだ耐熱性

熱膨張


A

A

A

A

A

A

（＞Tg）

（＜Tg）

（30～120℃）

TMA

1GHz＊2

1GHz＊2

10GHz＊3

10GHz＊3

35μm

18μm

Z

係数＊1

（260℃）

（縦方向）

強さはがし

Y

X


D-2/100

MCL-E-679FG

（ハロゲンフリー）（ハロゲンフリー）（R）タイプ

MCL-E-700GMCL-E-705G


MCL-HS100



（ハロゲンフリー）（R）タイプ

MCL-E-770G


MCL-E-78G


0.75～0.850.75～0.850.60～0.700.50～0.60 0.60～0.70 0.60～0.70 0.40～0.50

1×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×1015 1×1014～1×1015 1×1013～1×1015 1×1013～1×1015

1×1014～1×10161×1014～1×10161×1014～1×10161×1014～1×1016 1×1014～1×1015 1×1014～1×1016 1×1014～1×1016

1×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×10151×1013～1×1015 1×1014～1×1015 1×1013～1×1015 1×1013～1×1015

1×1015～1×10161×1015～1×10161×1015～1×10161×1014～1×1016 1×1014～1×1016 1×1015～1×1016 1×1014～1×1016

0.0160～0.01800.0090～0.01100.0070～0.00900.0030～0.0040 0.007～0.009 0.0040～0.0060 0.0090～0.0110

4.6～4.84.6～4.84.2～4.43.9～4.1 3.5～3.7 4.1～4.3 3.4～3.6

23～2832～3432～3423～28 13～15 30～32 25～29

2～32～32～32～3 － 2～3 －

300以上300以上300以上300以上 300以上 300以上 300以上

140～17090～12070～90130～180 － 70～90 180～230

23～3315～2510～1520～30 － 8～13 35～45

165～175250～270250～270240～260 210～240 260～280 160～170

1.1～1.2－－－－－ 1.1～1.3

0.9～1.11.0～1.20.9～1.10.8～1.0 0.6～0.8 0.8～1.0 1.0～1.2

13～157～95～76～8 3～4 4～6 15～17

13～157～95～76～8 3～4 4～6 13～15

－－－－3.9～4.1 －－

－－－－0.0045～0.0055 －－

ICTインフラ関連用材料多層材料ポリイミド

本測定値は弊社における測定値であり、保証値ではありません。

900G/910GMCL-LW-

（ハロゲンフリー）MCL-I-671

MCL-E-75G

（ハロゲンフリー）TD-002

0.40～0.50 0.25～0.350.60～0.700.30～0.40 0.40～0.50

1×1013～1×1015 1×1013～1×10151×1013～1×10151×1014～1×1015 1×1013～1×1014

1×1014～1×1016 1×1014～1×10161×1014～1×10161×1014～1×1016 1×1014～1×1016

1×1013～1×1015 1×1013～1×10151×1013～1×10151×1014～1×1015 1×1013～1×1015

1×1014～1×1016 1×1015～1×10161×1015～1×10161×1015～1×1016 1×1014～1×1016

0.0020～0.0035 0.0130～0.01500.0140～0.0160＊3

0.011～0.013 0.0060～0.0080

3.2～3.7 4.1～4.34.4～4.6＊3

3.6～3.8 3.7～3.9

16～21 24～2625～295～8 23～26

－ 5～13－5～13 5～13

300以上 300以上300以上300以上 300以上

240～290 200～300180～240200～300 190～230

35～45 50～8030～4080～130 30～40

190～210 200～213155～170155～170 180～190

（ハロゲンフリー）（S）タイプ

MCL-HE-679G

（HVLP）0.6～0.8

1.5～1.71.5～1.80.9～1.1 （RT箔）0.6～0.8

（HVLP）0.5～0.7 1.3～1.51.2～1.40.8～0.9

（RT箔）0.5～0.7

12～15 12～1614～176～9 14～17

12～15 12～1512～156～9 12～15

3.2～3.6 3.4～4.0－－－

0.0025～0.0050 0.0093～0.0098 －－－


W/m・K

Ω

Ω

Ω・cm

－

－

－

－

－

GPa

μm

kN/m

秒

ppm/℃

℃

熱伝導率

絶縁抵抗

表面抵抗

体積抵抗率

誘電正接

比誘電率

曲げ弾性率

表面粗さ

銅箔引き

はんだ耐熱性

熱膨張


A

A

A

A

A

A

（＞Tg）

（＜Tg）

（30～120℃）

TMA

1GHz＊2

1GHz＊2

35μm

18μm

Z

係数＊1

（260℃）

（縦方向）

強さはがし

Y

X


D-2/100


10GHz＊3

10GHz＊3

7

MEMO

8

多層材料

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・超低熱膨張多層材料MCL-E-770G（R）タイプ

ハロゲンフリー高Tg・高弾性・低熱膨張極薄材料GEA-705G（F）タイプ,GEA-770G（F）タイプ

ハロゲンフリー高Tg・低弾性・超低熱膨張多層材料GEA-775G（L）タイプ

ハロゲンフリー高Ｔｇ・低伝送損失・低熱膨張多層材料MCL-HS100

P10

P12

P14

P16

P18

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・低熱膨張多層材料MCL-E-705G

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・低熱膨張多層材料MCL-E-700G（R）タイプ

はんだクラック対策/低弾性材料TD-002

ハロゲンフリー高弾性・低熱膨張多層材料MCL-E-679FG

ハロゲンフリー低誘電率・高Ｔｇ・高耐熱性多層材料MCL-E-78G

ハロゲンフリー高Tg・高耐熱・高信頼性多層材料MCL-E-75G

P20

P22

P24

P26

P28

9

●高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。●Low Dkガラスとの組合せにより、低Dk/Dfを実現します。●低熱膨張により基板の低そり特性を実現します。●パッケージ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です。

ハロゲンフリー高Ｔｇ・低伝送損失・低熱膨張多層材料

MCL-HS100 GH-100〈プリプレグ〉

ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料■特長

●半導体パッケージ　（FC-CSP,PoP,SiP） ●薄物モジュール基板

■用途

※上記値は実測値であり、保証値ではありません。＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）空洞共振器法によります｡　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照

■一般特性 ●多層用銅張積層板

試験項目

X

Y

Z

単　位

3.9～4.1

0.0045～0.0055

3.4～3.6

0.0025～0.0035

処理条件＊3

AA

A

AAA

A

A

A

AA

A

A

C-96/40/90C-96/40/90

AD-2/100

ガラス転移温度　Tg

熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）T-260（銅なし）T-288（銅なし）

熱分解温度（TGA法、5％重量減少）

銅箔引きはがし強さ

表面粗さ（Ra）曲げ弾性率（たて方向）

比誘電率

誘電正接

体積抵抗率表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.2, t0.4mm）

MCL-HS100 MCL-HS100（D）タイプ

12μm 18μm

10GHz＊2

10GHz＊2

実測値

240～260240～260

6～86～8

20～30130～180300以上60以上60以上

430～4500.7～0.90.8～1.0

2～323～28

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

参考規格（IPC-TM-650）

2.4.24ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.2.172.4.4

IEC-62810

2.5.17

ーー

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

μm

GPa

－

－

Ω･cmΩ

Ω

標準銅箔厚さ 3μm 5μm12μm18μm35μm

（STD,LP,RT,HVLP）

3μm 5μm12μm18μm35μm

（LP,RT,HVLP）

呼び名（呼称）

注1）STD：一般銅箔、LP：低プロファイル箔を示す。　注2）STD箔の銅箔厚さは12μm、18μm、35μmです。LP箔の銅箔厚さは3μm、5μm、12μmです。RT箔の銅箔厚さは18μm、35μmです。HVLP箔の銅箔厚さは12μm、18μm、35μmです。銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います。　注3）厚さは絶縁層の厚さを示します。

■一般仕様

MCL-HS100

タイプ名

（D）

ー

基材厚0.06mm0.10mm0.10mm0.15mm0.20mm0.40mm0.06mm0.10mm0.10mm0.15mm0.20mm0.40mm

M0.060.1M0.1M0.150.20.41M0.060.1M0.1M0.150.20.41

品　番

TMA法DMA法

（30～120℃）（30～120℃）

（＜Tg）（＞Tg）

10

●高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。●Low Dkガラスとの組合せにより、低Dk/Dfを実現します。●低熱膨張により基板の低そり特性を実現します。●パッケージ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です。

ハロゲンフリー高Ｔｇ・低伝送損失・低熱膨張多層材料

MCL-HS100 GH-100〈プリプレグ〉

ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料■特長

●半導体パッケージ　（FC-CSP,PoP,SiP） ●薄物モジュール基板

■用途

※上記値は実測値であり、保証値ではありません。＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）空洞共振器法によります｡　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照


試験項目

X

Y

Z

単　位

3.9～4.1

0.0045～0.0055

3.4～3.6

0.0025～0.0035

処理条件＊3

AA

A

AAA

A

A

A

AA

A

A

C-96/40/90C-96/40/90

AD-2/100


熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）T-260（銅なし）T-288（銅なし）




比誘電率

誘電正接


絶縁抵抗

（t0.2, t0.4mm）

MCL-HS100 MCL-HS100（D）タイプ

12μm 18μm

10GHz＊2

10GHz＊2

実測値

240～260240～260

6～86～8

20～30130～180300以上60以上60以上

430～4500.7～0.90.8～1.0

2～323～28

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014


2.4.24ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.2.172.4.4

IEC-62810

2.5.17

ーー

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

μm

GPa

－

－

Ω･cmΩ

Ω

標準銅箔厚さ 3μm 5μm12μm18μm35μm

（STD,LP,RT,HVLP）

3μm 5μm12μm18μm35μm

（LP,RT,HVLP）


注1）STD：一般銅箔、LP：低プロファイル箔を示す。　注2）STD箔の銅箔厚さは12μm、18μm、35μmです。LP箔の銅箔厚さは3μm、5μm、12μmです。RT箔の銅箔厚さは18μm、35μmです。HVLP箔の銅箔厚さは12μm、18μm、35μmです。銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います。　注3）厚さは絶縁層の厚さを示します。

■一般仕様

MCL-HS100

タイプ名

（D）

ー

基材厚0.06mm0.10mm0.10mm0.15mm0.20mm0.40mm0.06mm0.10mm0.10mm0.15mm0.20mm0.40mm

M0.060.1M0.1M0.150.20.41M0.060.1M0.1M0.150.20.41

品　番

TMA法DMA法

（30～120℃）（30～120℃）


●プリプレグ

　　

タイプ名

ー

（D）

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）

プリプレグ特性ガラスクロス

＊1）成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ１枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

IPCスタイル

品　番

GH-100


0.0250.030.050.060.10.030.050.060.080.1

（1017N75）（1027N71）（1037N71）（1078N61）（2116N55）

（D1027N73）（D1037N73）（D1078N63）（D3313N61）（D2116N57）

1017102710371078211610271037107833132116

75±271±271±261±255±273±273±263±261±257±2

0.031 0.042 0.050 0.071 0.130 0.042 0.050 0.072 0.110 0.130

2.3.16 ー

●コアレス5層基板におけるそり評価結果TEG チップ＊チップサイズ : 7.3mm×7.3mm ＊チップ厚み : 150μm TEG 基板＊基板サイズ : 14mm×14mm ＊L1,5：12μm Cu100%, L2,3,4：銅無し, ソルダーレジスト無し＊プリプレグ構成 GH-100（D）タイプ :（1078, R.C.: 63%） x 4ply GEA-700G :（1078, R.C.: 66%） x 4ply GEA-705G :（1078, R.C.: 65%） x 4ply

●伝送損失評価結果

・導体幅(w)：0.12～0.14mm・絶縁層厚み(b)：0.25mm・導体厚み(ｔ)：18μm

0

-100

150

200

50

100

-50

-150

-200GEA-700G5層基板

GH-100（D）タイプ5層基板

25℃ 260℃ 25℃

GEA-705G5層基板

伝送損失

（dB/cm）

5 10 15 200

周波数（GHz）

MCL-LW-910GMCL-HS100(D)タイプMCL-LW-900G

MCL-E-770G(LH)タイプ

MCL-E-700G(R)タイプ

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

P/PCore

btw

<測定条件>・評価基板：ストリップライン・温度及び湿度：25℃/60％RH・特性インピーダンス：Approx.50Ω・校正方法：TRL(Thru-Reflect-Line)

凹型

凸型室温（リフロー後）室温（リフロー前）

リフロー温度

そり量

（μm）

11

●低熱膨張/低弾性を有し、コアレス構造でのそりの低減に有効です。●低熱膨張・高密度ガラスクロスとの組合せによりCTE3.2ppm/℃以下を実現します。●優れたレーザ加工性・耐デスミア性により、小径レーザビア形成を可能にします。

ハロゲンフリー高Tg・低弾性・超低熱膨張多層材料

GEA-775G（L）タイプ〈プリプレグ〉

ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料■特長

●半導体パッケージ　　　　　　　（FC-BGA,FC-CSP,PoP,SiP）

●薄物モジュール

■用途

※上記値は実測値であり、保証値ではありません。＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）1024F66,10ply,t0.40mm　＊3）Cavity Resonator法によります。　＊4）最終ページの「処理条件の読み方」参照

ガラスクロス

101010101010101710171024102410301030

（L1010F66）（L1010F75）（L1010F82）（L1017F72）（L1017F78）（L1024F66）（L1024F70）（L1030F65）（L1030F69）

0.0200.0200.0200.0250.0250.0350.0350.0450.045

プリプレグ特性

＊1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。＊2）通常ガラスクロス使用品も上記と同様のタイプがあります。お問い合わせ下さい。

■プリプレグ一般仕様

GEA-775G

タイプ名

（L）

成形厚さ＊1

（mm）

66±275±282±272±278±266±270±265±269±2

品　番

0.0180.0250.0360.0270.0360.0410.0480.0500.058

樹脂分（%）

IPCスタイル

参考規格（IPC-TM-650）ー2.3.16

■一般特性 ●プリプレグ硬化物特性

試験項目単　位処理条件＊4

AA

A

A

A

A

AAAA

C-96/40/90C-96/40/90

D-2/100

ガラス転移温度 Tg

熱膨張係数＊1

T-260（銅なし）T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5%重量減少）


曲げ弾性率＊2（たて方向）引張り弾性率（たて方向）比誘電率誘電正接体積抵抗率表面抵抗絶縁抵抗

（t0.035mm, L1O24F66）


12 μm18 μm

1GHz ＊3

1GHz ＊3

実測値

210～240250～2803.0～4.03.0～4.050 以上5 以上

380～4000.5～0.70.6～0.813～1514～163.5～3.7

0.007～0.0091×1014～1×1016

1×1014～1×1015

1×1012～1×1014

試験方法（IPC-TM-650）

2.4.24.5ー

2.4.24.5

2.4.24.12.4.24.12.3.40

2.4.8

2.4.4ー

IEC-62810IEC-62810

2.5.17

ー

℃

ppm/℃

分

℃

kN/m

GPaGPa――

Ω・cmΩΩ

TMA法DMA法

X

Y

（30～120℃）（30～120℃）

12

●低熱膨張/低弾性を有し、コアレス構造でのそりの低減に有効です。●低熱膨張・高密度ガラスクロスとの組合せによりCTE3.2ppm/℃以下を実現します。●優れたレーザ加工性・耐デスミア性により、小径レーザビア形成を可能にします。

ハロゲンフリー高Tg・低弾性・超低熱膨張多層材料

GEA-775G（L）タイプ〈プリプレグ〉


●半導体パッケージ　　　　　　　（FC-BGA,FC-CSP,PoP,SiP）

●薄物モジュール

■用途

※上記値は実測値であり、保証値ではありません。＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）1024F66,10ply,t0.40mm　＊3）Cavity Resonator法によります。　＊4）最終ページの「処理条件の読み方」参照

ガラスクロス

101010101010101710171024102410301030

（L1010F66）（L1010F75）（L1010F82）（L1017F72）（L1017F78）（L1024F66）（L1024F70）（L1030F65）（L1030F69）

0.0200.0200.0200.0250.0250.0350.0350.0450.045


＊1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。＊2）通常ガラスクロス使用品も上記と同様のタイプがあります。お問い合わせ下さい。


