7.2 P Rtd
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Tunnel in quantum wells
Barriera singola Barriera doppia
Compaiono risonanze con livelli di sottobanda
Resonant Tunneling Diode (RTD)
Curve caratteristiche I-V
Il massimo nella curva I-V si ha quando gli elettroni incidenti hanno la stessa energia della sottobanda: tunneling risonante fra source e drain
RTD utile per operazioni veloci (fino a 100 GHz) e consumo limitato
Tipiche strutture RTD
Resonant Tunneling Diode (RTD)
High speed
Negative differentialresistance
Bi/multistabile
Temperature insensitive
Radiation tolerant
Resonant Tunneling Diode – curve i-v teoriche
Unbiased: Under bias:
Curve i-v ideali per questa struttura, EF e E < E1:
Resonant Tunneling Diode – curve i-v teoriche
Resonant tunneling diodes - esempio
InGaAs/AlAs/InAs su InP:
