Specifiche sulla banda passante negli amplificatori a...
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SpecificheSpecifiche sullasulla bandabanda passantepassanteneglinegli amplificatoriamplificatori a a microondemicroonde
Gli amplificatori a microonde trattano segnali modulati, il cui spettro ha in genere una estensione B molto minore della frequenza centrale f0 (portante). Di conseguenza gli amplificatori a microonde richiedono una banda normalizzata molto piccola (B/f0 << 1).
Il progetto di amplificatori a microonde é quindi generalmente realizzato alla frequenza di centro banda, assumendo che le variazioni con la frequenza dei componenti utilizzati provochino, nella banda passante, variazioni trascurabili di GT e degli altri parametri di interesse.
Ció semplifica le procedure di progetto e consente di utilizzare i parametri misurati dei dispositivi attivi (tipicamente i parametri S) invece dei modelli, molto piú critici e imprecisi a frequenze elevate. E’ comunque indispendabile verificare, mediante simulazioni, che il progetto realizzato soddisfi le specifiche nell’effettiva banda di frequenza richiesta; quando ció non si verifica bisogna ricorrere a tecniche numeriche di ottimizzazione del progetto.
Definizioni di Guadagno di Definizioni di Guadagno di PotenzaPotenza
zS
zL
i1i2
vin
v2Amplificatore
PdispPoutPin
v1
Guadagno di Potenza Gp = Pout /Pin
Guadagno Disponibile di Potenza Ga = (Pout)disp /Pdisp
Guadagno Trasduttivo di Potenza Gp = Pout /Pdisp
Pdisp = Potenza disponibile dalgeneratore
Pin = Potenza entrantenell’amplificatore
Pout = Potenza sul carico
(Pout)disp = Potenza disponibileall’uscita dell’amplificatore
TopologiaTopologia di un di un amplificatoreamplificatore a a microondemicroonde a a singolosingolo stadiostadio
MATCHIn
MATCHOut
R0
R0
Vin
ElementoAttivo
zSzL
Funzione delle reti di MATCH (in e out):Presentare al dispositivo attivo opportune impedenze ZL e ZS
Fasi del ProgettoIl progetto per piccoli segnali di un amplificatore consiste delle seguenti fasi:
Scelta del componente attivo Determinazione dei carichi ottimi Sintesi delle reti di MATCH
Rappresentazione del Rappresentazione del dispositivo attivodispositivo attivo
Il componente attivo viene rappresentato con i suoi parametri S misurati (in genere l’impedenza di riferimento è pari a 50 ).
Lo schema risulta quindi:
S
vin S(50)L
50505050
L
LL
S
SS
ZZZZ
Applicando le formule viste la scorsa lezione, si possono calcolare i parametri S rispetto a Zs e ZL. Per esempio il guadagno trasduttivorisulta:
221122211
222
212
21 )1()1()1()1(
ssssssG
LSLS
LST
Il problema della stabilitIl problema della stabilitàà
Un doppio bipolo attivo che funziona come amplificatore deve garantire la stabilità, cioè il segnale d’uscita deve rimanere di ampiezza limitata per qualsiasi segnale di ingresso.
Un doppio bipolo si dice incondizionatamente stabile se, per qualsiasi valore di GL e GS, risulta:
S S L
inout
2 1 1 21 1
2 2
2 1 1 22 2
1 1
11
11
Li n
L
So u t
S
s sss
s sss
Se le due condizione non sono verificate contemporaneamente si dice che il doppio bipolo è potenzialmente instabile
Condizioni di stabilitCondizioni di stabilitàà
Dati i parametri S, le condizioni in<1, out<1 sono verificate per qualsiasi valore di S, L se risulta:
1,12
1
2112
221122211
222
211
SDetss
ssssssK
In questo caso (Stabilità incondizionata) esiste una coppia di valori S,opt, L,opt che determina l’adattamento coniugato contemporaneo in ingresso e in uscita. Il questa condizione GT risulta massimo e pari a:
Gss
K KT MAX, 21
12
2 1
Espressioni per Espressioni per S,S,optopt, , L,L,optopt
12 2* 2
, 2
12* 2 2
, 2
4
2
4
2
g g g g
S o p t
g
L L L L
L o p tL
C B B C
C
C B B C
C
1 1*111221221122
*221221221111
212212211
222
211
212212211
222
211
ssssssCssssssC
ssssssBssssssB
Lg
Lg
NOTA: Le espressioni valgono per s12 0. Si sono ottenute dalla soluzione del sistema:
*
,11
,122122
*,
*
,22
,122111
*, 1
,1
optS
optSoutoptL
optL
optLinopts s
sss
sss
s
Dispositivo potenzialmente instabileDispositivo potenzialmente instabile
In caso di dispositivo potenzialmente instabile (k<1) non esiste una coppia (S, L) che rende massimo di GT. Questo infatti diventa infinito nel caso di innesco dell’instabilità.
Valori ammissibili di S, L devono comunque sempre determinare
Queste condizioni, riportate graficamente sulla carta di Smith permettono di individuare le regioni ammissibili di S e L.