GEA-775G

タイプ名

（L）

成形厚さ＊1

（mm）

66±275±282±272±278±266±270±265±269±2

品　番

0.0180.0250.0360.0270.0360.0410.0480.0500.058

樹脂分（%）

IPCスタイル


■一般特性 ●プリプレグ硬化物特性

試験項目単　位処理条件＊4

AA

A

A

A

A

AAAA

C-96/40/90C-96/40/90

D-2/100


熱膨張係数＊1

T-260（銅なし）T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5%重量減少）


曲げ弾性率＊2（たて方向）引張り弾性率（たて方向）比誘電率誘電正接体積抵抗率表面抵抗絶縁抵抗

（t0.035mm, L1O24F66）


12 μm18 μm

1GHz ＊3

1GHz ＊3

実測値

210～240250～2803.0～4.03.0～4.050 以上5 以上

380～4000.5～0.70.6～0.813～1514～163.5～3.7

0.007～0.0091×1014～1×1016

1×1014～1×1015

1×1012～1×1014


2.4.24.5ー

2.4.24.5

2.4.24.12.4.24.12.3.40

2.4.8

2.4.4ー

IEC-62810IEC-62810

2.5.17

ー

℃

ppm/℃

分

℃

kN/m

GPaGPa――

Ω・cmΩΩ

TMA法DMA法

X

Y

（30～120℃）（30～120℃）

●4層コアレス基板実装そり評価結果TEG チップ＊チップサイズ : 7.3mm×7.3mm ＊チップ厚み : 100μm TEG 基板＊基板構成 : 4層コアレス（L1-2） 45μm, （L2-3） 80μm, （L3-4） 45μm＊ソルダーレジスト厚み : 20μm

●貯蔵弾性率

貯蔵弾性率

（GPa）

温度（℃）

25

20

15

10

5200150100500 250 300

1．評価サンプル1） GEA-775G（L）タイプ：#1017 樹脂分70%2）高弾性・低CTE材：#1017 樹脂分72%

2．測定条件1）測定装置：DMA2）昇温速度：5℃/min3）周波数：10 Hz4）サンプル方向：基材方向


高弾性・低CTE材

GEA-770G（L）タイプ GEA-775G（L）タイプ

25℃ 260℃ 25℃凹型

凸型

-100

200

300

100

0

-200

-300

そり量

（μm）

室温（リフロー後）室温（リフロー前）

リフロー温度

チップ

アンダーフィル基板

13

●成形後のばらつきが小さいため、インピーダンス制御に優れます。●絶縁層厚み16μｍが実現できます。●プリプレグ表面が平滑なため、微細配線成形に適しています。●寸法変化のばらつきが小さいため、コアレス構造に適しています。●成形後のうねりが小さいため、実装時のそり低減を実現します。

ハロゲンフリー高Tg・高弾性・低熱膨張極薄材料

GEA-705G（F）タイプ,GEA-770G（F）タイプ〈プリプレグ〉

ガラス布基材高弾性多層材料■特長

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）最終ページの「処理条件の読み方」参照

■一般特性

試験項目

X

Y

単　位処理条件＊2

AA

A

A

A


熱膨張係数＊1（引張り）

T-260（銅なし）Ｔ-288（銅なし）成形後のうねり（プレス後）

GEA-705G（F）タイプ GEA-770G（F）タイプ実測値

260～280300～330

6～72～4

60以上60以上

0.0～0.3

250～270295～305

8～102～5

60以上60以上

0.0～0.3


2.4.24.5ー

2.4.24.5

2.4.24.1

ー

℃

ppm/℃

分

mm

ガラスクロス

1010

1017

（1010F74）（1010F76）（1010F78）（1010F80）（1010F84）（1017F73）（1017F78）（1017F83）

（1010F67）（1010F69）（1010F71）（1010F73）（1010F78）（1010F82）（1017F73）（1017F78）（1017F83）（1027F73）（1027F78）


＊1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。＊2）硬化時間：IPC法　＊3）低熱膨張ガラスクロス使用品（LFタイプ）も上記同様のタイプがあります。お問い合わせください。


GEA-705G

タイプ名

0.020

0.025

成形厚さ（mm）

74±276±278±280±284±273±278±283±2

67±269±271±273±278±282±273±278±283±273±278±2

品　番

0.0210.0230.0250.0270.0350.0250.0310.040

0.0160.0180.0190.0210.0260.0320.0260.0330.0430.0420.052

樹脂分（%）

IPCスタイル

ガラスクロス

1010

1017

1027


GEA-770G

タイプ名

0.020

0.025

0.030


品　番樹脂分（%）

IPCスタイル


（t0.02mm, 1010F78）

TMA法DMA法

（30～120℃）（30～120℃）

※上記値は実測値であり、保証値ではありません。

14

●成形後のばらつきが小さいため、インピーダンス制御に優れます。●絶縁層厚み16μｍが実現できます。●プリプレグ表面が平滑なため、微細配線成形に適しています。●寸法変化のばらつきが小さいため、コアレス構造に適しています。●成形後のうねりが小さいため、実装時のそり低減を実現します。

ハロゲンフリー高Tg・高弾性・低熱膨張極薄材料

GEA-705G（F）タイプ,GEA-770G（F）タイプ〈プリプレグ〉

ガラス布基材高弾性多層材料■特長

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）最終ページの「処理条件の読み方」参照

■一般特性

試験項目

X

Y

単　位処理条件＊2

AA

A

A

A


熱膨張係数＊1（引張り）

T-260（銅なし）Ｔ-288（銅なし）成形後のうねり（プレス後）

GEA-705G（F）タイプ GEA-770G（F）タイプ実測値

260～280300～330

6～72～4

60以上60以上

0.0～0.3

250～270295～305

8～102～5

60以上60以上

0.0～0.3


2.4.24.5ー

2.4.24.5

2.4.24.1

ー

℃

ppm/℃

分

mm

ガラスクロス

1010

1017

（1010F74）（1010F76）（1010F78）（1010F80）（1010F84）（1017F73）（1017F78）（1017F83）

（1010F67）（1010F69）（1010F71）（1010F73）（1010F78）（1010F82）（1017F73）（1017F78）（1017F83）（1027F73）（1027F78）


＊1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。＊2）硬化時間：IPC法　＊3）低熱膨張ガラスクロス使用品（LFタイプ）も上記同様のタイプがあります。お問い合わせください。


GEA-705G

タイプ名

0.020

0.025


74±276±278±280±284±273±278±283±2

67±269±271±273±278±282±273±278±283±273±278±2

品　番

0.0210.0230.0250.0270.0350.0250.0310.040

0.0160.0180.0190.0210.0260.0320.0260.0330.0430.0420.052

樹脂分（%）

IPCスタイル

ガラスクロス

1010

1017

1027


GEA-770G

タイプ名

0.020

0.025

0.030


品　番樹脂分（%）

IPCスタイル


（t0.02mm, 1010F78）

TMA法DMA法

（30～120℃）（30～120℃）


●プリプレグの表面観察結果(マイクロスコープ)

●成形後のエッチング後パネルそり（シャドウモアレ）

●成形後の厚みばらつき

●プリプレグ成形後のうねり

0.030

0.029

0.028

0.027

0.026

0.025

0.024

0.023

510mmX：測定ポイント

415m

m

xx x x

x x x x

xxxx

x x x x

Fタイプ従来品

Fタイプ従来品

Fタイプ従来品

Fタイプ従来品<測定方法>・GEA705G1010F78・銅箔 ; 3μm・成形条件温度 ; 230℃100分昇温速度 ; 3.0℃/分圧力 ; 3MPa

基材方向基材方向

成形後厚み

（mm）

15

●Ｘ，Ｙ方向のCTEが極めて小さく（α1，α2）、弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。●低熱膨張・高密度ガラスクロスとの組合せ(RLHタイプ)によりCTE2.0ppm/℃以下を実現します。●GEA-770GはEPS(Embedded Passive Substrate)構造に適しています。

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・超低熱膨張多層材料

MCL-E-770G（R）タイプ GEA-770G〈プリプレグ〉


●半導体パッケージ　（FC-CSP,PoP,SiP） ●薄物モジュール用

■用途

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります｡　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照測定項目により、t0.4mmの値を記載しております。※上記値は実測値であり、保証値ではありません。

標準銅箔厚さ

2μm 3μm 5μm12μm

（STD,LP,PF）

2μm 3μm 5μm12μm

（LP,PF）

2μm 3μm 5μm12μm18μm

（STD,LP,PF）


M0.060.1HD0.150.2U0.04M0.060.1D0.150.31

基材厚

0.060mm0.105mm0.155mm0.210mm0.040mm0.060mm0.105mm0.155mm0.310mm

T0.05

U0.04

0.050mm

0.040mm

注１）STD：一般銅箔、LP：低プロファイル箔、PF：プロファイルフリー箔を示す。　注2）STD箔の銅箔厚さは12μm,18μm,35μm,70μmです。LP箔の銅箔厚さは2μm,3μm,5μm,12μm,18μmです。銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います。注3）厚さは絶縁層の厚さを示します。

■一般仕様品　番タイプ名

（RLH）

（R）

MCL-E-770G


試験項目

X

Y

Z

単　位

℃

ppm/℃

秒

分

℃

サイクル

kN/m

μm

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

4.0～6.0

4.0～6.0

30～32

4.4～4.6

4.1～4.3

0.003～0.005

0.004～0.006

1.5～2.0

1.5～2.0

34～36

4.2～4.4

3.9～4.1

0.003～0.005

0.004～0.006

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

260℃リフロー

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）

T-260（銅なし）

T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5％重量減少）

セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性


表面粗さ（Ra）

曲げ弾性率（たて方向）

比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.2mm）

MCL-E-770G（R）タイプ MCL-E-770G（RLH）タイプ

12μm

18μm

1MHz

1GHz＊2

1MHz

1GHz＊2

実測値

260～280

300～330

8～13

70～90

300以上

60以上

60以上

430～450

20以上

0.7～0.9

0.8～1.0

2～3

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

参考規格

（IPC-TM-650）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

ー

2.4.8

2.2.17

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー

ー

TMA法

DMA法（30～120℃）

（30～120℃）


16

●Ｘ，Ｙ方向のCTEが極めて小さく（α1，α2）、弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。●低熱膨張・高密度ガラスクロスとの組合せ(RLHタイプ)によりCTE2.0ppm/℃以下を実現します。●GEA-770GはEPS(Embedded Passive Substrate)構造に適しています。

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・超低熱膨張多層材料



●半導体パッケージ　（FC-CSP,PoP,SiP） ●薄物モジュール用

■用途

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります｡　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照測定項目により、t0.4mmの値を記載しております。※上記値は実測値であり、保証値ではありません。

標準銅箔厚さ

2μm 3μm 5μm12μm

（STD,LP,PF）

2μm 3μm 5μm12μm

（LP,PF）


（STD,LP,PF）


M0.060.1HD0.150.2U0.04M0.060.1D0.150.31

基材厚

0.060mm0.105mm0.155mm0.210mm0.040mm0.060mm0.105mm0.155mm0.310mm

T0.05

U0.04

0.050mm

0.040mm

注１）STD：一般銅箔、LP：低プロファイル箔、PF：プロファイルフリー箔を示す。　注2）STD箔の銅箔厚さは12μm,18μm,35μm,70μmです。LP箔の銅箔厚さは2μm,3μm,5μm,12μm,18μmです。銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います。注3）厚さは絶縁層の厚さを示します。

■一般仕様品　番タイプ名

（RLH）

（R）

MCL-E-770G


試験項目

X

Y

Z

単　位

℃

ppm/℃

秒

分

℃

サイクル

kN/m

μm

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

4.0～6.0

4.0～6.0

30～32

4.4～4.6

4.1～4.3

0.003～0.005

0.004～0.006

1.5～2.0

1.5～2.0

34～36

4.2～4.4

3.9～4.1

0.003～0.005

0.004～0.006

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

260℃リフロー

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1








比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.2mm）

MCL-E-770G（R）タイプ MCL-E-770G（RLH）タイプ

12μm

18μm

1MHz

1GHz＊2

1MHz

1GHz＊2

実測値

260～280

300～330

8～13

70～90

300以上

60以上

60以上

430～450

20以上

0.7～0.9

0.8～1.0

2～3

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

参考規格

（IPC-TM-650）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

ー

2.4.8

2.2.17

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー

ー

TMA法

DMA法（30～120℃）

（30～120℃）


●プリプレグ

0.0250.0250.030.030.040.0250.0250.030.030.0350.0350.040.045

　　72±276±272±276±272±272±276±272±276±268±273±272±271±2

（1017N72）（1017N76）（1027N72）（1027N76）（1037N72）（L1017N72）（L1017N76）（L1027N72）（L1027N76）（L1024N68）（L1024N73）（L1037N72）（L1030N71）

0.025 0.030 0.040 0.048 0.048 0.025 0.030 0.040 0.048 0.041 0.050 0.048 0.058

タイプ名

ー

（L）

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）



1017101710271027103710171017102710271024102410371030

IPCスタイル

品　番

GEA-770G

●TEG4層基板におけるそり評価結果TEG チップ＊パッケージサイズ : 14mm×14mm ＊チップサイズ : 7.3mm×7.3mm＊チップ厚み : 150μm＊アンダーフィル厚み : 60μm（CEL-C-3730-4）＊ソルダーレジスト厚み : 20μm（FZ-2700GA）

〈サンプル〉コア厚み 200μm+1024（S-HD） PPGMCL-E-705G（LH）タイプ+GEA-705G（L）タイプMCL-E-770G（RLH）タイプ+GEA-705G（L）タイプMCL-E-770G（RLH）タイプ+GEA-770G（L）タイプアンダーフィル

チップ

基板

0

-100

150

50

100

-50

そり量

（μm）

MCL-E-705G（LH）タイプ+GEA-705G（L）タイプ

MCL-E-770G（RLH）タイプ+GEA-705G（L）タイプ

MCL-E-770G（RLH）タイプ+GEA-770G（L）タイプ

室温（リフロー前）室温（リフロー後）

リフロー温度凹型

凸型

25℃ 265℃ 25℃

参考規格（IPC-TM-650） 2.3.16 ー

17

●Ｘ，Ｙ方向のCTEが小さく（α１，α２）、弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。●低熱膨張ガラスクロスとの組合せによりMCL-E-705G（L）タイプはCTE5ppm/℃以下を　

実現します。MCL-E-705G（LH）タイプはCTE3ppm/℃以下を実現します。●高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。

●半導体パッケージ　（FC-BGA,FC-CSP,PoP,SiP） ●ビルドアップ配線板●薄物モジュール配線板

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・低熱膨張多層材料

MCL-E-705G ＧＥＡ-705Ｇ〈プリプレグ〉ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料■特長 ■用途

2μm3μm5μm12μm18μm

（STD,LP,PF）

2μm3μm5μm

12μm

（LP,PF）

2μm3μm5μm12μm18μm35μm70μm

（STD,LP,PF）2μm 3μm5μm12μm

（STD,LP,PF）

U0.03U0.04T0.06M0.060.1M0.11M0.15M0.220.20.310.410.510.610.710.81M0.060.1D0.150.20.26

■一般仕様

－（L）

（LH）

MCL-E-705G

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります｡　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照

標準銅箔厚さ呼び名（呼称）基材厚0.03mm0.04mm0.06mm0.06mm0.11mm0.10mm0.15mm0.21mm0.21mm0.31mm0.41mm0.52mm0.62mm0.72mm0.82mm0.06mm0.11mm0.15mm0.21mm0.26mm

品　番タイプ名

注1）STD：一般銅箔、LP：低プロファイル箔、PF：プロファイルフリー箔を示す。　注2）STD箔の銅箔厚さは12μm,18μm,35μm,70μmです。LP箔の銅箔厚さは2μm,3μm,5μm,12μm,18μmです。PF箔の銅箔厚さは2μm,3μm,5μm,12μmです。銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います。注3）厚み（呼び名）の頭文字「U」は1ply、「T」は2plyを示します。　注4）厚さは絶縁層の厚さを示します。

■一般特性 ●多層用銅張積層板（t0.1, t0.4mm）

試験項目

XY

Z


熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）T-260（銅なし）T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5％重量減少）セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性



