Esame 21-11-12 - Soluzioni Test
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7/23/2019 Esame 21-11-12 - Soluzioni Test http://slidepdf.com/reader/full/esame-21-11-12-soluzioni-test 1/1 ELETTRONICA INDUSTRIALE SOLUZIONI 21/11/2012 Test di teoria 1) C ) Slide 10 Lezione 9 . G =- Rf/R1. BW * G = costante. Se si vuole raddoppiare la banda (da 1.5 MHz a 3 MHz) si deve dimezzare il guadagno che da -40/10 = -4 passerà a -2 => Rf=20kOhm. La risposta d) è impossibile perché A dell’OpAmp è fisso (su silicio), a) e b) sono sbagliate. 2) A) Rl = 10 Ohm slide 14 lezione 6. Teorema della massima potenza => Rl = Ro. Po = Vo 2 /Rl 3) D). slide 9 lezione 8; (1+AB) < 1 significa feedback positivo e quindi il guadagno aumenta! 4) B) slide 3 Lezione 9. Vo = -RC dVi/dt 5) C) slide 15 Lezione 9. L’uscita alta dovrebbe essere pari a 5 * 5 = 25 V ma 1 V di V di offset di ingresso amplificato di 5 volte aggiunge 5 V all’uscita 6) A) slide 11 lezione 10. È una polarizzazione inversa 7) D) slide 6, 8 e 9 lezione 12. L’ E-MOSFET non ha canale, che deve quindi essere creato con una V positiva sul gate. Il JFET richiede una giunzione di gate in polarizzazione inversa al posto del gate isolato dell’E -MOSFET e quindi una polarizzazione negativa sul gate
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7/23/2019 Esame 21-11-12 - Soluzioni Test
http://slidepdf.com/reader/full/esame-21-11-12-soluzioni-test 1/1
ELETTRONICA INDUSTRIALESOLUZIONI21/11/2012
Test di teoria
1) C
) Slide 10 Lezione 9 . G =- Rf/R1. BW * G = costante. Se si vuole raddoppiare la banda (da 1.5 MHza 3 MHz) si deve dimezzare il guadagno che da -40/10 = -4 passerà a -2 => Rf=20kOhm. La rispostad) è impossibile perché A dell’OpAmp è fisso (su silicio), a) e b) sono sbagliate.
2) A) Rl = 10 Ohm slide 14 lezione 6. Teorema della massima potenza => Rl = Ro. Po = Vo 2/Rl3) D). slide 9 lezione 8; (1+AB) < 1 significa feedback positivo e quindi il guadagno aumenta!4)
B) slide 3 Lezione 9. Vo = -RC dVi/dt5)
C) slide 15 Lezione 9. L’uscita alta dovrebbe essere pari a 5 * 5 = 25 V ma 1 V di V di offset di
ingresso amplificato di 5 volte aggiunge 5 V all’uscita 6) A) slide 11 lezione 10. È una polarizzazione inversa7) D) slide 6, 8 e 9 lezione 12. L’ E-MOSFET non ha canale, che deve quindi essere creato con una V
positiva sul gate. Il JFET richiede una giunzione di gate in polarizzazione inversa al posto del gate
isolato dell’E-MOSFET e quindi una polarizzazione negativa sul gate