Il valore massimo indicativo che si assume generalmente per Gt è dato dal maximum stable gain:
21,max
12T
sGs
21 1221 1211 22
22 11
1, 11 1
SLin out
L S
s ss ss ss s
Regione ammissibile per SS
21 1222
11
11
Sout
S
s sss
Il luogo dei punti della regione di confine è definito dalla relazione
Si ottiene un cerchio nel piano S con centro e raggio dati da:
211
22112
211
2
*11
*22
s
ssr
sssC
s
S
Cs
rs
Piano S
Regione ammissibile per L
21 1211
22
11
Lin
L
s sss
Il luogo dei punti della regione di confine è definito dalla relazione
Si ottiene un cerchio nel piano L con centro e raggio dati da:
222
22112
222
2
*22
*11
s
ssr
sssC
L
L
CL
rL
Piano L
Individuazione delle regioni Individuazione delle regioni ammissibiliammissibili
Nei lucidi precedenti si sono riportate le espressioni dei cerchi che rappresentano il confine tra le regione ammissibile (stabile) e quella potenzialmente instabile.Per individuare quale regione è quella stabile bisogna osservare il valore di in (out) per L (S)=0, dove coincide con s11 (s22). Si ha:
La regione stabile per L (S) è quella esterna al cerchio di instabilità se:‐|s11| (|s22|) è <1 e il cerchio non include centro della carta‐|s11| (|s22|) è >1 e il cerchio include centro della carta
La regione stabile per L (S) è quella interna al cerchio di instabilità se:‐|s11| (|s22|) è >1 e il cerchio non include centro della carta‐|s11| (|s22|) è <1 e il cerchio include centro della carta
La regione stabile per L (S) è quella esterna al cerchio di instabilità se:‐|s11| (|s22|) è <1 e il cerchio non include centro della carta‐|s11| (|s22|) è >1 e il cerchio include centro della carta
La regione stabile per L (S) è quella interna al cerchio di instabilità se:‐|s11| (|s22|) è >1 e il cerchio non include centro della carta‐|s11| (|s22|) è <1 e il cerchio include centro della carta
Progetto di Amplificatori con Progetto di Amplificatori con dispositivi potenzialmente instabilidispositivi potenzialmente instabili
Nel caso di dispositivi potenzialmente instabili, la scelta di non èunivoca. In generale si hanno due possibili alternative:
Scegliere L nella regione stabile e calcolare S in modo da massimizzare GT (anche S deve risultare nella sua regione di stabilità)
Scegliere S nella regione stabile e calcolare L in modo da massimizzare GT (anche L deve risultare nella sua regione di stabilità)
Per massimizzare GT si impone la condizione di adattamento coniugato, cioè:
*
22
122111
*
1
L
Lins s
sss
*
11
122122
*
1
S
SoutL s
sss
1 caso
2 caso
Cerchi a GCerchi a Gpp costantecostante
Dalla definizione di Guadagno di potenza Gp si ricava la seguente espressione:
Si nota che Gp non dipende da S. Si dimostra che Gp è sempre maggiore o uguale a GT; si ha l’eguaglianza solo quando l’ingresso è adattato: in = (s)*. Si può tracciare nel piano L il luogo dei punti per cui Gp è costante; tale luogo è un cerchio con centro e raggio dati da (gp=Gp/|s21|2):
*1122
2211
2211
22
21211
221
Re21
)1(
1 sssss
s
sG
LL
Lp
1 22 2* *12 12 12 1222 11
2 2 2 222 22
1 2,
1 1
p ppp p
p p
k s s g s s gg s sC r
g s g s
Progetto con GProgetto con Gpp assegnatoassegnato
• Si sceglie un transistor con il GT desiderato• Si traccia il traccia il cerchio a Gp= GT sul piano L
• Si sceglie un punto su questo cerchio (fuori dalla regione di instabilità); tale punto rappresenta il L,opt
• Si trova il S,opt imponendo adattamento all’uscita. Si verifica che anche S,opt sia nella regione di stabilità.
*
,22
,122111, 1
optL
optLopts s
sss
Nota: assegnando S,opt al generatore, si ottiene adattamento e quindi il guadagno di potenza coincide con quello trasduttivorichiesto inizialmente
Regione di instabilitàdel carico
Cerchio a Gp=cost
L,opt
S,opt
Regione di instabilità del generatore
Cerchi a Cerchi a GGaa costantecostante
Dalla definizione di Guadagno disponibile di potenza Ga si ricava la seguente espressione:
Si nota che Ga non dipende da L. Si dimostra che Ga è sempre maggiore o uguale a GT; si ha l’eguaglianza solo quando l’uscita è adattata: out = (L)*. Si può tracciare nel piano S il luogo dei punti per cui Ga è costante; tale luogo èun cerchio con centro e raggio dati da (ga=Ga/|s21|2):
*2211
2222
2222
22
21222
221
Re21
)1(
1 sssss
s
sG
SS
Sa
11
1 22 2* *12 12 12 1222
2 2 2 211 11
1 2,
1 1
a aaa a
a a
k s s g s s gg s sC r
g s g s
Progetto con Progetto con GGaa assegnatoassegnato
• Si sceglie un transistor con il GT desiderato• Si traccia il traccia il cerchio a Ga= GT sul piano S
• Si sceglie un punto su questo cerchio (fuori dalla regione di instabilità); tale punto rappresenta il S,opt
• Si trova il L,opt imponendo adattamento all’uscita. Si verifica che anche L,opt sia nella regione di stabilità.