比誘電率

誘電正接


絶縁抵抗

12μm 18μm

1MHz 1GHz＊2

1MHz 1GHz＊2

処理条件＊3 参考規格（IPC-TM-650）

2.4.24ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40ー

2.4.8

2.2.172.4.4

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.17

ーー

AA

A

AAA

A

A260℃リフロー

A

AA

A

A

C-96/40/90C-96/40/90

AD-2/100

単　位

℃

ppm/℃

秒

分

℃サイクル

kN/m

μmGPa

－

－

Ω･cmΩ

Ω

実測値

250～270295～305

10～1570～90300以上60以上60以上

430～45020以上

0.8～1.00.9～1.1

2～3

1×1014～1×1016 1×1013～1×1015 1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

5～75～7

32～344.5～4.74.2～4.4

0.0060～0.00800.0070～0.0090

2.5～3.52.5～3.5

37～394.3～4.54.0～4.2

0.0060～0.00800.0070～0.0090

3～43～4

34～364.3～4.54.0～4.2

0.0060～0.00800.0070～0.0090

MCL-E-705G MCL-E-705G（L）タイプ MCL-E-705G（LH）タイプTMA法DMA法

（30～120℃）（30～120℃）



18

●プリプレグ

0.0250.030.040.060.10.0250.030.040.060.1

　　73±273±273±265±258±273±273±273±265±258±2

（1017N73）（1027N73）（1037N73）（1078N65）（2116N58）（L1017N73）（L1027N73）（L1037N73）（L1078N65）（L2116N58）

0.025 0.040 0.048 0.071 0.126 0.025 0.040 0.048 0.071 0.126

タイプ名

ー

（L）

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）


＊1）成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ１枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。　

1017102710371078211610171027103710782116

IPCスタイル

品　番

GEA-705G

2.3.16参考規格（IPC-TM-650）－

●FC-BGAにおけるそり評価結果TEG チップ＊チップサイズ : 20mm×20mm ＊チップ厚み : 0.725mm ＊バンプ径 : 80μm ＊バンプピッチ : 200μm TEG 基板＊基板サイズ : 35mm×35mm ＊基板厚み : 0.4mm ＊ビルドアップ厚み : 30μm×2stack ＊ソルダーレジスト厚み : 20μm

-150

0

-100

150

50

100

-50

200

そり量

（μm）

そり量

（μm）

MCL-E-700G（R）タイプ

MCL-E-705G高Tgハロゲンフリー FR-425℃ 260℃

凹型

凸型

●実パッケージそり評価結果パッケージ基板仕様＊サイズ : 14mm×14mm ＊トータル厚み : 250μm ＊ソルダーレジスト厚み： 20μm　（SR-7200G:Hitachi Chemical）＊プリプレグ厚み : 40μm＊コア基材厚み : 110μm

-150

0

-100

150

50

100

-50

200

MCL-E-705G MCL-E-705G（L）タイプ


25℃ 260℃

凹型

凸型

●Ｘ，Ｙ方向のCTEが小さく（α１，α２）、弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。●低熱膨張ガラスクロスとの組合せによりMCL-E-705G（L）タイプはCTE5ppm/℃以下を　

実現します。MCL-E-705G（LH）タイプはCTE3ppm/℃以下を実現します。●高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。

●半導体パッケージ　（FC-BGA,FC-CSP,PoP,SiP） ●ビルドアップ配線板●薄物モジュール配線板


MCL-E-705G ＧＥＡ-705Ｇ〈プリプレグ〉ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料■特長 ■用途

2μm3μm5μm12μm18μm

（STD,LP,PF）

2μm3μm5μm

12μm

（LP,PF）

2μm3μm5μm12μm18μm35μm70μm

（STD,LP,PF）2μm 3μm5μm12μm

（STD,LP,PF）

U0.03U0.04T0.06M0.060.1M0.11M0.15M0.220.20.310.410.510.610.710.81M0.060.1D0.150.20.26

■一般仕様

－（L）

（LH）

MCL-E-705G


標準銅箔厚さ呼び名（呼称）基材厚0.03mm0.04mm0.06mm0.06mm0.11mm0.10mm0.15mm0.21mm0.21mm0.31mm0.41mm0.52mm0.62mm0.72mm0.82mm0.06mm0.11mm0.15mm0.21mm0.26mm




試験項目

XY

Z


熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）T-260（銅なし）T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5％重量減少）セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性



比誘電率

誘電正接


絶縁抵抗

12μm 18μm

1MHz 1GHz＊2

1MHz 1GHz＊2

処理条件＊3 参考規格（IPC-TM-650）

2.4.24ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40ー

2.4.8

2.2.172.4.4

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.17

ーー

AA

A

AAA

A

A260℃リフロー

A

AA

A

A

C-96/40/90C-96/40/90

AD-2/100

単　位

℃

ppm/℃

秒

分

℃サイクル

kN/m

μmGPa

－

－

Ω･cmΩ

Ω

実測値

250～270295～305

10～1570～90300以上60以上60以上

430～45020以上

0.8～1.00.9～1.1

2～3

1×1014～1×1016 1×1013～1×1015 1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

5～75～7

32～344.5～4.74.2～4.4

0.0060～0.00800.0070～0.0090

2.5～3.52.5～3.5

37～394.3～4.54.0～4.2

0.0060～0.00800.0070～0.0090

3～43～4

34～364.3～4.54.0～4.2

0.0060～0.00800.0070～0.0090

MCL-E-705G MCL-E-705G（L）タイプ MCL-E-705G（LH）タイプTMA法DMA法

（30～120℃）（30～120℃）



19

●Ｘ，Ｙ方向のCTEが小さく（α1，α2）、　弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。●高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。●ドリル加工性に優れ、プロセスコスト低減が可能です。

●半導体パッケージ（FC-BGA,FC-CSP,PoP,SiP） ●ビルドアップ配線板●薄物モジュール配線板



ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料■特長 ■用途


標準銅箔厚さ 2μm 3μm 5μm12μm

（LP,PF）


（STD,LP,PF） 2μm 3μm 5μm12μm18μm35μm70μm

（STD,LP,PF）

呼び名（呼称）U0.03U0.04T0.04U0.05T0.06M0.060.1M0.11M0.15M0.220.20.310.410.510.610.71

基材厚0.03mm0.04mm0.04mm0.05mm0.06mm0.06mm0.11mm0.10mm0.15mm0.21mm0.20mm0.30mm0.40mm0.50mm0.60mm0.70mm

■一般仕様品　番

MCL-E-700G

タイプ名

（R）

（RL）

（R）



試験項目

X

Y

Z

単　位

℃

ppm/℃

秒

分

℃

サイクル

kN/m

μm

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

実測値

250～270

295～305

15～25

90～120

300以上

60以上

60以上

430～450

20以上

0.9～1.1

1.0～1.2

2～3

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

7～9

7～9

32～34

4.8～5.0

4.6～4.8

0.0080～0.0100

0.0090～0.0110

5～7

5～7

34～36

4.6～4.8

4.2～4.4

0.0080～0.0100

0.0100～0.0120

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

260℃リフロー

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1








比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.1, t0.4mm）

MCL-E-700G（R）タイプ MCL-E-700G（RL）タイプ

12μm

18μm

1MHz

1GHz＊2

1MHz

1GHz＊2

参考規格

（IPC-TM-650）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

ー

2.4.8

2.2.17

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー

ー

TMA法DMA法

（30～120℃）

（30～120℃）



20

0

4

2

6

8

10

12

14

16

0 10 20 30 40

たわみ量

（mm）

そり量

（μm）

開口率（%）

tan

δ

●プリプレグ

0.0250.030.040.060.10.030.040.06

　　74±274±274±266±259±274±274±266±2

（1017N74）（1027N74）（1037N74）（1078N66）（2116N59）（L1027N74）（L1037N74）（L1078N66）

0.025 0.040 0.048 0.072 0.127 0.040 0.048 0.072

タイプ名

－

（L）

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）



10171027103710782116102710371078

IPCスタイル

●穴あけによるたわみ量変化


実PKGでの開口率

0.1

1

10

100 0.4

0.3

0.2

0.1

00 100 150 200 250 300

弾性率

（GPa）

●粘弾性特性（Elastic Modulus）

　測定温度（℃）

高TgハロゲンフリーFR-4

MCL-E-700G （R）タイプ

品　番

GEA-700G

高Tg ハロゲンフリー

FR-4

2.3.16 －参考規格（IPC-TM-650）

●FC-BGAにおけるそり評価結果

-100

-50

50

0

100

150

TEG チップ＊チップサイズ : 20mm×20mm＊チップ厚み : 0.725mm＊バンプ径 : 80μm＊バンプピッチ : 200μmTEG 基板＊基板サイズ : 35mm×35mm ＊基板厚み : 0.7mm ＊ビルドアップ厚み : 30μm×2＊ソルダーレジスト厚み : 20μm


MCL-E-700G（RL）タイプ

高TgハロゲンフリーFR-4

25℃

260℃

凹型

凸型

●Ｘ，Ｙ方向のCTEが小さく（α1，α2）、　弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。●高耐熱性を有しており、ビルドアップ構造に適しています。●ドリル加工性に優れ、プロセスコスト低減が可能です。

●半導体パッケージ（FC-BGA,FC-CSP,PoP,SiP） ●ビルドアップ配線板●薄物モジュール配線板



ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料■特長 ■用途


標準銅箔厚さ 2μm 3μm 5μm12μm

（LP,PF）


（STD,LP,PF） 2μm 3μm 5μm12μm18μm35μm70μm

（STD,LP,PF）

呼び名（呼称）U0.03U0.04T0.04U0.05T0.06M0.060.1M0.11M0.15M0.220.20.310.410.510.610.71

基材厚0.03mm0.04mm0.04mm0.05mm0.06mm0.06mm0.11mm0.10mm0.15mm0.21mm0.20mm0.30mm0.40mm0.50mm0.60mm0.70mm

■一般仕様品　番

MCL-E-700G

タイプ名

（R）

（RL）

（R）



試験項目

X

Y

Z

単　位

℃

ppm/℃

秒

分

℃

サイクル

kN/m

μm

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

実測値

250～270

295～305

15～25

90～120

300以上

60以上

60以上

430～450

20以上

0.9～1.1

1.0～1.2

2～3

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

7～9

7～9

32～34

4.8～5.0

4.6～4.8

0.0080～0.0100

0.0090～0.0110

5～7

5～7

34～36

4.6～4.8

4.2～4.4

0.0080～0.0100

0.0100～0.0120

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

260℃リフロー

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1








比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.1, t0.4mm）

MCL-E-700G（R）タイプ MCL-E-700G（RL）タイプ

12μm

18μm

1MHz

1GHz＊2

1MHz

1GHz＊2

参考規格

（IPC-TM-650）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

ー

2.4.8

2.2.17

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー

ー

TMA法DMA法

（30～120℃）

（30～120℃）



21

●半導体パッケージ（FC-BGA，BGA，CSP）

●ビルドアップ配線板

●パソコン、高密度電子機器

ハロゲンフリー高弾性・低熱膨張多層材料

MCL-E-679ＦG

ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料（FR-4）

■特長

■一般仕様

■用途


MCL-E-679FGB〈ブラックタイプ〉GEA-679ＦG〈プリプレグ〉

●ハロゲン系難燃剤、アンチモンおよび赤リンを使用せずに難燃性UL94V-0を達成している環境対応材料です。

●熱膨張係数が一般ＦＲ-4より、　Ｚ方向で約50％小さくなっています。（当社比）●弾性率が一般ＦＲ-4より約20％高く（当社比）、

薄物多層材でのそり、たわみも小さくなります。●はんだ耐熱性に優れています。（鉛フリープロセスへの対応が

可能です）

●表面粗さが一般ＦＲ-4の約1／4程度であり（当社比）、微細パターン形成が可能です。

標準銅箔厚さ2μm3μm5μm12μm

（LP,PF）

2μm,3μm5μm12μm18μm35μm70μm

（STD,LP,PF）

2,3,5,12,18μm（STD,LP,PF）

呼び名（呼称）U0.03U0.04U0.05T0.04T0.06T0.07M0.060.10.150.20.410.61

0.030mm0.040mm0.050mm0.040mm0.060mm0.070mm0.07mm0.11mm0.16mm0.21mm0.40mm0.60mm

MCL-E-679FGMCL-E-679FGB

（S）

（R）（S）



基材厚


試験項目

℃

ppm/℃

秒

分

℃サイクル

kN/m

μmGPa

－

－

Ω･cmΩ

Ω

単　位

300以上60以上60以上

340～36010以上

2～3

4.6～4.80.0080～0.01000.0160～0.01801×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

165～175200～22013～1513～1523～33

140～170

0.9～1.11.1～1.2

23～285.2～5.4

175～185210～23012～1412～1420～30

130～160

1.1～1.21.2～1.3

24～295.0～5.2


処理条件＊3

AA

A

AAA

A

A260℃リフロー

A

AA

A

A

C-96/40/90C-96/40/90

AD-2/100


熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）T-260（銅なし）T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5％重量減少）セミアデイティブ工法ビルドアップ耐熱性



比誘電率

誘電正接


絶縁抵抗

2.4.24ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40ー

2.4.8

2.2.172.4.4

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.17

ーー

実測値MCL-E-679FG （R）タイプ MCL-E-679FG （S）タイプ

18μm 35μm

1MHz 1GHz＊2

1MHz 1GHz＊2

TMA法DMA法

XY

Z

（30～120℃）（30～120℃）



22

60

50

40

30

20

10

0100 20 30 40 50 60 70 80 90 100

層間厚み

（μm）

残銅率（%）

層間厚み

GSBSE

GSBPE

GSAPE

●プリプレグ

0 500 600 700 800 900 1000400300200100

導通抵抗変化率（％）

サイクル

●スルーホール接続信頼性冷熱サイクル条件：－55℃、30分⇔150℃、30分パターン：壁間0.3mm、基材厚：t0.8mm前処理：260℃リフロー2回⇒はんだ浸漬（260℃10秒）

Span : 10mmSpan : 15mmSpan : 20mmSpan : 25mmSpan : 30mmSpan : 35mmSpan : 40mm

20

15

10

5

0

－5

0.030.040.060.10.030.030.030.040.060.1

（R）

（S）

GEA-679FG

73±273±268±258±278±273±278±273±268±258±2

（GBPE）（GRZPE）（GRROE）（GRSKE）（GSAPE）（GSBPE）（GSBSE）（GSZPE）（GSROE）（GSSKE）

0.0400.0480.0790.1270.0310.0400.0500.0480.0790.127

タイプ名樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）


※1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

1027103710782116101710271027103710782116

IPCスタイル

品　番

●プリプレグ層間厚さ（内層銅箔厚さ：15μm）

2.3.16 －参考規格（IPC-TM-650）

●たわみ特性

12

10

8

6

4

2

1

0U0.04 T0.04 U0.05 T0.06 T0.07

たわみ量

（mm）

厚さ区分

荷量（1g）

スパン

たわみ●：MCL-E-679FG（S）タイプ▲：MCL-E-679FG（R）タイプ

●半導体パッケージ（FC-BGA，BGA，CSP）

●ビルドアップ配線板

●パソコン、高密度電子機器

ハロゲンフリー高弾性・低熱膨張多層材料

MCL-E-679ＦG


■特長

■一般仕様

■用途


MCL-E-679FGB〈ブラックタイプ〉GEA-679ＦG〈プリプレグ〉

●ハロゲン系難燃剤、アンチモンおよび赤リンを使用せずに難燃性UL94V-0を達成している環境対応材料です。

●熱膨張係数が一般ＦＲ-4より、　Ｚ方向で約50％小さくなっています。（当社比）●弾性率が一般ＦＲ-4より約20％高く（当社比）、

薄物多層材でのそり、たわみも小さくなります。●はんだ耐熱性に優れています。（鉛フリープロセスへの対応が

可能です）

●表面粗さが一般ＦＲ-4の約1／4程度であり（当社比）、微細パターン形成が可能です。

標準銅箔厚さ2μm3μm5μm12μm

（LP,PF）

2μm,3μm5μm12μm18μm35μm70μm

（STD,LP,PF）

2,3,5,12,18μm（STD,LP,PF）

呼び名（呼称）U0.03U0.04U0.05T0.04T0.06T0.07M0.060.10.150.20.410.61

0.030mm0.040mm0.050mm0.040mm0.060mm0.070mm0.07mm0.11mm0.16mm0.21mm0.40mm0.60mm

MCL-E-679FGMCL-E-679FGB

（S）

（R）（S）



基材厚


試験項目

℃

ppm/℃

秒

分

℃サイクル

kN/m

μmGPa

－

－

Ω･cmΩ

Ω

単　位

300以上60以上60以上

340～36010以上

2～3

4.6～4.80.0080～0.01000.0160～0.01801×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

