La polarizzazione del transistor
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Lezione sul transistorProf. Silvano Natalizi, novembre
2009
dcIB VCEDiodo ideale
dcIB VCEVBE = 0.7 V
Ic=β x Ib
Occorrono due punti:
Il punto di coordinate (Vce=0, e Ic=Isat) Il punto di coordinate (Ic=0, e Vcd=Vcutoff)
VCC
RC
RB
VBB 12 V
1 k
12 V
Mentalshort
IC = 12 V1 k
0 2 4 6 8 10 121416 18
2468
101214
VCE in Volts
IC in mA
20 A
0 A
100 A
80 A
60 A
40 A
IC = 12 V1 k= 12 mA
This is thesaturation current.
VCC
RC
RB
VBB 12 V
1 k
12 V
Mentalopen
0 2 4 6 8 10 121416 18
2468
101214
VCE in Volts
IC in mA
20 A
0 A
100 A
80 A
60 A
40 A
VCE(cutoff) = VCC
0 2 4 6 8 10 121416 18
2468
101214
VCE in Volts
IC in mA
20 A
0 A
100 A
80 A
60 A
40 A
A circuit can operate at any point on the load line.
VCC
RC
RB = 283 k
VBB 12 V
1 k
12 V
IB =VBB - VBE
RB
The operating point is determined by the base current.
IB =12 V - 0.7 V
283 k= 40 A
0 2 4 6 8 10 121416 18
2468
101214
VCE in Volts
IC in mA
20 A
0 A
100 A
80 A
60 A
40 A
The operating point is called the quiescent point.
Q
This Q point is in the linear region.
0 2 4 6 8 10 121416 18
2468
101214
VCE in Volts
IC in mA
20 A
0 A
100 A
80 A
60 A
40 A
Saturation and cutoff sono punti di lavoro non lineari.
Questi punti Q sono usati in switching applications.
La corrente di base è determinata da VBB e RB.La corrente di collettore è volte più nei circuiti lineariIl guadagno di corrente ha un effetto importante nel punto di lavoro. Non è prevedibile il valore del guadagno di corrente.
VCC
RC
REVBB 5 V
1 k
15 V
1 k
2.2 k
IE =VBB - VBE
RE
= 1.95 mA
VC = 15 V - (1.95 mA)(1 k) = 13.1 V
Emitter bias:
VCE = 13.1 V - 4.3 V = 8.8 V
IC IE
Base bias dipende dalle variazioni del guadagno di corrente.
Base bias dipende inoltre dagli effetti della temperatura.
Emitter bias quasi elimina questi effetti.
Il guadagno di corrente del transistor non entra nel calcolo con emitter bias (la polarizzazione di emettitore).