*
,11
,122122, 1
optS
optSoptL s
sss
Nota: assegnando L,opt al carico, si ottiene adattamento in uscita e quindi il guadagno dsponibile di potenza coincide con quello trasduttivo richiesto inizialmente Regione di
instabilitàdel carico
Cerchio a Ga=cost
S,opt
L,opt
Regione di instabilità del generatore
Risultati del progettoRisultati del progetto
L’amplificatore che si ottiene una volta assegnati i valori di L,opt e S,optpresenta le seguenti caratteristiche (alla frequenza di progetto):
1 Caso (Gp assegnato)• Il guadagno trasduttivo è quello specificato• L’ingresso del transistor è adattato, ma non l’uscita
2 Caso (Ga assegnato)• Il guadagno trasduttivo è quello specificato• L’uscita è del transistor adattata, ma non l’ingresso
NOTA: Poiché le reti di adattamento che si utilizzano per generare L,opt e S,opt sono prive di perdite, anche il generatore o il carico sono adattati nei due casi
Amplificatore a 12 Amplificatore a 12 GHzGHz
Dati del transistorModello: NEC70000 (Mesfet su GaAs)Guadagno max a 12 GHz: 13.24 dB
Topologia:
Dati del substrator = 9.8 H = 0.6 mmt = 50 m (per il simulatore)Rho (resistività normalizzata a quella dell’oro) = 1 (per il simulatore)Specifiche amplificatore
Banda di Frequenza: 11.9-12.1 GHz Guadagno totale minimo: 12.5 ± 0.5 dBAdattamento in uscita:
In50 Ω
50 Ω
Vs
Out
s in out L
Parametri S del transistor Parametri S del transistor polarizzatopolarizzato
Parametri di Scatter a 12 GHz
S11 (Mag, Phase deg) 0.70495 , 88.051S12 (Mag, Phase deg) 0.0978 , -115.68S21 (Mag, Phase deg) 2.0630 , -70.679S22 (Mag, Phase deg) 0.4666 , 146. 2
→ Potenzialmente INSTABILE
Maximum Stable Gain (dB):
Coefficiente di Stabilità:2 2 2
11 22 11 22 12 21
12 21
10.9147 1
2S S S S S S
KS S
21
12
10log 13.2429SS
Calcolo di Calcolo di LL e e SS
Ga assegnato: 12.5 dB Scelta di S =0.778‐82.7455 Scelta di L = (out )*=0.74 ‐125.68 Progetto delle reti di trasformazione (singolo stub)
X
F0 12 GHz
TLSCID=TL3Z0=50 OhmEL=35.54 DegF0=12 GHz
Z 50 Ohm
PORTP=2Z=50 Ohm
Rete di adattamento in ingressoRete di adattamento in ingresso
Linea : = L = 111.91°
Ammettenza: j B = -j2.475 Stub in c. c. : YL = -j cotan(LS) = -j2.475
1 1tan 222.475S
SS
S
F0 12 GHz
TLSCID=TL3Z0=50 OhmEL=35.54 DegF0=12 GHz
Z 50 Ohm
PORTP=2Z=50 Ohm
Rete di adattamento in uscitaRete di adattamento in uscita
Linea : = L = 131.64°
Ammettenza: j B = -j2.193Stub in c. c. : YL = -j cotan(LS) = -j2.193
LL
1 1tan 24.512.193S
S
Simulazione amplificatoreSimulazione amplificatore
TLSCID=TL4Z0=50 OhmEL=FI4 DegF0=f0 MHz
TLINID=TL2Z0=50 OhmEL=FI3 DegF0=f0 MHz
TLSCID=TL3Z0=50 OhmEL=FI2 DegF0=f0 MHz
TLINID=TL1Z0=50 OhmEL=FI1 DegF0=f0 MHz
1 2
SUBCKTID=S1NET="nec7000pola"
PORTP=1Z=50 Ohm
PORTP=2Z=50 Ohm
11800 11900 12000 12100 12200Frequency (MHz)
Graph 1 1
10
11
12
13
14
15
-25
-20
-15
-10
-5
0DB(|S(2,1)|) (L)Ampli Iniziale
DB(|S(1,1)|) (R)Ampli Iniziale
DB(|S(2,2)|) (R)Ampli Iniziale
S11
S21
S11
Risposta ottimizzataRisposta ottimizzata
11800 11900 12000 12100 12200Frequency (MHz)
Graph 1
10
11
12
13
14
15
-25
-20
-15
-10
-5
0DB(|S(1,1)| ) (R)Ampli Ottimizzato
DB(|S(2,1)| ) (L)Ampli Ottimizzato
DB(|S(2,2)| ) (R)Ampli Ottimizzato
S21
S11
S11