165～175200～22013～1513～1523～33

140～170

0.9～1.11.1～1.2

23～285.2～5.4

175～185210～23012～1412～1420～30

130～160

1.1～1.21.2～1.3

24～295.0～5.2


処理条件＊3

AA

A

AAA

A

A260℃リフロー

A

AA

A

A

C-96/40/90C-96/40/90

AD-2/100


熱膨張係数＊1

はんだ耐熱性（260℃）T-260（銅なし）T-288（銅なし）熱分解温度（TGA法、5％重量減少）セミアデイティブ工法ビルドアップ耐熱性



比誘電率

誘電正接


絶縁抵抗

2.4.24ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40ー

2.4.8

2.2.172.4.4

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.5.9JPCA TM-001

2.5.17

ーー

実測値MCL-E-679FG （R）タイプ MCL-E-679FG （S）タイプ

18μm 35μm

1MHz 1GHz＊2

1MHz 1GHz＊2

TMA法DMA法

XY

Z

（30～120℃）（30～120℃）



23

●ハロゲンフリーで優れた誘電特性を有しています（Dk 3.5 （@1GHz, 樹脂分70%））。●高Tg且つ、高温領域で一般FR-4材と比較して高弾性な特性を有しております。●はんだ耐熱性に優れています（鉛フリーリフロー対応）。

●スマートフォン●タブレットPC

ハロゲンフリー低誘電率・高Tg・高耐熱性多層材料

MCL-E-78G GEA-78G〈プリプレグ〉

ガラス布基材低誘電率エポキシ樹脂多層材料（FR-4）

■特長 ■用途

＊1）昇温速度：10℃/min＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります。＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照

■一般仕様標準銅箔厚さ

12μm18μm35μm70μm

呼び名（呼称）0.040.050.060.070.080.090.10.15

0.04mm0.05mm0.06mm0.07mm0.08mm0.09mm0.10mm0.15mm

注1）厚さは絶縁層の厚さを示します。

基材厚品　番

MCL-E-78G

タイプ名

－

12,18,35μm


試験項目

18μm

35μm

1GHz

10GHz

1GHz

10GHz

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

160～170

200～220

13～15

15～17

35～45

180～230

300以上

60以上

380～400

1.0～1.2

1.1～1.3

23～29

3.4～3.6

3.3～3.5

0.009～0.011

0.012～0.014

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

処理条件＊3 実測値MCL-E-78G


A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1






比誘電率＊2

（樹脂分70%）

誘電正接＊2

（樹脂分70%）

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

単　位

（t0.8mm）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

JPCA TM-001

2.5.17

ー

ー

TMA法

DMA法

XY

Z

（30～120℃）（30～120℃）



0024

●プリプレグ

＊1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

0.030.040.040.040.040.050.050.060.06

（1027N72）（106N70）（106N72）（1037N70）（1037N74）（1067N69）（1067N72）（1080N62）（1078N62）

72±270±272±270±274±269±272±262±262±2

0.044 0.051 0.056 0.049 0.058 0.061 0.069 0.075 0.075

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）


1027106106103710371067106710801078

IPCスタイル

タイプ名品　番

GEA-78G

弾性率

（GPa） tan

δ

測定温度（℃）

誘電正接

●誘電正接の周波数依存性

0.000

0.030

0.005

0.010

0.015

0.020

0.025

0

周波数（GHz）

4.5

比誘電率

●比誘電率の周波数依存性

2.5

3.0

3.5

4.0

2 31 40 5

周波数（GHz）

MCL-E-75G

MCL-E-78G

0.1

1.0

0.0

0.5

1.5

1.0

10.0

150 200100 25050 300

MCL-E-75G

MCL-E-78G

2 31 4 5

MCL-E-75G

MCL-E-78G

2.3.16 －参考規格（IPC-TM-650）

注）比誘電率および誘電正接はトリプレートストリップライン共振器法により測定しています。

●粘弾性特性

●ハロゲンフリーで優れた誘電特性を有しています（Dk 3.5 （@1GHz, 樹脂分70%））。●高Tg且つ、高温領域で一般FR-4材と比較して高弾性な特性を有しております。●はんだ耐熱性に優れています（鉛フリーリフロー対応）。

●スマートフォン●タブレットPC

ハロゲンフリー低誘電率・高Tg・高耐熱性多層材料


ガラス布基材低誘電率エポキシ樹脂多層材料（FR-4）

■特長 ■用途




呼び名（呼称）0.040.050.060.070.080.090.10.15



基材厚品　番

MCL-E-78G

タイプ名

－

12,18,35μm


試験項目

18μm

35μm

1GHz

10GHz

1GHz

10GHz

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

160～170

200～220

13～15

15～17

35～45

180～230

300以上

60以上

380～400

1.0～1.2

1.1～1.3

23～29

3.4～3.6

3.3～3.5

0.009～0.011

0.012～0.014

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014



A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1






比誘電率＊2

（樹脂分70%）

誘電正接＊2

（樹脂分70%）

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

単　位

（t0.8mm）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

JPCA TM-001

2.5.17

ー

ー

TMA法

DMA法

XY

Z

（30～120℃）（30～120℃）



0025

●一般材の表層への適用により、はんだ応力を吸収、はんだクラックを抑制します。●弾性率が一般FR-4材の1/4となる低弾性材料です。●高機能材を使わず、一般材との組み合わせで、はんだクラック低減が可能です。

●自動車用電子機器●エンジンルーム搭載基板●部品実装基板全般

はんだクラック対策/低弾性材料

ＴＤ-００２〈プリプレグ〉

ガラス布基材低弾性率多層材料

■特長 ■用途

＊1）昇温速度：10℃/min＊2）Cavity Resonator法によります。＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照


*1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。


1037107833131501

IPCスタイル

0.060.080.100.20


ＴＤ-００２

（1037N77）（1078N66）（3313N58）（1501N54）

樹脂分（％）77±266±258±254±2

0.0690.0880.1150.208

成形厚さ＊1

（mm）

2.3.16 －参考規格（IPC-TM-650）

■一般特性

試験項目

X

Y

Z

18μm

35μm

1GHz ＊2

1GHz ＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

GPa

ー

ー

Ω・cm

Ω

Ω

155～170

6～9

6～9

80～130

200～300

300以上

50以上

5以上

345～360

0.8～0.9

0.9～1.1

5～8

7～10

3.6～3.8

0.011～0.013

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

AD-2/100


熱膨張係数＊1







引張り弾性率（たて方向）

比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（3313N58, t0.4mm, t0.1mm）

実測値TD-002

2.4.24

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4ー

IEC-62810

2.5.17

ー

参考規格（IPC-TM-650）単　位

（TMA法）

（30～120℃）（30～120℃）



0026

2125R 3226R 6332R 2125R 3226R 6332R

FR-4+表層TD-002使用基板 FR-4基板

仕様： 4層板（t1.6mm）構成：コア材 t1.4mm/表層材ｔ0.1mmはんだ：鉛フリーはんだ

1000サイクル2000サイクル3000サイクル

（%）

クラック率

100

60

40

20

80

0

●部品実装信頼性評価結果[-40℃（30分）⇔125℃（30分）]

●ドリル加工性〔3000穴加工後〕

0

10

20

30

50

40

MCL-E-75G TD-002+MCL-E-75G

内壁粗さ

（μm）

仕様： 4層板（t1.6mm）構成：コア材 t1.2mm/表層材ｔ0.2mm

平均最大

クラック率6％ 2125R 3226R

クラック率10％

FR-4+TD-002使用基板のはんだクラック（断面，3000サイクル後）

●弾性率比較

1

103

104

10

102

0 50 100 150 200 250 300

弾性率

（MPa）

温度（℃）

TD-002

一般FR-4樹脂板

《ドリル加工条件》・重ね枚数：３枚　　・回転数： 120krpm ・ドリルビット： φ0.3ｍｍ・E/B ： Aｌ t0.15mm・送り速度： 2.4m/分

TD-002+MCL-E-75G

●一般材の表層への適用により、はんだ応力を吸収、はんだクラックを抑制します。●弾性率が一般FR-4材の1/4となる低弾性材料です。●高機能材を使わず、一般材との組み合わせで、はんだクラック低減が可能です。

●自動車用電子機器●エンジンルーム搭載基板●部品実装基板全般

はんだクラック対策/低弾性材料

ＴＤ-００２〈プリプレグ〉

ガラス布基材低弾性率多層材料

■特長 ■用途

＊1）昇温速度：10℃/min＊2）Cavity Resonator法によります。＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照


*1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。


1037107833131501

IPCスタイル

0.060.080.100.20


ＴＤ-００２

（1037N77）（1078N66）（3313N58）（1501N54）

樹脂分（％）77±266±258±254±2

0.0690.0880.1150.208

成形厚さ＊1

（mm）

2.3.16 －参考規格（IPC-TM-650）

■一般特性

試験項目

X

Y

Z

18μm

35μm

1GHz ＊2

1GHz ＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

GPa

ー

ー

Ω・cm

Ω

Ω

155～170

6～9

6～9

80～130

200～300

300以上

50以上

5以上

345～360

0.8～0.9

0.9～1.1

5～8

7～10

3.6～3.8

0.011～0.013

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

AD-2/100


熱膨張係数＊1







引張り弾性率（たて方向）

比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（3313N58, t0.4mm, t0.1mm）

実測値TD-002

2.4.24

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4ー

IEC-62810

2.5.17

ー

参考規格（IPC-TM-650）単　位

（TMA法）

（30～120℃）（30～120℃）



0027

●ハロゲン系難燃剤、アンチモンおよび赤リンを使用せずに、難燃性UL94V-0を達成している環境対応材料です。

●耐熱性に優れています（鉛フリーはんだ工程対応）。●Z方向の熱膨張係数が一般FR-4より約40%低く、スルーホール信頼性に優れています。●はんだ耐熱性に優れています（鉛フリーリフロー対応）。

●自動車用電子機器●パソコン、高密度電子機器●電子交換機、携帯端末機器など●大型コンピューター

ハロゲンフリー高Tg・高耐熱・高信頼性多層材料



■特長 ■用途




呼び名（呼称）0.06 0.1 0.15 V0.20.3V0.40.5 V0.60.81.0 1.2 1.6


0.80（0.70）mm1.00（0.90）mm1.20（1.10）mm1.60（1.50）mm

注1）厚さは絶縁層の厚さを示します。ただし、厚さ0.8以上は銅箔を含む厚さを示します。注2）（）内は銅箔厚さ70μmの場合を示します。

基材厚品　番

MCL-E-75G

タイプ名

－


試験項目

X

Y

Z

18μm

35μm

1MHz

1GHz＊2 1MHz

1GHz＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

155～170

195～215

12～15

14～17

30～40

180～240

300以上

60以上

60以上

380～390

1.2～1.4

1.5～1.8

25～29

5.0～5.2

4.4～4.6

0.009～0.011

0.014～0.016

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014


A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1







比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.8mm）

単　位

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー


TMA法

DMA法

（30～120℃）（30～120℃）



0028

●プリプレグ

＊1）成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

0.060.060.100.150.20

（1080N65）（1078N65）（2116N56）（1501N52）（7628N50）

65±265±256±252±250±2

0.077 0.077 0.128 0.182 0.213

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）


10801078211615017628

IPCスタイル


GEA-75G

比誘電率

誘電正接

●スルーホール接続信頼性ー55℃30分⇔150℃30分　　（t1.6mm両面板）

ー5

0

5

10

15

20

導通抵抗変化率（％）

サイクル

MCL-E-75G

0 200015001000500

一般FR-4

高Tg FR-4

3.6

3.8

4.0

4.2

4.4

5.0

4.6

4.8

40 65 70 7560555045

樹脂分（％）樹脂分（％）

1GHz2GHz5GHz

0.015

0.016

0.017

0.018

0.019

0.022

0.020

0.021

40 65 70 7560555045

1GHz2GHz5GHz



●誘電特性の樹脂分依存性 ●誘電正接の樹脂分依存性

●ハロゲン系難燃剤、アンチモンおよび赤リンを使用せずに、難燃性UL94V-0を達成している環境対応材料です。

●耐熱性に優れています（鉛フリーはんだ工程対応）。●Z方向の熱膨張係数が一般FR-4より約40%低く、スルーホール信頼性に優れています。●はんだ耐熱性に優れています（鉛フリーリフロー対応）。

●自動車用電子機器●パソコン、高密度電子機器●電子交換機、携帯端末機器など●大型コンピューター

ハロゲンフリー高Tg・高耐熱・高信頼性多層材料



■特長 ■用途




呼び名（呼称）0.06 0.1 0.15 V0.20.3V0.40.5 V0.60.81.0 1.2 1.6


0.80（0.70）mm1.00（0.90）mm1.20（1.10）mm1.60（1.50）mm

注1）厚さは絶縁層の厚さを示します。ただし、厚さ0.8以上は銅箔を含む厚さを示します。注2）（）内は銅箔厚さ70μmの場合を示します。

基材厚品　番

MCL-E-75G

タイプ名

－


試験項目

X

Y

Z

18μm

35μm

1MHz

1GHz＊2 1MHz

1GHz＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

155～170

195～215

12～15

14～17

30～40

180～240

300以上

60以上

60以上

380～390

1.2～1.4

1.5～1.8

25～29

5.0～5.2

4.4～4.6

0.009～0.011

0.014～0.016

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014


A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1







比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（t0.8mm）

単　位

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー


TMA法

DMA法

（30～120℃）（30～120℃）



0029

MEMO

30


ハロゲンフリー・高Ｔｇ・低伝送損失多層材料MCL-LW-900G/910G

ハロゲンフリー低誘電率高耐熱多層材料MCL-HE-679G（S）タイプ

P32

P34

31

●MCL-LW-910Gは低誘電率ガラスクロス、HVLP銅箔との組合せにより比誘電率3.3、誘電正接0.0028@10GHzを実現します。

●優れた低伝送損失により25Gbpsの高速伝送/通信を可能にします。●優れた耐熱性、接続信頼性を有しています。

●高速コンピューター、サーバー●高速ルーター、通信機器●高周波部品、高周波レーダ/アンテナ

ハロゲンフリー・高Ｔｇ・低伝送損失多層材料

ＭＣＬ－LW－900Ｇ/910ＧＧWＡ－900Ｇ/910Ｇ〈プリプレグ〉

ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料

■特長

■一般仕様

■用途

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）Cavity Resonator法によります。　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照

標準銅箔厚さ

18μm35μm70μm（RT）

12μm18μm35μm

（HVLP）

呼び名（呼称）0.05mm0.06mm0.08mm0.10mm0.10mm0.13mm0.15mm0.20mm0.25mm

M0.05M0.06M0.080.1M0.110.13M0.150.20.26

基材厚

注1）厚さは絶縁層の厚さを示します。注2）上記以外のLine-upについてはお問い合わせ下さい。

品　番

MCL-LW-900G（Eガラスクロス）

MCL-LW-910G（低誘電率ガラスクロス）

タイプ名


試験項目

18μm RT

18μm HVLP

10GHz＊2

10GHz＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

単　位実測値

190～210

240～280

12～15

12～15

35～45

230～280

300以上

60以上

60以上

410～450

0.4～0.7

0.4～0.7

16～21

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

3.60～3.80

0.0040～0.0050

3.20～3.40

0.0020～0.0030

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1







比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

MCL-LW-900G MCL-LW-910G

（t0.8mm）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

IEC-62810

2.5.7

ー

ー


TMA法

DMA法X

Y

Z

（30～120℃）（30～120℃）



32

●MCL-LW-910Gは低誘電率ガラスクロス、HVLP銅箔との組合せにより比誘電率3.3、誘電正接0.0028@10GHzを実現します。

●優れた低伝送損失により25Gbpsの高速伝送/通信を可能にします。●優れた耐熱性、接続信頼性を有しています。

●高速コンピューター、サーバー●高速ルーター、通信機器●高周波部品、高周波レーダ/アンテナ

ハロゲンフリー・高Ｔｇ・低伝送損失多層材料

ＭＣＬ－LW－900Ｇ/910ＧＧWＡ－900Ｇ/910Ｇ〈プリプレグ〉

ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料

■特長

■一般仕様

■用途

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）Cavity Resonator法によります。　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照

標準銅箔厚さ

18μm35μm70μm（RT）

12μm18μm35μm

（HVLP）

呼び名（呼称）0.05mm0.06mm0.08mm0.10mm0.10mm0.13mm0.15mm0.20mm0.25mm

M0.05M0.06M0.080.1M0.110.13M0.150.20.26

基材厚

注1）厚さは絶縁層の厚さを示します。注2）上記以外のLine-upについてはお問い合わせ下さい。

品　番

MCL-LW-900G（Eガラスクロス）

MCL-LW-910G（低誘電率ガラスクロス）

タイプ名


試験項目

18μm RT

18μm HVLP

10GHz＊2

10GHz＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

単　位実測値

190～210

240～280

12～15

12～15

35～45

230～280

300以上

60以上

60以上

410～450

0.4～0.7

0.4～0.7

16～21

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

3.60～3.80

0.0040～0.0050

3.20～3.40

0.0020～0.0030

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1







比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

MCL-LW-900G MCL-LW-910G

（t0.8mm）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

IEC-62810

2.5.7

ー

ー


TMA法

DMA法X

Y

Z

（30～120℃）（30～120℃）



《測定条件》・評価基板：ストリップライン・温度及び湿度 : 25℃/60%RH・特性インピーダンス：Approx.50Ω・多層化内層接着処理：黒化処理・校正方法 : TRL（Thru-Reflect-Line）

●導体幅（w）：0.120mm●絶縁層厚み（b ）：0.25mm●導体厚み（t）：18μm

w b t

CoreP/P

《測定条件》・測定方法：トリプレートライン共振器法（ネットワークアナライザー）；JPCA-TM001 ・温度及び湿度 : 25℃/60%RH ・基材厚み（b ）: 1.6mm（信号-グランド間隔 : 800μm）, 導体厚み（t）: 18μm（RT,HVLP）・導体のライン幅（w）：1mm（Zo : approx.50Ω）

＊1）成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

3.0

2.8

2.4

2.6

3.2

3.4

3.6

3.8

4.0

0 2014 16 18122 4 6 8 10

●誘電特性測定結果

周波数（GHz）

●プリプレグ

0.050.060.080.10.050.060.080.1

（1037N72）（1078N65）（3313N57）（2116N55）（1037N74）（1078N67）（2013N59）（2116N57）

0.050 0.078 0.106 0.125 0.050 0.078 0.106 0.125

タイプ名

10371078331321161037107820132116

IPCスタイル

72±265±257±255±274±267±259±257±2

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）


PTFE CCL

品　番

GWA-900G

GWA-910G

比誘電率 MCL-LW-910G（HVLP）

MCL-LW-900G（RT）

0 2014 16 18122 4 6 8 10周波数（GHz）

誘電正接

0.0030

0.0020

0.0010

0.0040

0.0050

0.0060

0.0070

0.0080

0.0090

MCL-LW-910G（HVLP）

PTFE CCL

MCL-LW-900G（RT）

周波数（GHz）

ー10

ー15

ー20

ー25ー30

ー35

ー40

ー45

ー50

ー55

ー5

0

（dB/m）

●伝送損失測定結果

0 2016 1814128 10642

MCL-LW-910G（HVLP）MCL-LW-900G（HVLP）MCL-LW-910G（RT）MCL-LW-900G（RT）

伝送損失

w b t


33

●誘電正接がMCL-HE-679Gよりも低く、低伝送損失化が可能です。（当社比）●高Tgではんだ耐熱性に優れています。（鉛フリープロセスへの対応が可能です）●厚み方向の熱膨張係数が一般FR-4より約30％小さくなっています。（当社比）●ハロゲン系難燃剤、アンチモンおよび赤リンを使用せずに、難燃性UL94V-0を　

達成している環境対応材です。

●ルーター、サーバー●フィルター、ＶＣＯなどの高周波部品

ハロゲンフリー低誘電率高耐熱多層材料

MCL-HE-679G（S）タイプ GHA-679G（S）タイプ〈プリプレグ〉

ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料（FR-4）■特長

■一般仕様

■用途

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります｡　＊3）マテリアルアナライザー法によります｡（IPC-TM-650）　＊4）最終ページの「処理条件の読み方」参照

標準銅箔厚さ


呼び名（呼称）0.060.080.1 0.150.2 0.4 0.6 0.8

基材厚0.06mm0.08mm0.10mm0.15mm0.20mm0.40mm0.60mm0.80mm


品　番

MCL-HE-679G

タイプ名

（S）

■一般特性 ●多層用銅張積層板（t0.8mm）

試験項目

X

Y

Z

18μm

35μm

1GHz＊2

1GHz＊3

1GHz＊2

1GHz＊3

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

処理条件＊4 実測値

MCL-HE-679G（S）タイプA

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100

180～190

260～280

12～15

14～17

30～40

190～230

300以上

60以上

60以上

370～390

0.5～0.7

0.6～0.8

23～26

3.70～3.90

3.90～4.10

0.0060～0.0080

0.0050～0.0070

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

単　位


熱膨張係数＊1





銅箔引きはがし強さ（RT）


比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗


2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

2.5.17

ー

ー

TMA法

DMA法

（30～120℃）（30～120℃）



00

●プリプレグ

0.040.060.060.060.080.080.10.1

72±264±269±264±256±262±254±260±2

（S1037N72）（S1080N64）（S1080N69）（S1078N64）（S3313N56）（S3313N62）（S2116N54）（S2116N60）

0.0530.0800.0950.0780.1050.1260.1280.152

タイプ名

10371080108010783313331321162116

IPCスタイル

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）



0.000

0.005

0.010

0.015

0.020

0.025

0.030

0 54321

誘電正接

周波数（GHz）

MCL-HE-679G

MCL-HE-679G（S）タイプ

品　番

GHA-679G

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0 54321

比誘電率


周波数（GHz）

MCL-HE-679G


一般FR-4一般FR-4

-100

-60

-80

-40

-20

0

0 2015105

（dB/m）

●伝送損失

周波数（GHz）


MCL-HE-679G

伝送損失



0034

●プリプレグ

0.040.060.060.060.080.080.10.1

72±264±269±264±256±262±254±260±2

（S1037N72）（S1080N64）（S1080N69）（S1078N64）（S3313N56）（S3313N62）（S2116N54）（S2116N60）

0.0530.0800.0950.0780.1050.1260.1280.152

タイプ名

10371080108010783313331321162116

IPCスタイル

樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）



0.000

0.005

0.010

0.015

0.020

0.025

0.030

0 54321

誘電正接

周波数（GHz）

MCL-HE-679G


品　番

GHA-679G

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0 54321

比誘電率


周波数（GHz）

MCL-HE-679G



-100

-60

-80

-40

-20

0

0 2015105

（dB/m）

●伝送損失

周波数（GHz）


MCL-HE-679G

伝送損失



00 35

MEMO

ポリイミド多層材料MCL-I-671

ポリイミド多層材料

P38

36

ポリイミド多層材料MCL-I-671


P38

37

●高Tg(200℃以上：TMA法)でスルーホール信頼性が高い材料です。

●低温硬化タイプのため、FR-4と同一条件（175℃、90分）での多層化成形が可能です。

●一般的なポリイミド樹脂硬化剤MDA（メチレンジアニリン）を使用していません。（Non-MDA Resin System）

●プリプレグは樹脂流れ制御技術により、ハイフローからノーフローまで対応可能です。

●大型コンピューター、スーパーコンピューター●半導体検査装置、バーンインボード●フレックスリジッドPWB（ノーフロープリプレグ）


MCL-I-671 GIA-671N〈プリプレグ〉

ガラス布基材変性ポリイミド樹脂多層材料（GPY）

■特長

■一般仕様

■用途

＊1）昇温速度：10℃/min　＊2）トリプレートストリップライン共振器法によります｡　＊3）最終ページの「処理条件の読み方」参照※上記値は実測値であり、保証値ではありません。

標準銅箔厚さ


呼び名（呼称）0.060.10.20.30.40.81.01.21.6

基材厚0.06mm0.10mm0.20mm0.30mm0.40mm0.80mm1.00mm1.20mm1.60mm

注1）厚さは絶縁層の厚さを示します。厚さ0.8mm以上は全体厚さ（銅箔厚さを含む）を示します。

品　番

MCL-I-671

タイプ名

■一般特性（t0.8mm）

試験項目

X

Y

Z

20℃

180℃

1MHz

1GHz＊2

1MHz

1GHz＊2

℃

ppm/℃

秒

分

℃

kN/m

GPa

－

－

Ω･cm

Ω

Ω

実測値

MCL-I-671

200～213

230～245

12～15

12～16

50～80

200～300

300以上

60以上

15以上

330～350

1.3～1.5

1.0～1.2

24～26

4.2～4.4

4.1～4.3

0.0110～0.0130

0.0130～0.0150

1×1014～1×1016

1×1013～1×1015

1×1014～1×1016

1×1012～1×1014

処理条件＊3

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

A

C-96/40/90

C-96/40/90

A

D-2/100


熱膨張係数＊1







比誘電率

誘電正接

体積抵抗率

表面抵抗

絶縁抵抗

（18μm）

単　位参考規格

（IPC-TM-650）

2.4.24

ー

ー

2.4.24

ー

2.4.24.1

2.3.40

2.4.8

2.4.4

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.5.9

JPCA TM-001

2.5.17

ー

TMA法

DMA法

（30～120℃）（30～120℃）

（＜Tg）

（＞Tg）

38

0

10

20

30

40

50

60

70

0 50 100 150 200 250

温度（℃）

0.0

0.5

1.0

0 2 4 6 8

処理時間（hr）

100

60

80

20

40

00 1000 2000 3000 4000

0

100

200

300

400

500

600

700

1 10 100 1000 10000

バーコール硬度

吸水率

（％）

●バーコール硬度 ●吸水率PCT処理条件：121℃ 0.22MPa

不良発生率

（％）

●熱衝撃試験MIL-STD-202 Method 107E ●曲げ強度

サイクル数

曲げ強度

（MPa）

処理時間（hr）

（t0.8mm）

●プリプレグ

0.030.050.10.030.050.05

72±365±354±368±359±374±3

（T）

（N）

（F）

0.0590.0870.1340.0470.0720.111

タイプ名用　途樹脂分（％）

成形厚さ＊1

（mm）


＊1）成形厚さは、樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。

1061080211610610801080

IPCスタイル

一般多層PWB

フレックスリジッドPWB

金属コア充填用


品　番

GIA-671N

210℃

225℃

255℃

MCL-I-671MCL-I-671

MCL-I-671

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0 54321

比誘電率

●比誘電率の周波数依存性 ●誘電正接の周波数依存性

周波数（GHz）

0.000

0.005

0.010

0.015

0.020

0.025

0.030

0 54321

誘電正接

周波数（GHz）

MCL-I-671 MCL-I-671


一般FR-4

一般FR-4

一般FR-4

（t0.8mm）（t0.8mm）

参考規格（IPC-TM-650） 2.3.16 ーー

39

MEMO

40

微細配線形成用銅箔PF-EL


P42

41

■微細配線形成プロセス

0.0

0.4

0.6

0.2

0.8

1.0

1.2めっき銅引きはがし強さ

■めっき銅引きはがし強さ

微粗化銅箔

（kN/m）

Ra:0.2～0.3μm

Ra:0.3～0.5μm

※MCL-E-770G タイプ（R）使用、銅めっき厚み20μm

0.0

0.4

0.6

0.2

0.8

1.0

1.2


■銅箔引きはがし強さ

一般箔微粗化銅箔 PF-EL箔 PF-EL箔PF-EL SP箔 PF-EL SP箔

（kN/m）

Ra:0.3～0.5μm

Ra:0.2～0.3μmRa:1.0～3.0μm

※MCL-E-770G タイプ（R）使用、銅箔1.5μm+銅めっき厚み20μm

Ra:0.3～0.5μm

Ra:0.3～0.5μm

PF-ELBuild-up materials

PF-ELPrepreg

Core

Roughness formed byreplica of copper profile.

Stable surface shape

Roughness formed bydesmear.

Press

Build-up materials

Core

Laminate

Desmear

SAP SAP

Via-hole formation & DesmearVia-hole formation

Copper foil Etching

微細配線形成用銅箔

PF-EL

●PF-ELは銅箔粗化形状を利用したセミアディティブ工法（SAP）による、微細配線形成に適した銅箔です。（L/S=5/5μmを実現します。）

●PF-ELはめっき銅との高い密着性が得られます。●プリプレグとともに使用可能であるため、剛性の高い微細配線基板を得ることが　　

できます。

●半導体パッケージ基板●高密度多層配線板

■特長 ■用途

■一般仕様銅箔厚さ(μm) 接着面粗さ(μm)特殊処理層(μm) 構成

12

3

2

1.5

1.5

4

2 , 4

2 , 4

2

2

PF-EL-12

PF-EL-3

PF-EL-2

PF-EL-1.5

PF-EL-1.5SP

品番主な対応プロセス

SAP＊1

SAP＊1

MSAP＊2

Ra : 0.3～0.4Rz : 1.5～2.5

Ra : 0.3～0.5Rz : 1.5～2.5

Ra : 0.3～0.5Rz : 1.5～2.5

Ra : 0.3～0.5Rz : 1.5～2.5

Ra : 0.2～0.3Rz : 1.0～2.0

PF-EL SPPF-EL

※1）特殊処理層の銅箔粗化形状を利用したSAP。※2）極薄銅箔を給電層（シード層）とするSAP。（MSAP：Modified Semi-Additive Process）

特殊処理層

■表面形状

微粗化銅箔

設計仕様L/S=7/7μm　PF-EL SP使用

（露光機　LDⅠ）

設計仕様L/S=10/10μm　PF-EL使用

（露光機　LDⅠ）

■微細配線形成性（SAP）

設計仕様L/S=5/5μm　PF-EL SP使用

（露光機　Stepper）

20μm 20μm

Ra: 0.3～0.5 Ra: 0.2～0.3

42

■微細配線形成プロセス

0.0

0.4

0.6

0.2

0.8

1.0

1.2めっき銅引きはがし強さ

■めっき銅引きはがし強さ

微粗化銅箔

（kN/m）

Ra:0.2～0.3μm

Ra:0.3～0.5μm

※MCL-E-770G タイプ（R）使用、銅めっき厚み20μm

0.0

0.4

0.6

0.2

0.8

1.0

1.2


■銅箔引きはがし強さ

一般箔微粗化銅箔 PF-EL箔 PF-EL箔PF-EL SP箔 PF-EL SP箔

（kN/m）

Ra:0.3～0.5μm

Ra:0.2～0.3μmRa:1.0～3.0μm

※MCL-E-770G タイプ（R）使用、銅箔1.5μm+銅めっき厚み20μm

Ra:0.3～0.5μm

Ra:0.3～0.5μm

PF-ELBuild-up materials

PF-ELPrepreg

Core

Roughness formed byreplica of copper profile.

Stable surface shape

Roughness formed bydesmear.

Press

Build-up materials

Core

Laminate

Desmear

SAP SAP

Via-hole formation & DesmearVia-hole formation

Copper foil Etching

43

MEMO

低弾性接着フィルムAS-2600

エポキシ接着フィルム

P46

44

低弾性接着フィルムAS-2600

エポキシ接着フィルム

P46

45

低弾性接着フィルム

AS-2600エポキシ接着フィルム

■一般仕様標準絶縁層厚さ

25μm, 50μm, 75μm標準キャリアフィルム75μm（材質PET）

品　番AS-2600

タイプ名

試験項目処理条件＊2

MPa℃

ppm/℃

kN/mkV

Ω・cm

1000～120050～70, 190～210

110～130140～1601.8～2.07.0～9.0

1×1013～1×1015

＊1）銅箔：35μm　＊2）最終ページの「処理条件の読み方」参照

貯蔵弾性率（DMA法：25℃）ガラス転移温度 Tg （DMA法）熱膨張係数

銅箔引きはがし強さ＊1

絶縁破壊電圧（75μm）体積抵抗率

AA

A

AAA

■一般特性●Ｃステージ特性

単　位実測値


試験項目揮発分

処理条件170℃　15分重量法

単　位wt%

実測値3以下

参考規格ー

●Ｂステージ特性

●接着特性に優れています。　●低弾性です。 ●電気・電子用　●セラミック発振子　●電気式高精度位置検出素子■特長 ■用途

AS-2600ーー

2.4.24

2.4.82.5.6.32.5.17


※上記結果は実測値であり、保証値ではありません。

46

低弾性接着フィルム

AS-2600エポキシ接着フィルム

■一般仕様標準絶縁層厚さ

25μm, 50μm, 75μm標準キャリアフィルム75μm（材質PET）

品　番AS-2600

タイプ名

試験項目処理条件＊2

MPa℃

ppm/℃

kN/mkV

Ω・cm

1000～120050～70, 190～210

110～130140～1601.8～2.07.0～9.0

1×1013～1×1015

＊1）銅箔：35μm　＊2）最終ページの「処理条件の読み方」参照

貯蔵弾性率（DMA法：25℃）ガラス転移温度 Tg （DMA法）熱膨張係数

銅箔引きはがし強さ＊1

絶縁破壊電圧（75μm）体積抵抗率

AA

A

AAA

■一般特性●Ｃステージ特性

単　位実測値


試験項目揮発分

処理条件170℃　15分重量法

単　位wt%

実測値3以下

参考規格ー

●Ｂステージ特性

●接着特性に優れています。　●低弾性です。 ●電気・電子用　●セラミック発振子　●電気式高精度位置検出素子■特長 ■用途

AS-2600ーー

2.4.24

2.4.82.5.6.32.5.17


※上記結果は実測値であり、保証値ではありません。

使用上の注意

加工上の注意

プリント配線板設計上の注意

完成したプリント配線板の使用上の注意

多層化接着における注意事項と推奨条件

取り扱い上の注意

P48

P49

P50

P51

P52

47

●取り扱いについて製品端面等より欠け落ちる樹脂、基材（ガラス）の粉塵が接触、吸入しないよう次の処置を取ってください。

①作業台上には粉塵を十分吸引できる局所排気装置を設置してください。②手、口、鼻、目に直接粉塵が接触しないよう、保護具を着用してください。③発汗による付着予防のため、室内温度を管理してください。

万一、樹脂、基材（ガラス）の粉塵に接触、吸入した場合は、次の処置を取ってください。①目に入った場合　　：きれいな流水で洗浄してください。②皮膚に付着した場合：石鹸水で洗い流してください。③吸入した場合　　　：口内にある場合はうがいをし、鼻孔中にある場合は紙縒り等で取り除いてください。④飲み込んだ場合　　：吐き出し、さらにうがいをしてください。

また加熱工程ではガスが発生しますので、必ず局所排気装置付きの設備をご使用ください。

●保管について保管の状態により、その特性に変化を起こすことがありますので、次の点についてご注意ください。

①直射日光にさらさないでください。変色することがあります。②湿った空気が滞留しないよう換気扇、空調機等を使用し、保管庫内の空気循環をよくしてください。③そり、ねじれを防止するために水平に保管し、床面からのパレット積みは避けてください。　また壁面は水滴発生の可能性がありますので、製品の濡れを防止するためにも壁面から離してください。④すり傷を防ぐために乾いた紙やポリエチレンフィルムをはさむようにしてください。⑤製品表面への結露防止のため、急激な温度変化が起きないようにしてください。⑥低温保管が必要なプリプレグ,フィルムは使用前に梱包した状態のまま「常温戻し」の時間を取り、表面に結露がないことを　ご確認の上、ご使用ください。（たとえば5℃から22℃に戻すには、約12時間必要です）

●保管条件について保管にあたっては、次の温湿度条件、期間、注意事項を守ってください。

使用上の注意

区分品番温度湿度可使期間注意事項

25℃以下

20±5℃

50±15％RH

50±10％RH

5±4℃ 50±10％RH

納入後6ヶ月以内

弊社出荷後3ヶ月以内



梱包した状態で保管多層材

MCL（コア材）

プリプレグ

接着フィルム 10±5℃AS-2600

TD-002

GEA-679FGGEA-700G 　GEA-705GGEA-770G　GEA-775GGH-100　

・ GEA-75G・ GEA-78G ・ GIA-671N・ GHA-679G・ GWA-900G・ GWA-910G

MCL-E-679FG MCL-E-679FGB MCL-E-700GMCL-E-705GMCL-E-770GMCL-HS100MCL-E-75G

・ MCL-E-78G・ MCL-I-671・ MCL-HE-679G・ MCL-LW-900G・ MCL-LW-910G

●エッチングについて「MCL」のエッチングは一般に塩化第二銅、塩化第二鉄、過硫酸アンモニウム等によって行われますが、エッチング終了後はきれいな流水で十分洗浄してください。流水洗浄が不十分な場合には残留イオン（銅イオン、鉄イオンほか）により電気特性の低下、銅箔接着力の低下、基板の変色などをまねくおそれがあります。

●エッチングレジスト除去について基板の変色や特性変化を防ぐため、エッチングレジストを除去するには通常アルカリ溶液、有機溶剤が用いられますが、なるべく短時間で処理し、十分に流水洗浄および乾燥してください。

●打抜加工について　「MCL」の打抜加工には次の3原則が必要です。

①最小穴径は板厚の1／2以上であること。②穴と穴との最小距離は板厚の2／3以上であること。③穴とそれに最も近い板端部との最小距離は板厚の2倍以上であること。

●ドリル穴あけ加工について穴あけする「MCL」の重ね合計厚さ(t)とドリル刃の有効刃長( )に注意してください。　は t より1.5mm以上長いものをご使用ください。ドリル刃の形状は、スペードタイプが適しています。なお、穴内品質はドリル刃、ドリルマシン、ドリル条件によって異なりますので、条件設定あるいは条件変更の際は十分な検討を行ってください。

●めっきについて「MCL」にめっきを施す場合にはめっき液の組成、温度、時間を十分管理し、めっき槽より「MCL」を取り出したらただちに流水で十分に洗浄し、乾燥を十分行ってください。

●UVインクご使用について「MCL」の表面状態がUVインクの密着性、ぬれ性に影響しますので次の点に注意してください。

①表面研摩を十分行ってください。②研摩後は十分に流水洗浄を行ってください。③長期保存はしないでください。④長期保存品は再度研摩、水洗乾燥し使用してください。

●加熱について「MCL」の局部的な加熱を避け、できるだけ均一な加熱方式にしてください。ガラス転移温度(Tg)以上の温度での加熱の際は、水平ラックを使用することによりそり、ねじれを低減することができます。また、高温で加熱する場合は、基板が変色することがありますので事前に最適時間を検討してください。

加工上の注意

打抜加工の３原則

最小距離は2／3t以上

穴と端部の最小距離は2t以上

最小穴径は1／2t以上

t

48

●取り扱いについて製品端面等より欠け落ちる樹脂、基材（ガラス）の粉塵が接触、吸入しないよう次の処置を取ってください。

①作業台上には粉塵を十分吸引できる局所排気装置を設置してください。②手、口、鼻、目に直接粉塵が接触しないよう、保護具を着用してください。③発汗による付着予防のため、室内温度を管理してください。

万一、樹脂、基材（ガラス）の粉塵に接触、吸入した場合は、次の処置を取ってください。①目に入った場合　　：きれいな流水で洗浄してください。②皮膚に付着した場合：石鹸水で洗い流してください。③吸入した場合　　　：口内にある場合はうがいをし、鼻孔中にある場合は紙縒り等で取り除いてください。④飲み込んだ場合　　：吐き出し、さらにうがいをしてください。

また加熱工程ではガスが発生しますので、必ず局所排気装置付きの設備をご使用ください。

●保管について保管の状態により、その特性に変化を起こすことがありますので、次の点についてご注意ください。

①直射日光にさらさないでください。変色することがあります。②湿った空気が滞留しないよう換気扇、空調機等を使用し、保管庫内の空気循環をよくしてください。③そり、ねじれを防止するために水平に保管し、床面からのパレット積みは避けてください。　また壁面は水滴発生の可能性がありますので、製品の濡れを防止するためにも壁面から離してください。④すり傷を防ぐために乾いた紙やポリエチレンフィルムをはさむようにしてください。⑤製品表面への結露防止のため、急激な温度変化が起きないようにしてください。⑥低温保管が必要なプリプレグ,フィルムは使用前に梱包した状態のまま「常温戻し」の時間を取り、表面に結露がないことを　ご確認の上、ご使用ください。（たとえば5℃から22℃に戻すには、約12時間必要です）

●保管条件について保管にあたっては、次の温湿度条件、期間、注意事項を守ってください。

使用上の注意

区分品番温度湿度可使期間注意事項

25℃以下

20±5℃

50±15％RH

50±10％RH

5±4℃ 50±10％RH

納入後6ヶ月以内




梱包した状態で保管多層材

MCL（コア材）

プリプレグ

接着フィルム 10±5℃AS-2600

TD-002

GEA-679FGGEA-700G 　GEA-705GGEA-770G　GEA-775GGH-100　

・ GEA-75G・ GEA-78G ・ GIA-671N・ GHA-679G・ GWA-900G・ GWA-910G

MCL-E-679FG MCL-E-679FGB MCL-E-700GMCL-E-705GMCL-E-770GMCL-HS100MCL-E-75G

・ MCL-E-78G・ MCL-I-671・ MCL-HE-679G・ MCL-LW-900G・ MCL-LW-910G

●エッチングについて「MCL」のエッチングは一般に塩化第二銅、塩化第二鉄、過硫酸アンモニウム等によって行われますが、エッチング終了後はきれいな流水で十分洗浄してください。流水洗浄が不十分な場合には残留イオン（銅イオン、鉄イオンほか）により電気特性の低下、銅箔接着力の低下、基板の変色などをまねくおそれがあります。

●エッチングレジスト除去について基板の変色や特性変化を防ぐため、エッチングレジストを除去するには通常アルカリ溶液、有機溶剤が用いられますが、なるべく短時間で処理し、十分に流水洗浄および乾燥してください。

●打抜加工について　「MCL」の打抜加工には次の3原則が必要です。

①最小穴径は板厚の1／2以上であること。②穴と穴との最小距離は板厚の2／3以上であること。③穴とそれに最も近い板端部との最小距離は板厚の2倍以上であること。

●ドリル穴あけ加工について穴あけする「MCL」の重ね合計厚さ(t)とドリル刃の有効刃長( )に注意してください。　は t より1.5mm以上長いものをご使用ください。ドリル刃の形状は、スペードタイプが適しています。なお、穴内品質はドリル刃、ドリルマシン、ドリル条件によって異なりますので、条件設定あるいは条件変更の際は十分な検討を行ってください。

●めっきについて「MCL」にめっきを施す場合にはめっき液の組成、温度、時間を十分管理し、めっき槽より「MCL」を取り出したらただちに流水で十分に洗浄し、乾燥を十分行ってください。

●UVインクご使用について「MCL」の表面状態がUVインクの密着性、ぬれ性に影響しますので次の点に注意してください。

①表面研摩を十分行ってください。②研摩後は十分に流水洗浄を行ってください。③長期保存はしないでください。④長期保存品は再度研摩、水洗乾燥し使用してください。

●加熱について「MCL」の局部的な加熱を避け、できるだけ均一な加熱方式にしてください。ガラス転移温度(Tg)以上の温度での加熱の際は、水平ラックを使用することによりそり、ねじれを低減することができます。また、高温で加熱する場合は、基板が変色することがありますので事前に最適時間を検討してください。

加工上の注意

打抜加工の３原則

最小距離は2／3t以上

穴と端部の最小距離は2t以上

最小穴径は1／2t以上

t

49

●配線について「MCL」を使って配線を設計する場合には、通電時の銅箔の温度上昇、許容電流などが問題となりますが、これらについては下図をご参照ください。

また導体沿面距離と電圧の関係については、下表のIPC-2221の設計基準をご参照ください。

●「MCL」の方向性について「MCL」には方向性（たて、よこ）があります。パターン設計、板取りの際ご留意ください。


導体間電圧(AC,DC)〔ピークV〕

0～30

31～150

151～300

301～500

500をこえるもの

最小沿面距離（mm）

0.1

0.6

1.25

2.5

0.005/V


0～ 30

31～100

101～300

301～500



0.05

0.13

0.4

0.8

0.00305/V

コーティングなし（海抜3,050m以下で使用する場合）コーティングあり（気圧に関係なし）

銅箔ラインの電流と上昇温度の関係（銅箔厚さ 35μm）

1mm幅0.5mm幅

2mm幅 3mm幅

4mm幅

10 1551

50

0

100

150

電流（A）

温度上昇

（℃）

W=2

W：導体幅（mm）

W=1

配線長さ（mm）20 40 60 80 100 160

0

20

40

60

80

100

配線長さと抵抗の関係（銅箔35μm）

直流抵抗

（mΩ）



0～30

31～150

151～300

301～500



0.1

0.6

1.25

2.5

0.005/V


0～ 30

31～100

101～300

301～500



0.05

0.13

0.4

0.8

0.00305/V

コーティングなし（海抜3,050m以下で使用する場合）コーティングあり（気圧に関係なし）

銅箔ラインの電流と上昇温度の関係（銅箔厚さ 35μm）

1mm幅0.5mm幅

2mm幅 3mm幅

4mm幅

10 1551

50

0

100

150

電流（A）

温度上昇

（℃）

W=2

W：導体幅（mm）

W=1

配線長さ（mm）20 40 60 80 100 160

0

20

40

60

80

100

配線長さと抵抗の関係（銅箔35μm）

直流抵抗

（mΩ）

製造工程：基材の方向性

ガラスクロス進行方向＝ X（縦）方向

プリプレグガラスクロス

巻き出し側積載側

巻き出し側

積載側

X方向 Y方向

クロス進行方向

上部から見た時の拡大図

ワニス塗工

50

●保管についてプリント配線板は自然環境下では吸湿しますので、次の点にご注意いただき保管してください。

①ご使用になるまで防湿梱包（ポリエチレン袋＋シリカゲル）で保管してください。②温湿度の管理された空調室（25℃以下、60％RH以下）で保管してください。③部品搭載前に空調されていない場所（湿度60％RH以上）に放置しないでください。④分割使用となる場合は、使用しない基板が吸湿しないよう納入状態と同じ防湿梱包をしてください。⑤防湿梱包（ポリエチレン袋＋シリカゲル）であっても多湿期の自然環境下では、徐々に吸湿する場合もありますので、保管　期間が3ヶ月を超える場合はご注意ください。

●乾燥処理について保管条件が適切でなかった場合、あるいは保管期間が3ヶ月を越えた場合など、基板に吸湿の可能性がある場合は、ご使用前に乾燥処理を行ってください。

①乾燥処理の目安は次の通りです。＊積み重ねて乾燥させる場合は、全体の温度が上がるまでに時間がかかります

ので、左記よりも約20％時間を延長してください。

②乾燥処理の際は、基板を水平に保持させてください。③乾燥温度が高すぎると、銅箔が酸化したり基板が変色する場合があります。④部品が搭載されている基板の場合、部品の耐熱性を考慮した温度で乾燥してください。　表面保護コートを施した状態でも同様です。⑤乾燥処理後はできるだけ早く部品実装を行ってください。作業待ちで停滞する場合、防湿梱包をしてください。

●加熱について　①加熱処理の際、基板に無理な力が加わると、そり、ねじれ、ミーズリングの原因になりますのでご注意ください。　②ヒューシング処理などの高温熱処理の際、急激に加熱・冷却すると層間クラックや基板のふくれなどの原因になります。　　なるべく段階的に行ってください。また、信頼性向上のため、熱処理前の脱湿乾燥は、ぜひ行ってください。　③はんだの温度が高すぎると、耐熱時間が低下し、回路や基板のふくれの原因となります。適正な温度を保つよう、　　十分管理してください。

●はんだ付けについて「MCL」のはんだ耐熱性は、はんだ槽の温度によって著しく変化しますので、L形温度計を使用し、はんだ槽の温度を十分管理してください。はんだコテで作業する場合には、同一ワット数のはんだコテでもメーカーや構造によってコテ先温度が異なります。あらかじめ表面温度計などで温度を測定して300℃以下で作業することをおすすめします。またはんだコテで部品をはんだ付け中、あるいはその直後は、基板が熱のために柔らかくなっていますので極力はんだ付け箇所を動かさぬようにご注意ください。吸湿したプリント板はミーズリングやふくれなどの外観不具合が起きやすいため、はんだ付け作業前にプリント配線板を乾燥（130℃で1～2時間）する必要があります。

完成したプリント配線板の使用上の注意

乾燥温度（℃）

80

100

130

24

12

2

乾燥時間（hr）

51

①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～150℃）で2.5～3.5℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を195～205℃以上で80分以上としてください。

②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで2.5～3.5MPaが一般的です）

⑤製品圧力は初期に低圧保持（0.5MPa)し、製品温度が100℃になるまでに加圧を完了してください。⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦内層基板のアウトガスの発生等により、プリプレグの硬化性等が影響を受ける可能性がありますので、内層基板には同基材のMCL-HS100をご使用ください。

⑧ダミー板,ダミープリプレグご使用の場合、FR-4等は分解する可能性がありますので、同基材のMCL-HS100、GH-100をご使用ください。

■多層化接着における注意事項

■推奨条件

※各ポイントの温度、圧力、時間は参考に示しましたが、使用する冶具の厚み、クッション枚数、積層枚数等により異なります。

GH-100

真空度:4.0kPa（30torr）以下

00 0

2

6

8

10

4

50

200

150

100

30 60 90 120 150 180 210 240

温度

（℃）

時間（分）

製品圧力

（MPa）

設定温度：205～215℃熱盤温度

加熱保持時間製品温度で195～205℃80分以上

製品温度

製品圧力:2.5～3.5MPa

昇温速度：製品温度で2.5～3.5℃／分（80～150℃）

製品温度100℃以下で昇圧を完了

0.5～1.0MPa

多層化接着における注意事項と推奨条件

52

GEA-775G

①製品での昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融粘度（80～150℃）で3.0～4.0℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を230℃以上で100分としてください。

②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで

2.5～3.5MPaが一般的です）⑤製品圧力は初期に低圧保持し、樹脂が柔らかくなる製品温度110～130℃で加圧してください。⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦内層基盤のアウトガスの発生等により、プリプレグの硬化性等が影響を受ける可能性がありますので、内層基板にはMCL-E-705G、

またはMCL-E-770Gをご使用ください。⑧ダミー板、ダミープリプレグご使用の場合、FR-4等は分解する可能性がありますので、MCL-E-705G、GEA-705G、MCL-E-770G、

GEA-770Gをご使用ください。


■推奨条件

250

200

150

100

50

0 20 40 60 80 120100 140 160 2001800

4

2

6

8

10

製品温度が100℃になってから加圧開始

加熱保持時間230℃で100分以上

時間（分）

真空度：4.0kPa（30torr）以下

熱盤温度

0.5～1.0MPa

製品温度


製品圧力

（MPa）

温度

（℃）

15分

0.5～1.0MPa

製品昇温速度3.0～4.0℃／分

（80～150℃）

製品圧力 : 2.5～3.5MPa

53

GEA-770G

①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～150℃）で3.0～4.0℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を230℃以上で100分以上としてください。


⑤製品圧力は初期に低圧保持し、樹脂が柔らかくなる製品温度110～130℃で加圧してください。⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦内層基板のアウトガスの発生等により、プリプレグの硬化性等が影響を受ける可能性がありますので、内層基板には同基材のMCL-E-770Gをご使用ください。

⑧ダミー板,ダミープリプレグご使用の場合、FR-4等は分解する可能性がありますので、同基材のMCL-E-770G、GEA-770Gをご使用ください。


■推奨条件

250

200

150

100

50

00 30 60 90 120 150 210180

0

4

2

6

8

10

製品温度が110-130℃になってから加圧開始

加熱保持時間:製品温度230℃で100分以上

時間（分）


熱盤温度


0.5～1.0MPa0.5～1.0MPa

製品圧力

（MPa）

温度

（℃）

5分

10～15分

製品温度

製品昇温温度3.0～4.0℃／分

（80～150℃）

120分


54



⑤製品圧力は初期に低圧保持し、樹脂が柔らかくなる製品温度110～130℃で加圧してください。⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦内層基板のアウトガスの発生等により、プリプレグの硬化性等が影響を受ける可能性がありますので、内層基板には同基材のMCL-E-705Gをご使用ください。

⑧ダミー板,ダミープリプレグご使用の場合、FR-4等は分解する可能性がありますので、同基材のMCL-E-705G、GEA-705Gをご使用ください。


■推奨条件

250

200

150

100

50

00 30 60 12090 150 210180

0

4

2

6

8

10

製品温度が110～130℃になってから加圧開始

加熱保持時間：製品温度230℃で100分以上

時間（分）


熱盤温度


0.5～1.0MPa0.5～1.0MPa

5分

10～15分製品温度


（80～130℃）

120分


製品圧力

（MPa）

温度

（℃）

GEA-705G

55



⑤製品圧力は初期に低圧保持し、樹脂が柔らかくなる製品温度110～130℃で加圧してください。⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦内層基板のアウトガスの発生等により、プリプレグの硬化性等が影響を受ける可能性がありますので、内層基板には同基材のMCL-E-700G（Ｒ）タイプをご使用ください。

⑧ダミー板,ダミープリプレグご使用の場合、FR-4等は分解する可能性がありますので、同基材のMCL-E-700G（Ｒ）タイプ,GEA-700Gをご使用ください。


GEA-700G

■推奨条件

時間（分）

250

200

150

100

50

0


0 30 60 90 120 150 1800

4

2

6

8

10


（80～150℃）

熱盤温度


0.5～1.0MPa0.5～1.0MPa

5分

15分

100分

加熱保持時間：製品温度220℃で80分以上

製品温度が110～130℃で加圧開始

製品温度



②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④真空脱気時間は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。

⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで2.0～3.0MPaが一般的です）

⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦製品圧力は構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、樹脂が柔らかくなるまで（90～110℃）、低圧保持（0.5MPa）を実施してください。


時間（分）

200

150

100

50

0

温度

（℃）

真空度：4.0kPa（30torr）以下設定温度：185～190℃

熱盤温度製品温度

製品圧力：2.0～3.0MPa

0 30 60 90 120 1500

2

4

6

8

10


（80～130℃）

加圧タイミング90～110℃

加熱保持時間製品温度170℃以上で40分以上

■推奨条件


GEA-679FG

製品圧力

（MPa）

56


②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④真空脱気時間は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。


⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦製品圧力は構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、樹脂が柔らかくなるまで（90～110℃）、低圧保持（0.5MPa）を実施してください。


時間（分）

200

150

100

50

0

温度

（℃）

真空度：4.0kPa（30torr）以下設定温度：185～190℃

熱盤温度製品温度


0 30 60 90 120 1500

2

4

6

8

10


（80～130℃）

加圧タイミング90～110℃


■推奨条件


GEA-679FG

製品圧力

（MPa）

57


②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用するクッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④真空脱気時間は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとして下さい。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。


⑥内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑦製品圧力は積層開始から成形圧をかける直圧でも問題ありませんが、構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、樹脂が柔らかくなるまで（70～90℃）初期に低圧保持（0.5MPa程度）する方法を推奨いたします。⑧ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定して下さい。推奨加圧タイミングは製品温度で70～90℃です。


■推奨条件


GEA-78G


温度

（℃）

時間（分）

製品圧力

（MPa）

00 0

2

4

8

6

10

50

100

150

200

30 60 90 120 150 180


（80～130℃）

製品温度

熱盤温度

製品圧力:3.0～4.0MPa


ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定して下さい。推奨加圧タイミングは製品温度で70～90℃です。

加圧タイミング:70～90℃

①製品の昇温速度は，プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～130℃）で2.0～3.0℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を175℃以上で60分以上としてください。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用するクッションにより異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa(30torr)以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱・加圧前に実施してください。④真空脱気時間は、成形終了までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ)が残ることもあります。⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで2.5～3.0MPaが一般的です。）⑥製品圧力は積層開始から成形圧をかける直圧でも問題ありませんが、構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、初期に低圧保持（0.5MPa程度）する方法を推奨いたします。⑦ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で50～90℃です。


TD-002

■推奨条件

※各ポイントの時間は参考に示しましたが、使用する冶具の厚み、クッション枚数、積層枚数等により異なります。

時間（分）

200

150

100

50

0

温度（℃）


熱盤温度

製品温度

0 30 60 90 120 150 1800

2

4

6

8

10


（80～130℃）


製品圧力

（MPa）


ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で50～90℃です。

58

①製品の昇温速度は，プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～130℃）で2.0～3.0℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を175℃以上で60分以上としてください。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用するクッションにより異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.0kPa(30torr)以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱・加圧前に実施してください。④真空脱気時間は、成形終了までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ)が残ることもあります。⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで2.5～3.0MPaが一般的です。）⑥製品圧力は積層開始から成形圧をかける直圧でも問題ありませんが、構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、初期に低圧保持（0.5MPa程度）する方法を推奨いたします。

⑦ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で50～90℃です。


TD-002

■推奨条件

※各ポイントの時間は参考に示しましたが、使用する冶具の厚み、クッション枚数、積層枚数等により異なります。

時間（分）

200

150

100

50

0

温度（℃）


熱盤温度

製品温度

0 30 60 90 120 150 1800

2

4

6

8

10


（80～130℃）


製品圧力

（MPa）


ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で50～90℃です。

59

①昇温速度は，製品温度80～130℃の間において、1.5～3.0℃/分になるように設定して下さい。②製品温度170℃以上での保持時間は、40分以上です。ただし、特に高Tg、スルーホール信頼性要求が厳しい高多層用途等においては、185℃40分以上の十分な硬化を推奨致します。③加熱・加圧前に真空度が30torr以下に到達するよう、真空引きを開始し、成型終了まで（製品温度で150℃以下）30torr以下を保持して下さい。④製品圧力は初期に低圧保持（0.5MPa）した後加圧し、2.5～3.0MPaで成型終了まで保持して下さい。⑤内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑥加圧開始タイミングは、以下の溶融粘度曲線を参考に、樹脂粘度が低下し最低溶融粘度に達する前（100-120℃付近）で加圧を開始して下さい。⑦ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で100～120℃です。

■推奨条件


GEA-75G

温度

（℃）


加熱タイミング：約120～130℃

昇温速度：1.5～3.0℃／分（80～130℃）

プログラム温度

製品圧力

（MPa）

00

50

100

150

200

30 60 90 1501200

2

4

6

8


時間（分）

製品温度

製品圧力一般：製品温度170℃以上、40分以上高多層等：製品温度185℃以上、40分以上

最高設定温度：190℃


ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で100～120℃です。

GWA-900G/GWA-910G

温度

（℃）

時間（分）

製品圧力

（MPa）

■推奨条件

※各ポイントの温度、圧力、時間を参考に示しましたが、使用する冶具の厚み、クッション枚数、積層枚数等により異なります。

00 0

2

6

8

10

12

4

50

100

150

250

200

30 60 90 120 150 180 210 240



昇温速度：製品温度で3.0～4.0℃／分（80～130℃）


製品圧力:3.0MPa


製品温度

　銅箔の種類によっては銅箔引きはがし強さが劣る場合があります。使用する外層銅箔は事前に誘電特性や銅箔引きはがし強さ等　十分な確認をお願い致します。（詳細については当社にご相談ください）

■使用銅箔における注意事項（銅箔積層時）

①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80℃～）で3.0～4.0℃/分としてください。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要

です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④真空脱気は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して

脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。

⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。　　　　　（真空プレスで2.5～4.0MPaが一般的です）

⑥製品圧力は初期に低圧保持（0.5MPa）し、製品温度が100℃になるまでに昇圧を完了してください。


60

①昇温速度は，製品温度80～130℃の間において、1.5～3.0℃/分になるように設定して下さい。②製品温度170℃以上での保持時間は、40分以上です。ただし、特に高Tg、スルーホール信頼性要求が厳しい高多層用途等においては、185℃40分以上の十分な硬化を推奨致します。③加熱・加圧前に真空度が30torr以下に到達するよう、真空引きを開始し、成型終了まで（製品温度で150℃以下）30torr以下を保持して下さい。④製品圧力は初期に低圧保持（0.5MPa）した後加圧し、2.5～3.0MPaで成型終了まで保持して下さい。⑤内層パターンや製品の厚みなどによって成形性が異なりますので、事前に十分ご確認ください。⑥加圧開始タイミングは、以下の溶融粘度曲線を参考に、樹脂粘度が低下し最低溶融粘度に達する前（100-120℃付近）で加圧を開始して下さい。⑦ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で100～120℃です。

■推奨条件


GEA-75G

温度

（℃）


加熱タイミング：約120～130℃

昇温速度：1.5～3.0℃／分（80～130℃）

プログラム温度

製品圧力

（MPa）

00

50

100

150

200

30 60 90 1501200

2

4

6

8


時間（分）

製品温度

製品圧力一般：製品温度170℃以上、40分以上高多層等：製品温度185℃以上、40分以上

最高設定温度：190℃


ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドプレスの場合よりも早め（破線）に設定してください。推奨加圧タイミングは製品温度で100～120℃です。

GWA-900G/GWA-910G

温度

（℃）

時間（分）

製品圧力

（MPa）

■推奨条件

※各ポイントの温度、圧力、時間を参考に示しましたが、使用する冶具の厚み、クッション枚数、積層枚数等により異なります。

00 0

2

6

8

10

12

4

50

100

150

250

200

30 60 90 120 150 180 210 240



昇温速度：製品温度で3.0～4.0℃／分（80～130℃）


製品圧力:3.0MPa


製品温度

　銅箔の種類によっては銅箔引きはがし強さが劣る場合があります。使用する外層銅箔は事前に誘電特性や銅箔引きはがし強さ等　十分な確認をお願い致します。（詳細については当社にご相談ください）

■使用銅箔における注意事項（銅箔積層時）

①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80℃～）で3.0～4.0℃/分としてください。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要

です。③真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。④真空脱気は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して

脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。

⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。　　　　　（真空プレスで2.5～4.0MPaが一般的です）

⑥製品圧力は初期に低圧保持（0.5MPa）し、製品温度が100℃になるまでに昇圧を完了してください。


61

①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～130℃）で3.5～4.5℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を210℃以上で60分以上として下さい。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.OkPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施して下さい。④真空脱気は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとして下さい。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。　　　　（真空プレスで2.5～3.5MPaが一般的です）⑥製品圧力は構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、樹脂が柔らかくなるまで（70～90℃）、低圧保持（0.5MPa）を実施して下さい。⑦ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定して下さい。推奨加圧タイミングは、製品温度で70～90℃です。


温度

（℃）

時間（分）

製品圧力

（MPa）

■推奨条件


GHA-679G（S）タイプ

00 0

6

2

4

50

100

150

200

250

30 60 90 120 150 180 210 240


熱盤温度

8

10

12


（80～130℃）

製品温度


設定温度：220～230℃

製品圧力:3MPa

ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定して下さい。推奨加圧タイミングは、製品温度で70～90℃です。


①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～130℃）で1.5～2.5℃/分とし、加熱保持時間は指定温度（製品温度を170℃または200℃）以上で40分以上としてください。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③Tg200℃以上が必要な多層板用途の場合、熱盤温度を210℃以上に設定してください。④真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。⑤真空脱気時間は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。⑥製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで2.5～3.0MPaが一般的です）⑦製品圧力は積層開始から成形圧をかける直圧でも問題ありませんが、構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、初期に低圧保持（0.5MPaで20～30分程度）する方法を推奨いたします。


●一般の多層板用途の場合

時間（分）

200

150

100

50

0

温度

（℃）

真空度:4.0kPa（30torr）以下設定温度：175～180℃

熱盤温度

0 30 60 90 120 1500

6

8

10

2

4

製品圧力

（MPa）

●Tg200℃以上が必要な多層板用途の場合

200

150

100

50

0

温度

（℃）


熱盤温度

0 30 60 90 120 150

時間（分）

0

6

8

10

2

4

製品圧力

（MPa）


（80～130℃）



（80～130℃）

■推奨条件



GIA-671N

製品温度

製品温度



62

①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～130℃）で3.5～4.5℃/分とし、加熱保持時間は製品温度を210℃以上で60分以上として下さい。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③真空度は4.OkPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施して下さい。④真空脱気は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとして下さい。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。⑤製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。　　　　（真空プレスで2.5～3.5MPaが一般的です）⑥製品圧力は構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、樹脂が柔らかくなるまで（70～90℃）、低圧保持（0.5MPa）を実施して下さい。⑦ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定して下さい。推奨加圧タイミングは、製品温度で70～90℃です。


温度

（℃）

時間（分）

製品圧力

（MPa）

■推奨条件


GHA-679G（S）タイプ

00 0

6

2

4

50

100

150

200

250

30 60 90 120 150 180 210 240


熱盤温度

8

10

12


（80～130℃）

製品温度


設定温度：220～230℃

製品圧力:3MPa

ホットスタートプレスの場合は、加圧タイミングをコールドスタートプレスの場合よりも早め（破線）に設定して下さい。推奨加圧タイミングは、製品温度で70～90℃です。


①製品の昇温速度は、プリプレグ樹脂の溶融温度領域（80～130℃）で1.5～2.5℃/分とし、加熱保持時間は指定温度（製品温度を170℃または200℃）以上で40分以上としてください。②熱盤の設定温度は、昇温速度や使用クッションによって異なるため、製品温度が上記①項を満足するように調整することが必要です。③Tg200℃以上が必要な多層板用途の場合、熱盤温度を210℃以上に設定してください。④真空度は4.0kPa（30torr）以下とし、真空脱気開始は、プレスの加熱、加圧前に実施してください。⑤真空脱気時間は、成形終了（樹脂流れが止まった時点）までとしてください。積層終了まで脱気すると、流出樹脂中に気泡が残留して脆くなるため、破片が解体後の製品間に挟まれて、打痕不良の原因となることがあります。また、製品端部に細かな気泡（かすれ）が残ることもあります。⑥製品圧力は成形性、層間厚、寸法変化率などに影響を及ぼすため、設定にあたっては事前に十分な検討が必要です。（真空プレスで2.5～3.0MPaが一般的です）⑦製品圧力は積層開始から成形圧をかける直圧でも問題ありませんが、構成材料にかかる圧力衝撃を緩和するため、初期に低圧保持（0.5MPaで20～30分程度）する方法を推奨いたします。


●一般の多層板用途の場合

時間（分）

200

150

100

50

0

温度

（℃）


熱盤温度

0 30 60 90 120 1500

6

8

10

2

4

製品圧力

（MPa）

●Tg200℃以上が必要な多層板用途の場合

200

150

100

50

0

温度

（℃）


熱盤温度

0 30 60 90 120 150

時間（分）

0

6

8

10

2

4

製品圧力

（MPa）


（80～130℃）



（80～130℃）

■推奨条件



GIA-671N

製品温度

製品温度



63

MEMO

UL規格

BS規格・CSA規格

電気用品安全法（CMJ登録制度）

認定状況について

P66

P68

P69

64

UL規格

BS規格・CSA規格


認定状況について

P66

P68

P69

65

UL（Underwriters Laboratories Inc.）は、民間の試験機関であり、アメリカで最も広く認められた機関です。ULは、1894年にシカゴにおいて設立され、アメリカのデラウェア州の法律に基づき、人体と財産に影響を与えるような危険に関連して、材料、器具、機器、設備、構造、手法、およびシステムの調査を行うための試験所を管理、運営する機関として許可を受け、プラスチック材料の登録制度を1967年に、世界で最初に開始した、アメリカの代表的な安全に関する試験機関です。UL認定状況の詳細については、ULホームページよりUL Product iQでご確認ください。

UL規格

品　　番最小板厚（mm）

UL 94FlameClass Elec

TI 指数（PLC）

Mech

TD-002

MCL-HS100

MCL-LW-910GMCL-LW-900G

MCL-E-770G

MCL-E-700G

MCL-I-671

MCL-E-78G

MCL-HE-679G

MCL-E-679FG

MCL-E-75G

MCL-E-679F

MCL-E-679

MCL-E-67

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0,VTM-0

V-0

V-0

V-0

50

160

160

170

180

170

130

130

130

130

130

130

130

50

140

140

140

180

180

140

140

140

140

140

140

140

HWI

0

0

0

0

3

0

0

0

0

0

0

0

0

HAI

1

1

1

0

0

0

0

0

2

1

1

2

2

HVTR

－

－

－

－

－

3

－

－

0

－

0

3

4

CTI

3

1

1

1

0

4

2

2

0

3

1

3

3

DSR

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

YES

ANSI

－

－

－

－

－

GPY

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.0

FR-4.0

FR-4.0

＊＊＊＊

●主な特性値　　　　File No. E80148

ホットワイヤー発火特性レベル分類レンジー平均発火時間（IT：秒）指数（PLC）

120 ≦ IT

60 ≦ IT ＜ 120

30 ≦ IT ＜ 60

15 ≦ IT ＜ 30

7 ≦ IT ＜ 15

0 ≦ IT ＜ 7

0

1

2

3

4

5

高電流アーク発火特性レベル分類レンジー平均発火アーク数（NA）指数（PLC）

120 ≦ NA

60 ≦ NA ＜ 120

30 ≦ NA ＜ 60

15 ≦ NA ＜ 30

0 ≦ NA ＜ 15

0

1

2

3

4

比較トラッキング指数特性レベル分類CTIレンジートラッキング指数（ボルト）指数（PLC）

600 ≦ TI

400 ≦ TI ＜ 600

250 ≦ TI ＜ 400

175 ≦ TI ＜ 250

100 ≦ TI ＜ 175

0 ≦ TI ＜ 100

0

1

2

3

4

5

高電圧アークトラッキング速度特性レベル分類レンジートラッキング速度（mm/min）指数（PLC）

0 ＜ TR ≦ 10

10 ＜ TR ≦ 25.4

25.4 ＜ TR ≦ 80

80 ＜ TR ≦ 150

150 ＜ TR

0

1

2

3

4

＊アンクラッドの特性値であり、板厚によって異なる場合があります。上記の特性（TI、HWI、HAI、HVTR）は代表する厚み（1.6mm、他）の値を示します。TI ：温度定格（℃）HWI ：ホットワイヤー発火（指数）HAI ：高電流アーク発火（指数）

HVTR ：高電圧アークトラッキング速度（指数）CTI ：比較トラッキング指数

0.04

0.05

0.05

0.02

0.02

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

認定条件は板厚によって異なる場合があります。＊1：230℃、40分＋250℃、40秒＋260℃、20秒＊2：230℃、60分＋260℃、2分＋260℃、20秒＊3：230℃、40分＋250℃、2分＋288℃、30秒

MCILとは・・・MCIL（Metal Clad Industrial Laminates：旧CCIL）プログラムは、プリント配線板条件でのUL認定を材料メーカが取得できる制度です。プリント配線板メーカが、この認定を取得している材料を用いてUL申請を行う場合、次の条件を満足していれば簡略化した内容でのUL認定取得が可能になります。

（1）プリント配線板メーカは、その製造工程等が既にUL認定を受けていること。（2）プリント配線板メーカは、申請する材料（MCIL認定品）と同一ANSIグレードの材料で既に認定取得していること。

更に、その条件が申請材料のMCIL認定範囲内で使用されること。

品　　番 ANSI 最小板厚（mm）

ULFlameClass 最小

導体厚さ（μm）ソルダーリミット

最大最大導体径（mm）

最高使用温度（℃）

MCL-I-671

MCL-E-78G

MCL-HE-679G

MCL-E-75G

MCL-E-679FG

MCL-E-679F

MCL-E-679

MCL-E-67

GPY

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.0

FR-4.0

FR-4.0

0.20

0.38

0.20

0.17

0.38

0.20

0.17

0.63

0.38

0.20

0.12

0.38

0.20

0.12

0.06（両面板）

0.38

0.12

0.20

0.12

0.20

0.09

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

5

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

5

5

3

5

5

14.3

5

5

5

5

温度（℃）

＊2

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊1

＊1

＊1

＊1

＊1

＊1

＊2

＊1

＊1

＊1

時間（秒）

105

70

35

35

70

35

35

105

70

35

35

70

70

35

105

70

35

105

105

105

70

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

130

130

130

120

130

130

120

130

130

130

120

130

125

110

110

130

110

130

130

130

125

●MCIL認定条件　　　　File No. E80148

66

認定条件は板厚によって異なる場合があります。＊1：230℃、40分＋250℃、40秒＋260℃、20秒＊2：230℃、60分＋260℃、2分＋260℃、20秒＊3：230℃、40分＋250℃、2分＋288℃、30秒

MCILとは・・・MCIL（Metal Clad Industrial Laminates：旧CCIL）プログラムは、プリント配線板条件でのUL認定を材料メーカが取得できる制度です。プリント配線板メーカが、この認定を取得している材料を用いてUL申請を行う場合、次の条件を満足していれば簡略化した内容でのUL認定取得が可能になります。

（1）プリント配線板メーカは、その製造工程等が既にUL認定を受けていること。（2）プリント配線板メーカは、申請する材料（MCIL認定品）と同一ANSIグレードの材料で既に認定取得していること。

更に、その条件が申請材料のMCIL認定範囲内で使用されること。


ULFlameClass 最小

導体厚さ（μm）ソルダーリミット

最大最大導体径（mm）

最高使用温度（℃）

MCL-I-671

MCL-E-78G

MCL-HE-679G

MCL-E-75G

MCL-E-679FG

MCL-E-679F

MCL-E-679

MCL-E-67

GPY

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.1

FR-4.0

FR-4.0

FR-4.0

0.20

0.38

0.20

0.17

0.38

0.20

0.17

0.63

0.38

0.20

0.12

0.38

0.20

0.12

0.06（両面板）

0.38

0.12

0.20

0.12

0.20

0.09

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

5

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

5

5

3

5

5

14.3

5

5

5

5

温度（℃）

＊2

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊3

＊1

＊1

＊1

＊1

＊1

＊1

＊2

＊1

＊1

＊1

時間（秒）

105

70

35

35

70

35

35

105

70

35

35

70

70

35

105

70

35

105

105

105

70

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

50.8

130

130

130

120

130

130

120

130

130

130

120

130

125

110

110

130

110

130

130

130

125

●MCIL認定条件　　　　File No. E80148

67

BSI（British Standard institution）は、ヨーロッパにおいて安全規格の関連業務が最も進んでいる国の一つであるイギリスにあって、安全規格あるいは製品安全についての中枢をなす安全規格制定機関であり、また、安全規格に基づく製品安全に関する証明機関および試験機関です。AV機器に使用されるプリント配線板の基材は、BSEN60065で要求される燃焼性試験に合格することが規定されています。

BS規格

品　　　番燃焼性区分最小板厚（mm）

MCL-E-67

MCL-E-679

MCL-I-671

MCL-E-679F

MCL-E-679FG

MCL-E-75G

認定証No.

VC670299

VC643584

VC643585

VC660376

VC656656

VC670372

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

V-0

0.10

0.10

0.10

0.06

0.06

0.06

BS規格

CSA(Canadian Standards Association)は、非営利団体として1919年に発足し、“カナダの規格および認証のサービスをカナダ国民および政府・産業界の利益のために提供する”ことを目的とした認可組織です。プラスチック材料の登録制度は1986年から発足し、当初は2規格が存在しましたが、これらが統合され、CSA/C22.2 No.0.17

“高分子材料の特性評価（一般要求）”が、1992年に発行されました。そのほとんどの項目がアメリカのUL規格と対応しています。

CSA規格


MCL-E-67

燃焼区分

V-0FR-4 0.21

CSA規格

日本の電気製品の安全規格は1916年（大正5年）に電気用品試験規則（逓信省令）として発足し、1961年（昭和36年）に“電気用品の製造・販売などを規制することにより、粗悪な電気用品による危険および障害の発生を防止する”ことを目的に、電気用品取締法として法制化され、2001年（平成13年）4月1日には「電気用品取締法」の名称が「電気用品安全法」に改称されました。プラスチック材料の登録制度については、電気機器および部品として使用されるプラスチック材料試験の重複の回避などを目的に、1990年（平成2年）8月から“電気用品部品・材料任意登録制度”を発足させ、“電気用品に使用される外郭用合成樹脂材料の水平燃焼試験方法および登録制度”を同時に開始し、その後、1992年（平成4年）10月に“電気用品に使用される印刷回路用積層板の垂直燃焼試験方法および登録制度”がまとまりました。この制度は、外国との相互承認を考慮して、年1回の工場調査制度

（ISO9000s,ISO/IEC GUIDE53）を取り入れています。本制度を導入し、登録データを利用することにより、最終製品の型式試験の大幅な合理化が可能になると共に設計等の製造の段階で安全性を確保することが容易になりました。


品　　番材料最小板厚（mm）

MCL-E-67

MCL-E-679

MCL-E-679FG

MCL-E-75G

ガラス布基材エポキシ樹脂積層板

登録番号

V-0018

V-0043

V-0104

V-0214

0.1

0.1

0.045

0.06

燃焼区分

V-0

V-0

V-0

V-0

電気用品に使用される部品・材料登録制度（CMJ登録制度）

68

日本の電気製品の安全規格は1916年（大正5年）に電気用品試験規則（逓信省令）として発足し、1961年（昭和36年）に“電気用品の製造・販売などを規制することにより、粗悪な電気用品による危険および障害の発生を防止する”ことを目的に、電気用品取締法として法制化され、2001年（平成13年）4月1日には「電気用品取締法」の名称が「電気用品安全法」に改称されました。プラスチック材料の登録制度については、電気機器および部品として使用されるプラスチック材料試験の重複の回避などを目的に、1990年（平成2年）8月から“電気用品部品・材料任意登録制度”を発足させ、“電気用品に使用される外郭用合成樹脂材料の水平燃焼試験方法および登録制度”を同時に開始し、その後、1992年（平成4年）10月に“電気用品に使用される印刷回路用積層板の垂直燃焼試験方法および登録制度”がまとまりました。この制度は、外国との相互承認を考慮して、年1回の工場調査制度

（ISO9000s,ISO/IEC GUIDE53）を取り入れています。本制度を導入し、登録データを利用することにより、最終製品の型式試験の大幅な合理化が可能になると共に設計等の製造の段階で安全性を確保することが容易になりました。


品　　番材料最小板厚（mm）

MCL-E-67

MCL-E-679

MCL-E-679FG

MCL-E-75G

ガラス布基材エポキシ樹脂積層板

登録番号

V-0018

V-0043

V-0104

V-0214

0.1

0.1

0.045

0.06

燃焼区分

V-0

V-0

V-0

V-0

電気用品に使用される部品・材料登録制度（CMJ登録制度）

69

MEMO

70

処理条件記号S0

①アルファベットは試料の処理方法を示します。　A：受理のままの状態で、処理しない　C：恒温恒湿の空気中で処理　D：恒温の水中で浸せき処理　E：恒温の空気中で処理　S：規定の温度で規定時間はんだ上に浮かべる（右表参照）②数字、記号は処理時間、温度、湿度等を示します。　1番目の数字：処理の時間（hr）、2番目の数字：処理の温度（℃）、3番目の数字：処理の相対湿度（％）　“／”：処理の区分、“＋”：その順番で2種類以上処理

処理条件の読み方

例）C-96/20/65＋D-2/100　　　温度20℃、相対湿度65％の恒温恒湿の空気中で96時間、　　　その後100℃の沸騰した熱湯の中に2時間浸せき処理を行う。　

S1

S2

S3

S4

規定温度（℃）

246

260

規定時間（秒）5 1＋2

－0

＋2

－0

＋－10 1＋－

10 1＋－20 1＋－

5 1＋－

　　　　　　　　　　　　は、日立化成株式会社の日本における登録商標です。、、ジーイーエージーアイエー

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